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最新专利技术
  • 用于原子层刻蚀的快速气体输送系统和方法
    用于原子层刻蚀的快速气体输送系统和方法_启迪原子私人有限公司_202510771085.1
    本发明涉及一种用于原子层刻蚀的快速气体输送系统和方法。所述系统利用设置在气体分配单元附近的紧凑型气体缓冲器，能够使气体更快且更高效地输送至腔室。控制器管理气体缓冲器的气体流动，以使气体缓冲器内维持进行单次ALE循环所需的气体量。当一个气体缓...
    2026-02-08
  • 用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环
    用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环_朗姆研究公司_202511011910.4
    一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支...
    2026-02-08
  • 用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环
    用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环_朗姆研究公司_202511011965.5
    一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支...
    2026-02-08
  • 用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环
    用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环_朗姆研究公司_202511012012.0
    一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支...
    2026-02-08
  • 用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环
    用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环_朗姆研究公司_202511012061.4
    一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支...
    2026-02-08
  • 衬底处理设备
    衬底处理设备_ASMIP私人控股有限公司_202511189782.2
    一种能够局部地控制等离子体强度并改善薄膜特性和厚度均匀性的衬底处理设备包括：供电单元、电连接到供电单元的处理单元和处理单元下方的衬底支撑单元，其中衬底支撑单元包括第一接地电极和第二接地电极。
    2026-02-08
  • 含内置传输线的高效率X射线成像器及其制备方法
    含内置传输线的高效率X射线成像器及其制备方法_北方夜视科技(南京)研究院有限公司_202511197634.5
    本发明提供一种含内置传输线的高效率X射线成像器及其制备方法，通过在下方微通道板的输入面设置导电条带，上方微通道板的输入面和输出面均设置导电条带，上方微通道板的输出面与下方微通道板的输入面相对贴合设置，两面的每个导带条带单元形成一一对应关系，...
    2026-02-08
  • 一种超细颗粒物的筛选及传输装置、方法
    一种超细颗粒物的筛选及传输装置、方法_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511291324.X
    本发明提供一种超细颗粒物的筛选及传输装置、方法，包括：荷电筛分模块，用于对进入的气溶胶粒子进行目标粒径及荷电筛分；空气动力学透镜，用于对筛分后的带电粒子进行聚焦并形成粒子束；冷却聚束模块，包括射频多极杆，用于使带电粒子在传输过程中得到冷却并...
    2026-02-08
  • 一种离子传输装置
    一种离子传输装置_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511291320.1
    本发明公开了一种离子传输的装置，本发明差分射频多极的设计实现气压差分和离子传输的优化，实现低真空的充气射频多极与高真空的静电透镜组的衔接，差分射频多极的通透率较现有孔结构能够有效提高离子的传输效率，减少离子在传输过程中的损失；密封区实现气压...
    2026-02-08
  • 一种提高离子源束流强度的方法及其装置
    一种提高离子源束流强度的方法及其装置_中国科学院地质与地球物理研究所_202511316384.2
    本发明公开了一种提高离子源束流强度的方法及其装置，属于离子源技术领域，所述方法通过在离子源装置中加入氧气导入装置，从而增强离子源束流强度；通过氧气和加热结合的方式实现离子引出电极的原位自清理功能，所述方法和装置可以延长离子源的使用寿命，降低...
    2026-02-08
  • 稀土元素改性的高抗辐照高力学性能高减反射SiO2薄膜的制备方法
    稀土元素改性的高抗辐照高力学性能高减反射SiO2薄膜的制备方法_天津工业大学_202410728770.1
    本发明公开了一种稀土改性的高抗辐照、高力学性能、高减反射SiO2薄膜的制备方法。以聚乙二醇为致孔剂、硅酸四乙酯和甲基三乙氧基硅烷为前驱体、无水乙醇为溶剂、硝酸为催化剂，稀土元素为抗辐照剂。制备好的SiO2溶胶涂敷在玻璃上，溶胶经干燥成为凝胶...
    2026-02-08
  • 一种晶圆清洗方法及清洗装置
    一种晶圆清洗方法及清洗装置_嘉兴傲威半导体有限公司_202511165622.4
    本发明涉及半导体加工制造技术领域，更具体地说，它涉及一种晶圆清洗方法及清洗装置，包括S1、将待清洗的晶圆通过晶圆固定机构进行定位固定，确保晶圆在清洗过程中能够稳定旋转，S2、控制电动滑台，带动毛刷辊下移至晶圆上表面，S3、打开清洗液喷淋头，...
