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最新专利技术
  • 一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门
    一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门_湘潭大学_202511527521.7
    本发明公开了一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门，包括衬底，所述衬底上左右两侧对称设置两个结构相同的器件，所述器件包括从上到下依次设置的顶电极、中间层和底电极，中间层采用铁电薄膜；外部偏置电压施加在两个器件的顶电极上，两个器件的...
    2025-11-29
  • 压电器件、装置及极化处理方法
    压电器件、装置及极化处理方法_斯坦雷电气株式会社_202510662973.X
    本发明提供压电器件、装置及极化处理方法，能够抑制在压电器件的极化时在压电体层产生温度不均。压电器件为依次层叠有第一电极层、压电体层和第二电极层的电容器构造的压电器件，该第一电极层具有两个第一电极端子，其中，所述第一电极层通过所述两个第一电极...
    2025-11-29
  • 压电材料、器件及制造所述器件的方法
    压电材料、器件及制造所述器件的方法_罗伯特·博世有限公司_202510672332.2
    本文公开了氮化铝(AlN)压电材料、压电器件以及制造所述器件的相关方法。这些压电材料包含一种增强材料压电性能的掺杂元素和一种增强压电材料机械性能的强化元素。将增强和强化元素并入AlN的二元合金中，形成四元AlN合金，从而减少压电张量分量(e...
    2025-11-29
  • 自旋轨道矩磁存储单元及其制备方法
    自旋轨道矩磁存储单元及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202410654873.8
    本发明提供一种自旋轨道矩磁存储器制备方法，所述方法包括：在具有底电极的衬底上由下向上依次形成磁隧道结叠层、自旋轨道矩层和缓冲层；对所述缓冲层、自旋轨道矩层和磁隧道结叠层进行刻蚀，使缓冲层、自旋轨道矩层和磁隧道结叠层形成目标形状，形成第一中间...
    2025-11-29
  • 磁性隧道结器件
    磁性隧道结器件_浙江驰拓科技有限公司_202410654874.2
    本发明提供一种磁性隧道结器件，包括：从下至上依次层叠设置的参考层、势垒层、自由层、PMA增强层和氧化物盖层，参考层具有垂直于平面的固定磁化，自由层具有垂直于平面且方向可变的磁化，参考层和自由层具有垂直磁各向异性PMA；PMA增强层与自由层接...
    2025-11-29
  • 具有功能芯片并且具有在物理上分开的感测芯片的封装
    具有功能芯片并且具有在物理上分开的感测芯片的封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202510610093.8
    本公开涉及具有功能芯片并且具有在物理上分开的感测芯片的封装。一种封装(100)包括：功能芯片(102)，用于提供涉及电流的电功能；和感测芯片(104)，用于提供表征所述电流的电感测信号，其中功能芯片(102)和感测芯片(104)是在物理上分...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410659414.9
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底中形成有第一金属层，所述基底和第一金属层表面形成有第一介质阻挡层；在所述第一介质阻挡层中形成暴露所述第一金属层的开口；在所述开口的底部和侧壁形成填充层；在所述开口内形成填满所述开口...
    2025-11-29
  • 自选择存储材料、存储器件、以及包括存储器件的电子设备
    自选择存储材料、存储器件、以及包括存储器件的电子设备_三星电子株式会社_202510661723.4
    提供自选择存储(SSM)材料、存储器件、以及包括存储器件的电子设备。所述SSM材料可具有双向阈值开关(OTS)特性，可配置为根据所施加的电压的极性和强度改变阈值电压，并且可包括Ge、Sb、和S。
    2025-11-29
  • 一种全光控人工突触器件及其制备方法
    一种全光控人工突触器件及其制备方法_东北师范大学_202511065283.2
    本发明公开了一种全光控人工突触器件及其制备方法，它包括：衬底、半导体功能层和惰性金属电极，半导体功能层设在衬底，惰性金属电极设在半导体功能层两端；所述的半导体功能层为过渡金属硫化物二维层状材料；过渡金属硫化物二维层状材料上，设有银纳米颗粒；...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备
    半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410642811.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决电容器尺寸缩小所造成的电容值降低的问题。所述半导体结构包括电容器。电容器包括第一电极、第二电极和电介质层。电介质层位于第一电极和第二电极之间；电介...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410642902.9
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一电极层、支撑部和第二电极层。支撑部位于第一电极层沿第一方向的第一侧。第二电极层包括第一部分和第二部分。第一部分位于支撑部沿第二方向的一侧。第二部分位于第一电极层沿第一方向...
