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最新专利技术
  • 一种基于液氮控温的半导体温控装置及其控制方法
    一种基于液氮控温的半导体温控装置及其控制方法_北京京仪自动化装备技术股份有限公司_202511291304.2
    本申请提供了一种基于液氮控温的半导体温控装置及其控制方法，涉及半导体温控技术领域，该温控装置主要由液氮储槽、液氮汽化器、气体换热器、液氮蒸发装置、气体收集器、超低温温控系统、液氮收集装置、自增压装置、单向阀、压力传感器、温度传感器组成，通过...
    2026-01-26
  • 视窗组件、监测装置及半导体工艺设备
    视窗组件、监测装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511299825.2
    本申请公开一种视窗组件、监测装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。视窗组件包括安装基座、保护窗和观察窗，安装基座设有透光通道，保护窗设置于透光通道内，透光通道的第一端用于与半导体工艺设备的工艺腔室设置的监测孔相对，观察窗与安装基座相连，...
    2026-01-26
  • 用于刻蚀机台的衬套、刻蚀机台及刻蚀排气方法
    用于刻蚀机台的衬套、刻蚀机台及刻蚀排气方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511331803.X
    本发明提供了用于刻蚀机台的衬套、刻蚀机台及刻蚀排气方法，涉及半导体制造技术领域。包括：衬套本体，用于设置在反应腔室内，所述衬套本体中心开设有过孔，用于静电卡盘的通过，所述衬套本体上开设有多个排气口，多个所述排气口环形阵列分层设置；多个排气管...
    2026-01-26
  • 拓宽非浓缩型空气动力学透镜粒径传输范围的质谱仪器
    拓宽非浓缩型空气动力学透镜粒径传输范围的质谱仪器_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511162642.6
    本发明公开了拓宽非浓缩型空气动力学透镜粒径传输范围的质谱仪器，本发明在临界孔前端加上一个预聚焦结构，通过预聚焦结构的作用，把大于100nm的颗粒更靠近轴线，使离开临界孔的束流宽度和发散角大幅减小，从而减小颗粒与传输系统内壁碰撞的可能性，进而...
    2026-01-26
  • 一种单颗粒质谱仪及其电离激光能量自动调节方法
    一种单颗粒质谱仪及其电离激光能量自动调节方法_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511147104.X
    本发明公开了一种单颗粒质谱仪及其电离激光能量的自动调节方法，本发明通过对测径激光散射光的测量，调整电离激光能量，以满足不同颗粒物的最佳激光电离能量。将信号分成两个信号，一路用于检测小粒径颗粒的弱信号，一路通过信号衰减用于检测大粒径颗粒的强信...
    2026-01-26
  • 一种自冷却的反光器和激光维持光源
    一种自冷却的反光器和激光维持光源_苏州矽行半导体技术有限公司_202511191597.7
    本发明提供了一种自冷却的反光器和激光维持光源，属于半导体设备用光源领域，反光器包括反光镜体、反光镜座、反光冷却组件、反光测温器；反光冷却组件连接至反光镜座并提供冷却；激光维持光源包括光源灯泡、引弧组件、激光供给模块、反光器、出光窗组、光陷阱...
    2026-01-26
  • 石墨烯扩散阻挡物
    石墨烯扩散阻挡物_应用材料公司_202511049659.0
    公开了一种石墨烯阻挡层。一些实施例涉及能够防止从填充层扩散到基板表面中和/或反之亦然的石墨烯阻挡层。一些实施例涉及防止氟从钨层扩散到下面的基板中的石墨烯阻挡层。附加实施例涉及包含石墨烯阻挡层的电子装置。
    2026-01-26
  • 显影后冲洗晶圆的方法
    显影后冲洗晶圆的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511140730.6
    本申请提供一种显影后冲洗晶圆的方法，包括：步骤一，对实施显影处理后的晶圆表面进行冲洗处理；步骤二，停止旋转晶圆，使去离子水充分覆盖晶圆表面；步骤三，将吸液装置的吸液口移动至晶圆中心后，使晶圆缓慢旋转的同时将吸液口沿晶圆中心线向晶圆边缘移动；...
    2026-01-26
  • 氮化铝外延层的处理方法
    氮化铝外延层的处理方法_中国科学院半导体研究所_202511278385.2
    本申请提供了一种氮化铝外延层的处理方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：在氮化铝外延层表面沉积保护层；对沉积有保护层的氮化铝外延层进行离子注入；去除保护层，对离子注入后的氮化铝外延层进行热退火处理，通过热退火处理在氮化铝外延层界面形成气泡结...