    2026-02-08
  • 3C-SiC晶圆及其制备方法与应用
    3C-SiC晶圆及其制备方法与应用_甬江实验室_202511279021.6
    本申请提供了一种3C‑SiC晶圆及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：对硅衬底依次进行刻蚀和碳化处理；在碳化处理后的硅衬底表面生长硅锗缓冲层，再依次生长3C‑SiC缓冲层和多晶3C‑SiC层，最后去除硅衬底和硅锗缓冲层，并进行后处理...
    2026-02-08
  • 一种改善APCVD膜背封硅片颗粒的清洗方法
    一种改善APCVD膜背封硅片颗粒的清洗方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511281403.2
    本发明公开了一种改善APCVD膜背封硅片颗粒的清洗方法，具体涉及硅片表面清洗技术领域，包括以下步骤：S1：对硅片进行预处理清洗，S2：对硅片进行清洗，S3：采用纯水对经S2清洗后的硅片进行中间清洗，S4：对经S3清洗后的硅片进行清洗，S5：...
    2026-02-08
  • 一种用于减少晶圆背封工艺中印记的方法
    一种用于减少晶圆背封工艺中印记的方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511281416.X
    本发明公开了一种用于减少晶圆背封工艺中印记的方法，涉及半导体制造技术领域，一种用于减少晶圆背封工艺中印记的方法基于对TMC设备中石英钉结构的改造实施，改造包括将TMC设备原有大面积平面接触面的石英钉，替换为接触端呈圆锥状的改进型石英钉；圆锥...
    2026-02-08
  • 一种p型透明功能氧化物薄膜在SiC衬底上高质量室温外延生长方法
    一种p型透明功能氧化物薄膜在SiC衬底上高质量室温外延生长方法_江苏大学_202511289818.4
    本发明提出一种p型透明功能氧化物薄膜在SiC衬底上高质量室温外延生长方法。提出在SiC衬底上实现NiO薄膜高质量室温外延生长的技术路径，提供一种可在室温条件下实现NiO在SiC衬底上高结晶质量、界面良好的异质外延生长方法，以填补该领域的技术...
    2026-02-08
  • 一种硅片的二氧化硅膜的去边工艺
    一种硅片的二氧化硅膜的去边工艺_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511312085.1
    本发明公开了一种硅片的二氧化硅膜的去边工艺，涉及CVD工段技术领域，包括以下步骤，步骤一：安置硅片；步骤二：硅片校准；步骤三：密封隔离；步骤四：通入HF气体；步骤五：排泄废气；步骤六：取下硅片，所述步骤三包括：采用特殊的加工设备，使得硅片安...
    2026-02-08
  • 一种去除碱洗后硅片片盒印的方法
    一种去除碱洗后硅片片盒印的方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511312086.6
    本发明公开了一种去除碱洗后硅片片盒印的方法，涉及半导体技术领域，一种去除碱洗后硅片片盒印的方法包括以下步骤：步骤一：硅片预处理；步骤二：优化碱洗净；步骤三：后处理与质量验证。本发明通过优化碱洗净环节，在碱洗净一槽中采用2％～5％浓度的TMA...
    2026-02-08
  • 半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法
    半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511648328.9
    本发明公开了一种半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法，属于半导体技术领域，该方法包括：提供一半导体器件，半导体器件包括硅衬底，硅衬底上层叠有多层半导体结构，在多层半导体结构中，表面层为二氧化硅材质，表面层的外表面存在需要清洗的残留物；采用等...
    2026-02-08
  • 晶圆上形成厚光刻胶层的制作方法
    晶圆上形成厚光刻胶层的制作方法_广东芯成汉奇半导体技术有限公司_202511206613.5
    本发明公开了一种晶圆上形成厚光刻胶层的制作方法，包括：步骤1，提供一个具有成膜槽的第一模具，所述成膜槽的一端具有开口并与所述晶圆上的待涂胶区域形状大小匹配；步骤2，在所述成膜槽的槽底和槽壁上喷涂光刻胶溶剂，以形成光刻胶溶剂层；步骤3，通过晶...
    2026-02-08
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