    2025-11-29
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410659302.3
    本公开提供了半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：基底，基底中形成有若干电容接触结构；第一支撑层，设置在基底上；电容孔，贯穿第一支撑层，暴露出电容接触结构；其中，第一支撑层在远离基底的一侧具有沿第一方向延伸...
    2025-11-29
  • 赋予改善的ToBRFV抗性的遗传决定子
    赋予改善的ToBRFV抗性的遗传决定子_维尔莫林公司_202480028960.0
    赋予改善的ToBRFV抗性的遗传决定因子。本发明涉及一种对番茄褐色皱果病毒(ToBRFV)具有抗性的番茄植物，在所述番茄植物的基因组中包含以下组合：从多毛番茄基因渗入并且赋予对ToBRFV的抗性的、在8号染色体上的抗性数量性状基因座(QTL...
    2025-11-29
  • 农用组合物
    农用组合物_日本化药株式会社_202480028040.9
    本发明提供一种能进行农药成分的高浓度且少水量的均匀喷洒，得到稳定的防治效果的农用组合物。特别是，提供一种能降低农药在机械喷洒中的飘移、附着以及药剂浓度的不均、药剂的渗透性等影响的农用组合物，该农用组合物含有(a)聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯和...
    2025-11-29
  • 用于清洁和抑制毒力的组合物
    用于清洁和抑制毒力的组合物_舒万诺知识产权公司_202480028350.0
    提供了一种用于清洁和抑制微生物毒力的稳定组合物。该组合物包含(a)表面活性剂，该表面活性剂包含(i)包含脂肪酸部分的聚乙二醇化合物和(ii)含脂肪酸的化合物，和(b)含水载体。基于该组合物的总重量，该表面活性剂以介于0.01重量%与1重量%...
    2025-11-29
  • 用于形成蛋糕的覆盖层的设备和方法
    用于形成蛋糕的覆盖层的设备和方法_丹尼尔·戴维斯_202480024366.4
    一种用于形成用于蛋糕坯(60)的覆盖层(22')的设备包括：凹形模具(12)，其包括限定模制表面的内壁(26)；以及可扩张封闭物(18)，其可以定位在模具中。该可扩张封闭物(18)包括限定内部空腔的柔性的弹性可变形壁，并且多个离散体，例如球...
    2025-11-29
  • 一种用于挤花奶油的挤花装置
    一种用于挤花奶油的挤花装置_PJ品牌公司_202480027125.5
    提供了一种用于挤花奶油的挤花装置。该装置包括用于接收挤出奶油的工作台面，所述工作台面限定一平面，所述装置包括沿延伸于所述工作台面上方的机械臂设置的一个或多个挤花嘴，所述一个或多个挤花嘴朝向所述工作台面，所述机械臂安装在移动系统上，所述移动系...
    2025-11-29
  • 冷冻充气甜食
    冷冻充气甜食_梦龙知识产权控股有限公司_202480028058.9
    本发明涉及一种冷冻充气甜食，其包含1 wt%至15 wt%的量的脂肪组分，其中所述脂肪组分包含交酯化脂肪，并且0.1 wt%至5 wt%的所述脂肪组分包含具有59至63个总碳原子的甘油三酯并且包含具有20至24个碳原子的至少一种饱和脂肪酸；...
    2025-11-29
  • 从富含甘露聚糖的材料制备营养产品的方法
    从富含甘露聚糖的材料制备营养产品的方法_发酵专家公司_202480020283.8
    本发明涉及从富含甘露聚糖的材料提供具有改善的营养价值的产品的工艺，所述方法包括以下步骤：(i)提供富含甘露聚糖的材料；(ii)向富含甘露聚糖的材料中添加至少一种微生物，优选至少一种乳酸菌菌株，以提供接种的富含甘露聚糖的材料；以及(iii)允...
    2025-11-29
  • 包含植酸酶从而无需矿物质补充剂的动物饲粮
    包含植酸酶从而无需矿物质补充剂的动物饲粮_国际营养与健康丹麦有限公司_202480028172.1
    本文提供了含有植酸酶多肽或其片段的动物饲粮，其中该饲粮不含或基本上不含外源添加的微量矿物质。
    2025-11-29
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