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  • 本文公开的实施例包括一种装置,该装置包括衬底和在衬底中的组件,其中组件包括焊盘。在实施例中,第一层在焊盘之上,并且第一层包括硅和氮。在实施例中,第二层在衬底之上,并且过孔穿过第一层和第二层,其中,过孔接触焊盘。
  • 公开了用于减小集成电路封装中的应力的系统、装置、制品和方法。示例半导体芯片包括:前表面;与前表面相对的后表面;在前表面和后表面之间延伸的第一侧向表面;在前表面和后表面之间延伸的第二侧向表面;以及在第一侧向表面与第二侧向表面之间的交接处的弯曲...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中,一种电子装置包括管芯焊盘和引线。电子组件耦接到所述管芯焊盘并耦接到所述引线。散热片耦接到所述电子组件。包封物覆盖所述管芯焊盘、所述引线、所述电子组件和所述散热片。所述包封物包含包封物顶侧、与所述包...
  • 本申请提供了基于三维集成的功率集成电路热管理方法及系统,涉及功率集成电路技术领域,所述方法包括:接收目标功率集成电路在预设监测窗口的运行指标序列并进行运行状态特征分析;遍历芯片层集合的嵌入式温度传感器进行温度分布采集,并进行热点区域识别;结...
  • 本申请提供液冷模组、液冷式芯片封装结构、移动终端,其中,液冷模组包括:液冷模件,液冷模件包括外壳和位于外壳内部的液体工质;及驱动泵,驱动泵与液冷模件连接,用于驱动液体工质流动;液冷模组中的至少部分构件为非金属结构件与金属结构件,非金属结构件...
  • 公开了半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装件。所述半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一半导体基底、第一贯穿电极、连接到第一贯穿电极的一部分的电力布线图案以及设置在第一半导体基底上的补偿层。第二半导体芯片设...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,提供了一种散热盖、封装结构和相应的制备方法,所述散热盖具有容纳腔,所述容纳腔的底面具有第一凹槽,所述第一凹槽呈现上大下小的锥台形状;所述容纳腔用于容纳芯片,且所述芯片的上表面和所述芯片的部分侧壁位于所述第一凹槽...
  • 一种封装结构、封装方法以及电子设备,封装结构包括:基板;设置于基板上且与基板电连接的芯片,芯片具有背向基板一侧的第一面;位于芯片侧部的基板上的散热盖,散热盖包括与芯片连接的阻挡部,以使得阻挡部与第一面围成凹槽;位于凹槽中的导热层,导热层的熔...
  • 本发明公开了一种GaN集成电路先进封装结构,属于半导体器件封装技术领域。所述结构包括铜基板、树脂绝缘层、GaN芯片、第二环氧树脂层、铜电路板结构及外部填充层;GaN芯片通过第一环氧树脂层设于树脂绝缘层上,其具有铜柱引脚;铜电路板结构由设置于...
  • 本公开涉及一种芯片封装件,其特征在于,包括:盖体;基板,该基板设置在所述盖体下方;蒸汽腔,该蒸汽腔设置在所述盖体内;以及芯片,该芯片设置在所述盖体与所述基板之间,所述芯片与所述盖体接触。
  • 本发明涉及芯片降温技术领域,具体涉及一种芯片用无油两相流散热系统及其控制方法,包括:冷凝器、压缩机、第一膨胀阀、中间换热器、气液分离器、制冷剂输送泵、浸没箱、第一单向阀、第二单向阀;循环制冷管路,循环换热管路,风泵、第三单向阀;循环液化支路...
  • 一种具散热封装的高功率积体电路元件,包含电路基板、晶片以及三维蒸气腔元件,电路基板具有上基板表面,且晶片设置于电路基板的上基板表面上,晶片具有晶片表面。三维蒸气腔元件包含上盖、下板以及多个微流道,上盖具有开孔及上表面,下板相对于上盖,具有一...
  • 本申请的实施例提供了一种冷却装置、电子器件及电子设备,涉及半导体技术领域,用于提高电子器件的可靠性。该冷却装置包括:基板、第一隔离部和第二隔离部。所述第一隔离部呈环形。第二隔离部设置于所述基板上,与所述第一隔离部间隔设置,并绕所述第一隔离部...
  • 本发明属于功率半导体模块技术领域,具体涉及一种高散热功率半导体模块及模块连接组件。本发明的高散热功率半导体模块包括:封装材料;第一散热器和第二散热器,位于封装材料内;各散热器的两端分别设置有功率端子;若干功率芯片,设置在第一散热器和第二散热...
  • 本发明公开了一种加快处理天线效应的方法,涉及天线效应处理技术领域。该方法包括:获取半导体器件设计中的金属层信息和工艺规则数据;根据金属层信息和工艺规则数据确定存在天线效应风险的金属区域;针对存在天线效应风险的金属区域,采用自动化脚本生成跳线...
  • 本发明提供烧结接合用片材等,所述烧结接合用片材具备:烧结接合层,其包含烧结性颗粒和有机粘结剂,该烧结性颗粒含有导电性金属;以及基材层,其与所述烧结接合层的至少一个表面重叠,与所述基材层重叠的所述烧结接合层的所述表面具有10.5nm以上且90...
  • 一种半导体封装及其制造方法,以及一种引线框架,其中该半导体封装包括此类引线框架,此类引线框架至少包括管芯焊盘安装部分和键合夹具安装部分。引线框架呈现纵向尺寸和垂直于第一纵向尺寸定向的横向尺寸。该半导体封装进一步包括半导体管芯,该半导体管芯具...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,具体公开了一种异质芯片集成的高温封装结构及其封装方法,该封装结构包括两颗异质芯片、陶瓷管壳、过渡片、高温焊料、键合金丝、键合铝丝和平封盖板,陶瓷管壳包括封口环、键和指区域、芯片装片区和芯片互联区,第一过渡片和第...
  • 本公开公开一种芯片封装结构,包括:电路板组件,包括电路板;芯片组件,设置在所述电路板上并且包括沿平行于所述电路板的方向并排设置的至少两个芯片层叠结构,每个所述芯片叠层结构包括基板和设置在所述基板上的芯片;桥接组件,沿所述电路板的厚度方向设置...
  • 本公开涉及具有改进的引线结构的引线框架封装。提供了示例引线框架封装、制造引线框架封装的方法以及包括具有改进的导电引线结构的引线框架封装的电系统。示例引线框架封装包括热耦合到管芯焊盘的半导体IC。模制材料包围半导体IC,从而限定引线框架封装的...
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