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最新专利技术
  • 太阳电池及其制备方法、掩膜模具
    太阳电池及其制备方法、掩膜模具_通威太阳能(成都)有限公司_202510756685.0
    本发明涉及一种太阳电池及其制备方法、掩膜模具。上述太阳电池的制备方法通过在电池片上设置掩膜模具，进行注胶形成具有线形开口的掩膜层，再在线形开口中沉积形成栅线。在掩膜模具中，线形凸起的位置即是掩膜层的线形开口的位置，对应形成栅线的位置。上述制...
    2026-01-02
  • 用于制备太阳电池的扩散方法、太阳电池及光伏组件
    用于制备太阳电池的扩散方法、太阳电池及光伏组件_通威太阳能(彭山)有限公司_202510756846.6
    本发明公开了一种用于制备太阳电池的扩散方法、太阳电池及光伏组件，该用于制备太阳电池的扩散方法包括以下步骤：使承载有硅片的载舟置于扩散炉中，其中，扩散炉具有供气体进入的进气口，载舟靠近进气口的第一端与进气口的距离D大于10cm，且第一端至进气...
    2026-01-02
  • 电池片上电极种子层的回刻方法
    电池片上电极种子层的回刻方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510764673.2
    本发明涉及一种电池片上电极种子层的回刻方法，包括步骤：获取电池片上电极种子层的面积S1，并对电池片进行回刻预测试，获取电池片在回刻合格时相较于工艺前的减重重量ΔW1；获取减重监测片，减重监测片包括基片以及设置在基片上的刻蚀测试层，刻蚀测试层...
    2026-01-02
  • 太阳电池的制备方法
    太阳电池的制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510764758.0
    本申请提供了一种太阳电池的制备方法，包括：在硅基底背面依次形成第一隧穿层和第一非晶硅层；在含有第一掺杂源和氧气的第一气氛中对第一非晶硅层进行第一沉积，然后进行第一推结；在含氧气气氛中对第一掺杂多晶硅层进行氧化热处理；对硅基底的背面进行第一图...
    2026-01-02
  • 太阳能电池及其制作方法和光伏组件
    太阳能电池及其制作方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510822302.5
    本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池的制作方法包括获取具有透明导电层的电池基体，在透明导电层上沉积种子层；在种子层上涂覆光刻胶，对光刻胶进行打印、显影，以去除栅线区域的光刻胶；在栅线区域的种子层上制...
    2026-01-02
  • 一种太阳能电池片制备方法及太阳能电池片
    一种太阳能电池片制备方法及太阳能电池片_通威太阳能(金堂)有限公司_202510824459.1
    本发明的实施例提供了一种太阳能电池片制备方法及太阳能电池片，涉及电池片制造技术领域。该太阳能电池片制备方法包括在硅片的第一表面沉积非晶硅层；对非晶硅层退火，使得非晶硅层固化结晶形成多晶硅层；在硅片的第一表面以及第二表面分别沉积氧化物薄膜；对...
    2026-01-02
  • 太阳电池及其制备方法和光伏组件
    太阳电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510827639.5
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。本申请实施例提供的太阳电池的制备方法中，将电镀设备与电池片角部被露出的种子层电连接，之后在电池片的角部制作倒角，以去除电池片上用于与电镀设备电连接的连接点位。即便电池片因为与...
    2026-01-02
  • 电池片去绕镀方法、太阳能电池及其制备方法
    电池片去绕镀方法、太阳能电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510827645.0
    本发明公开了电池片去绕镀方法、太阳能电池及其制备方法。电池片去绕镀方法包括如下步骤：获取绕镀电池片；在绕镀电池片的背面位置对绕镀电池片进行第一激光切割，在第一激光切割时，控制激光切割方向与绕镀电池片的背面呈锐角夹角，使得绕镀电池片的背面与相...
    2026-01-02
  • 异质结电池片制作方法
    异质结电池片制作方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510837678.3
    本申请涉及一种异质结电池片制作方法。所述方法包括：对基材进行加工处理，得到表面覆盖导电氧化物膜层的异质结电池片半成品；在异质结电池片半成品的表面，制作包含栅线图形的导电膜层，得到导电半成品；在导电半成品的导电膜层上制作栅线，得到栅线半成品；...
    2026-01-02
  • 电池片结构的制作方法
    电池片结构的制作方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510837757.4
    本申请涉及一种电池片结构的制作方法。所述方法包括：对基材进行加工处理，得到电池片半成品；在电池片半成品的边缘涂覆感光包边胶，并在电池片半成品的表面涂覆光刻胶，得到包括被涂胶层包裹的电池片半成品的涂胶半成品；使用包含栅线图形的掩膜进行曝光处理...