    2026-01-26
  • 基板处理方法和装置
    基板处理方法和装置_上海芯源微企业发展有限公司_202511412585.2
    本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种基板处理方法和装置，该方法包括将N片基板送入批量湿法处理模块，在批量湿法处理模块中对N片基板同步执行湿法处理；N为大于1的正整数；其中，对N片基板执行湿法处理后，基板的表面存在残留液体；将经过湿法处理的...
    2026-01-26
  • 晶圆键合方法及晶圆键合结构
    晶圆键合方法及晶圆键合结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511633045.7
    本发明提供晶圆键合方法及晶圆键合结构，在第一晶圆上形成第一键合层以及在第二晶圆上形成第二键合层，第一键合层和第二键合层内具有孔隙，在第一键合层内形成第一致密层并在第二键合层内形成第二致密层，对第一晶圆和第二晶圆进行热处理以使第一键合层和第二...
    2026-01-26
  • 一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用
    一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用_四川轻化工大学_202511249287.6
    本发明公开了一种基于皮秒激光‑离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用，属于半导体光电子材料技术领域；一种基于皮秒激光‑离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料的制备方法，包括以下步骤：采用真空沉积工艺在硅基底表面沉积S...
    2026-01-26
  • 一种半导体材料表面缺陷消除装置及系统
    一种半导体材料表面缺陷消除装置及系统_重庆联晶通半导体科技有限公司_202511295439.6
    本发明提供一种半导体材料表面缺陷消除装置及系统，属于半导体领域，用于解决现有技术中外延层的缺陷影响器件性能和成品良率的问题；通过在安装座上设置有激光器和反射机构，通过反射机构将激光器所发射的激光反射到表面缺陷检测件的正下方，以对半导体材料表...
    2026-01-26
  • 金属硅化物层及MOS器件的制备方法
    金属硅化物层及MOS器件的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708505.7
    本发明提供一种金属硅化物层及MOS器件的制备方法，在同时对PMOS器件及NMOS器件进行金属硅化物工艺时，先在PMOS器件所在区域进行氮离子的离子注入，以在PMOS器件所在区域的硅材料表面预设深度形成氮离子的掺杂层，然后对NMOS器件及PM...
    2026-01-26
  • 锗硅源漏上钴硅化物的制造方法
    锗硅源漏上钴硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708763.5
    本发明提供一种锗硅源漏上钴硅化物的制造方法，在第一退火工艺前，在钴金属层上沉积盖帽保护层和介质缓冲层，利用盖帽保护层来防止钴金属层流动，利用介质缓冲层来进行热量缓冲和阻挡使得第一退火工艺时的热量更均匀，避免因钴金属层流动以及受热不均而导致C...
    2026-01-26
  • 基片处理方法
    基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202511234239.X
    本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部内对...
    2026-01-26
  • 一种非光刻工艺制备导向自组装引导模板的方法及导向自组装图形化技术
    一种非光刻工艺制备导向自组装引导模板的方法及导向自组装图形化技术_广州光电存算芯片融合创新中心_202511237498.8
    本发明属于集成电路制造领域，具体公开一种非光刻工艺制备导向自组装引导模板的方法及导向自组装图形化技术。本发明的引导模板制备方法中，先在基底上制备由纳米颗粒构成凹凸微结构的第一模板层，再在第一模板层上沉积第二模板层，然后经过去除第一模板层并通...
    2026-01-26
  • 沟槽的刻蚀方法
    沟槽的刻蚀方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511188225.9
    本申请提供一种沟槽的刻蚀方法，采用分段式采用不同刻蚀工艺的方式刻蚀深沟槽，首先采用稳定溅射刻蚀工艺对外延层进行第一次刻蚀处理，以形成第一深度的沟槽，其中稳定溅射刻蚀工艺的稳定刻蚀参数保持不变，能够精确调整刻蚀深度，补偿后段渐进刻蚀深度量化不...
    2026-01-26
  • 改善轴芯刻蚀图形负载的方法
    改善轴芯刻蚀图形负载的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511232074.2
    本发明公开了一种改善轴芯刻蚀图形负载的方法，包括：步骤一、在底层材料层上提供第一轴芯材料层。步骤二、对第一轴芯材料层进行第一次图形化刻蚀形成第一轴芯图形和第一间隔区。步骤三、在第一轴芯图形的侧面形成第一侧墙。步骤四、形成第一SOC层。步骤五...
    2026-01-26
  • 等离子体刻蚀终点的检测方法
    等离子体刻蚀终点的检测方法_厦门东微电子装备有限公司_202511273607.1
    本申请提供了一种等离子体刻蚀终点的检测方法。该方法包括：在刻蚀过程中，实时采集反应产物的第一特征谱线和反应气体的第二特征谱线，其中，第一特征谱线为反应产物的发射光谱线，第二特征谱线为反应气体的发射光谱线；根据第一特征谱线与第二特征谱线之差建...
    2026-01-26
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