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最新专利技术
  • 对准装置、成膜装置、对准方法、成膜方法及电子器件的制造方法
    对准装置、成膜装置、对准方法、成膜方法及电子器件的制造方法_佳能特机株式会社_202510864271.X
    本发明提供一种能够提高基板与掩模的定位精度的对准装置、成膜装置、对准方法、成膜方法及电子器件的制造方法。其特征在于，在静电吸盘的保持基板的保持面侧的比基板保持区域靠外侧的位置设置有突出单元(300)，所述突出单元(300)与保持于所述保持面...
    2026-03-11
  • 沉积掩模
    沉积掩模_三星显示有限公司_202510872162.2
    公开了一种沉积掩模。所述沉积掩模包括：掩模框架，具有限定在掩模框架中的单元开口；以及膜，设置在掩模框架上。膜包括设置在单元开口上的单元区，多个像素开口被限定在单元区中以连接到单元开口，并且掩模框架与膜之间的界面残余应力在约‑30MPa至约3...
    2026-03-11
  • 掩模基版制造方法及溅射装置
    掩模基版制造方法及溅射装置_上海传芯半导体有限公司_202511416543.6
    一种掩模基版制造方法及溅射装置，该方法包括以下步骤：获取掩模基版制造工艺中各工艺步骤的工艺温度、该掩模基版对应的掩模板制造工艺中各工艺步骤的工艺温度，及掩模板的使用温度；根据掩模基版制造工艺和掩模板制造工艺中各工艺步骤的工艺温度，及掩模板的...
    2026-03-11
  • 一种超高硬度AlCrN/AlCrSiWN纳米多层复合涂层的制备工艺
    一种超高硬度AlCrN/AlCrSiWN纳米多层复合涂层的制备工艺_天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)_202511491247.2
    本发明公开了一种超高硬度AlCrN/AlCrSiWN纳米多层复合涂层的制备工艺，属于材料表面涂层技术领域。该工艺是采用电弧离子镀技术进行，具体包括：(1)将AlCrSiW靶和AlCr靶分别放置在相应阴极靶位上；抽真空至真空度为3.0×10‑...
    2026-03-11
  • 具有超高硬度的AlCrN/AlCrSiWN纳米多层复合涂层及其制备工艺
    具有超高硬度的AlCrN/AlCrSiWN纳米多层复合涂层及其制备工艺_天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)_202511491261.2
    本发明公开了一种具有超高硬度的AlCrN/AlCrSiWN纳米多层复合涂层及其制备工艺，属于材料表面涂层技术领域。该复合涂层包括依次沉积于基底上的AlCrN过渡层、AlCrN/AlCrSiWN纳米多层调制涂层和AlCrSiWN功能层，其中：...
    2026-03-11
  • 一种复合涂层刀具及其制备方法
    一种复合涂层刀具及其制备方法_中南大学_202511816446.6
    本发明涉及铣刀片涂层设计领域，具体涉及一种复合涂层刀具及其制备方法。所述刀具包括硬质合金基体与复合涂层；所述复合涂层采用电弧离子镀的方式制备，自基体向外依次包括XN过渡层、AlXN中间层、纳米复合功能层；所述X为Ti和/或Cr。其制备方法包...
    2026-03-11
  • 给体-受体互补共掺杂氧化铪基铁电薄膜材料及其制备方法
    给体-受体互补共掺杂氧化铪基铁电薄膜材料及其制备方法_北京科技大学_202511313068.X
    本发明实施例公开了给体‑受体互补共掺杂氧化铪基铁电薄膜材料及其制备方法；方法包括：根据给体‑受体互补共掺杂氧化铪基陶瓷靶材的组成，将原料粉体混合得到混合原料粉体；混合原料粉体在预设条件下煅烧；煅烧产物压制成型为靶材坯体；靶材坯体烧结，得到给...
    2026-03-11
  • 一种霍尔效应测试样品及其制备方法、应用
    一种霍尔效应测试样品及其制备方法、应用_广东先导稀材股份有限公司_202511317462.0
    本发明属于光电薄膜领域，公开了一种霍尔效应测试样品及其制备方法、应用。所述霍尔效应测试样品包括基底、有源层和接触层，有源层为高阻、低载流子浓度薄膜，有源层的方阻为106~1013Ω/□，有源层的载流子浓度为1010~1016cm‑3；接触层...
    2026-03-11
  • 半导体工艺腔室及其控制方法
    半导体工艺腔室及其控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410851682.0
    本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室及其控制方法，以解决如何改善上电极翻转过程中，可能会剐蹭到其它器件的问题；其中，所述半导体工艺腔室包括：封盖装置和腔体组件；封盖装置包括：上盖组件、驱动组件和旋转臂；上盖组件包括上电极，上电极设有靶材安装...
    2026-03-11
  • 改性蒸发舟及其制备方法
    改性蒸发舟及其制备方法_安迈特科技(北京)有限公司_202410867241.X
    本申请提供一种改性蒸发舟及其制备方法，属于蒸发舟技术领域，该改性蒸发舟包括舟体以及改性层，舟体具有蒸发槽，改性层铺设在蒸发槽的底部；其中，改性层的原材料包括钨系化合物。改性蒸发舟的制备方法包括以下步骤：配制含有钨系化合物的改性浆料；将改性浆...