    2026-01-02
  • 太阳电池发射极的制备方法、太阳电池的制备方法
    太阳电池发射极的制备方法、太阳电池的制备方法_通威太阳能(彭山)有限公司_202510846188.X
    本申请提供了一种太阳电池发射极的制备方法、太阳电池的制备方法，其中，太阳电池发射极的制备方法包括以下步骤：在含有硼源、氧气和氮气的气氛中对N型硅衬底的正面进行硼扩散处理；硼扩散处理的温度为800℃~850℃，时间为340s~420s；在含有...
    2026-01-02
  • 一种激光诱导纳米孔结构的自供电紫外光电探测器及其制备方法
    一种激光诱导纳米孔结构的自供电紫外光电探测器及其制备方法_广州大学_202510963459.X
    本发明公开一种激光诱导纳米孔结构的自供电紫外光电探测器及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：采用飞秒激光直写工艺在n型硅片表面一次性诱导出不规则分布的纳米孔结构，得到具有纳米孔结构的硅片；得到的具有纳米孔结构的硅片去除氧化层并清洗烘干后，...
    2026-01-02
  • TOPcon光伏电池及其制备方法、光伏组件
    TOPcon光伏电池及其制备方法、光伏组件_润马光能科技(金华)有限公司_202511016500.9
    本申请公开了一种TOPcon光伏电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域；制备方法包括：提供衬底，衬底包括相对的正面和背面；在衬底的正面制备P+层；在衬底的背面制备隧穿层；采用ALD在P+层上进行氧化铝沉积；将沉积完氧化铝层的衬底放入PECV...
    2026-01-02
  • 工艺设备及工艺系统
    工艺设备及工艺系统_拉普拉斯(西安)科技有限责任公司_202511101526.3
    本公开涉及半导体和光伏技术领域，尤其涉及一种工艺设备及工艺系统，解决相关技术中由于炉内温度场不同区域的温度偏差较大而影响工艺效果的问题。该工艺设备包括工艺炉，具有工艺腔室，工艺腔室包括两个或两个以上沿第一方向依次布置的子腔室，各子腔室相互独...
    2026-01-02
  • 一种铜掺杂碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法和应用
    一种铜掺杂碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法和应用_广东明阳薄膜科技有限公司_202511105034.1
    本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种铜掺杂碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法和应用。本发明铜掺杂碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：在透明基底上依次制备透明导电层、窗口层、吸收层、背接触层，然后置于铜盐溶液中浸泡，随后在背接触层...
    2026-01-02
  • 光伏电池的制备方法
    光伏电池的制备方法_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202511157928.5
    本申请涉及光伏技术领域，具体涉及光伏电池的制备方法，该方法包括：提供硅片，硅片在厚度方向上具有正面和背面；对硅片的正面和背面进行抛光；对硅片进行多阶段变温处理，处理后的硅片的正面形成第一附加层同时背面形成第二附加层；去除硅片正面的第一附加层...
    2026-01-02
  • 背接触光伏电池及其制造方法、光伏组件
    背接触光伏电池及其制造方法、光伏组件_安徽阳光光能科技有限公司_202511203347.0
    本公开实施例涉及光伏电池领域，提供一种背接触光伏电池及其制造方法、光伏组件，其中制造方法包括：提供基底；在基底一侧表面形成本征硅层；本征硅层包括第一区和第二区；形成至少覆盖第二区的掩膜层；对第一区掺杂第一元素以形成第一掺杂半导体层；部分第一...
    2026-01-02
  • 一种低接触电阻TOPcon电池的生产方法
    一种低接触电阻TOPcon电池的生产方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511315762.5
    本申请提出了一种低接触电阻TOPcon电池的生产方法，涉及TOPcon电池技术领域。一种低接触电阻TOPcon电池的生产方法，包括以下步骤：硅片的检验及清洗；激光选择性制绒，在光吸收区域形成金字塔表面；采用PECVD在正面进行poly沉积，...
    2026-01-02
  • 一种背接触电池表面结构及其制备方法
    一种背接触电池表面结构及其制备方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511316324.0
    本发明公开了一种背接触电池表面结构及其制备方法，涉及电池制造技术领域，包括：预处理后进行粗抛、水洗和精抛，形成光滑大塔基；沉积隧穿氧化层和非晶硅，扩散引入硼元素，形成第一半导体掺杂区域和掩膜层BSG；掩膜层BSG激光雕刻图形，抛光图形形成基...
    2026-01-02
  • 一种日盲紫外探测器及其制备方法
    一种日盲紫外探测器及其制备方法_海南朗研光电有限公司_202511321195.4
    本发明涉及日盲紫外探测器技术领域，具体涉及一种日盲紫外探测器及其制备方法，使用超快激光辐照在半导体表面形成OVMH(oxygen vacancy‑hydroxy metal oxide molecular junction)分子结，所述OV...
    2026-01-02
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