    2026-03-11
  • 一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法
    一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法_深圳市星汉激光科技股份有限公司_202511789707.X
    本发明涉及半导体薄膜沉积技术领域，公开了一种半导体激光芯片的真空蒸发镀膜方法，包括：实时获取蒸发云空间分布信息，并基于该信息同步计算聚焦度特征、空间漂移特征与瞬态剧烈扰动；根据聚焦度特征与空间漂移特征，分别解耦调节电子束扫描的幅度与中心点，...
    2026-03-11
  • 一种真空等离子镀膜机
    一种真空等离子镀膜机_常州晟威机电股份有限公司_202511476841.4
    本发明公开了一种真空等离子镀膜机，其中包括第一壳体，所述第一壳体的一侧设置有真空壳体，所述真空壳体的外表面设置有操作台，所述真空壳体的一侧设置有卷绕车，所述卷绕车位于第一壳体的内部，所述真空壳体远离第一壳体的另一侧设置有蒸发车，所述真空壳体...
    2026-03-11
  • 一种半导体溅射设备及半导体薄膜的形成方法
    一种半导体溅射设备及半导体薄膜的形成方法_苏州辰华半导体技术有限公司_202511200319.3
    本发明开了一种半导体溅射设备及半导体薄膜的形成方法，属于半导体技术领域。所述半导体溅射设备至少包括：腔体；至少一个第一靶材，设置在所述腔体内的第一侧；至少一个第二靶材，设置在所述腔体内的第二侧；至少一反应气体源，以通入至少一反应气体于所述腔...
    2026-03-11
  • 一种六方金-铂纳米阵列材料及其制备方法和用途
    一种六方金-铂纳米阵列材料及其制备方法和用途_天津工业大学_202511461051.9
    本发明属于贵金属纳米材料技术领域，具体涉及一种六方金‑铂纳米阵列材料及制备方法和在光/电催化水分解产氢领域上的应用。该Au‑Pt纳米阵列的结构单元由Au纳米球和附着的Pt纳米颗粒组成，整体阵列呈六方非密排分布。本发明先制备六方非密排金(Au...
    2026-03-11
  • 一种细晶高纯铜旋转靶材的均匀化制备方法
    一种细晶高纯铜旋转靶材的均匀化制备方法_安徽纬科材料科技有限公司_202511798521.0
    本申请提供了一种细晶高纯铜旋转靶材的均匀化制备方法，涉及高纯铜旋转靶材的技术领域，通过热加工、冷加工变形及双向温度梯度退火的优化工艺，显著降低了靶材的残余应力，提高了硬度、拉伸强度和延伸率，并确保晶粒尺寸控制在≤50μm，微观结构均匀、晶界...
    2026-03-11
  • 一种光学镀膜用高纯铝旋转靶材制备方法
    一种光学镀膜用高纯铝旋转靶材制备方法_安徽纬科材料科技有限公司_202511798566.8
    本发明公开了一种光学镀膜用高纯铝旋转靶材制备方法，包括热加工、冷加工、双向温度梯度退火和表面处理步骤。通过在200‑450℃下对99.999%纯度铝锭进行大塑性变形和水淬，制备致密荒管；经多道次冷加工和中间退火，加工成外径100‑200 m...
    2026-03-11
  • 一种细晶高纯大规格铝平面靶的制备方法
    一种细晶高纯大规格铝平面靶的制备方法_安徽纬科材料科技有限公司_202511798583.1
    本发明公开了一种细晶高纯大规格铝平面靶的制备方法，包括热加工、冷轧、退火处理及表面处理。通过多道次横向和纵向轧制结合快速冷却，破碎铝锭粗大柱状晶，诱发动态再结晶并抑制二次粗化，形成内部致密铝板坯；冷轧与中间退火引入高密度位错网络，增强静态再...
    2026-03-11
  • 一种金刚石系中波红外复合窗口及其制备方法
    一种金刚石系中波红外复合窗口及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202410844829.3
    本发明公开了一种金刚石系中波红外复合窗口及其制备方法，该金刚石系中波红外复合窗口包括：在红外光学材料的双面分别镀上第一增透膜得到光学材料A；在金刚石光学材料的双面分别镀上第二增透膜得到光学材料B；通过面贴合叠加光学材料A和光学材料B得到光学...
    2026-03-11
  • 处理PVD设备的挡板的方法
    处理PVD设备的挡板的方法_SPTS科技有限公司_202411525590.X
    根据本发明，提供一种处理PVD设备的挡板的方法，其包括以下步骤：提供PVD设备，其包括腔室、靶材、定位在所述腔室中的衬底支撑件及在所述腔室内可部署以将所述腔室划分为其中定位所述衬底支撑件的第一隔间及其中定位所述靶材的第二隔间的挡板；提供其上...
    2026-03-11
  • 一种磁控溅射镀膜机的均匀性调整工具
    一种磁控溅射镀膜机的均匀性调整工具_湖南艾科威半导体装备有限公司_202511783412.1
    本发明属于磁控溅射镀膜技术领域，具体涉及一种磁控溅射镀膜机的均匀性调整工具，包括同轴线的工具座盘、探针节和探针头；工具座盘呈圆盘形；探针头的一端呈锥形，并通过若干探针节与工具座的中心相连；工具座盘可拆卸的安装到磁控溅射镀膜机的溅射靶头的溅射...
    2026-03-11
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