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最新专利技术
  • 半导体结构的制造方法及其半导体结构
    半导体结构的制造方法及其半导体结构_南亚科技股份有限公司_202510754800.0
    本申请案公开一种半导体元件及半导体元件的制造方法。提供硅柱的平坦表面。在一基板之中形成至少一第一沟槽。沉积一导电材料， 以部分地填充该第一沟槽。在该第一沟槽中形成一绝缘片且延伸至该导电材料之中。在该第一沟槽中沉积一隔离材料， 以覆盖暴露在该...
    2025-11-20
  • 半导体装置和包括半导体装置的电子系统
    半导体装置和包括半导体装置的电子系统_三星电子株式会社_202411520559.7
    公开了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。半导体装置， 包括：栅极堆叠结构， 具有堆叠的层间绝缘层和栅电极；分离结构， 穿透栅极堆叠结构；分离图案， 分离栅极堆叠结构中的部分栅电极；沟道结构， 穿透栅极堆叠结构；沟道绝缘层， 在栅极堆叠结...
    2025-11-20
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510171213.9
    本发明公开了一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统， 该半导体器件可以包括：第一半导体结构， 包括第一衬底、在第一衬底上的第一电路元件、在第一电路元件上的第一电路互连线、以及第一外围区域绝缘层；第二半导体结构， 包括在第一半导体结构...
    2025-11-20
  • 三维NAND存储器及其制造方法
    三维NAND存储器及其制造方法_英特尔NDTM美国有限公司_202410450940.4
    本发明提供三维NAND存储器及其制造方法。三维NAND存储器包括：堆叠结构， 其包括交替堆叠地设置的存储器单元层和第1绝缘层， 堆叠结构还包括设置在最上层的存储器单元层之上的由多晶硅构成的漏极选择栅极层， 在堆叠结构中形成有在堆叠方向上通过...
    2025-11-20
  • 管理三维半导体器件
    管理三维半导体器件_长江存储科技有限责任公司_202410454270.3
    提供了用于管理三维(3D)半导体器件的系统、器件和方法。在一个方面， 一种半导体器件包括具有至少一条栅极线的堆叠结构、选择栅极层和至少一个沟道结构。所述至少一条栅极线包括第一材料。选择栅极层包括不同于第一材料的第二材料。所述至少一个沟道结构...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202410559015.5
    本发明提供了一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构的形成方法包含提供基板， 其具有多个有源区， 以及形成第一栅极层于基板的有源区上。方法更包含顺应地形成栅间介电层于基板及第一栅极层上， 栅间介电层形成第一开口于第一栅极层之间。方法更包含形...
    2025-11-20
  • 一种半导体装置及其制造方法
    一种半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410454233.2
    本文公开了一种半导体装置及其制造方法。本公开涉及用于管理合并在半导体装置中的沟道孔和栅极线的方法、装置、系统和技术。示例性半导体装置包括第一存储块、第二存储块以及位于第一存储块与第二存储块之间的至少第一栅极线结构。第一存储块和第二存储块中的...
    2025-11-20
  • 半导体器件及其形成方法、存储器
    半导体器件及其形成方法、存储器_长江存储科技有限责任公司_202410451687.4
    本公开提供了一种半导体器件及其形成方法、存储器， 半导体器件的形成方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括具有第一区域的半导体层以及位于第一区域上的第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成覆盖部分第一栅极绝缘层的第一柱状结构；第一柱状结构包括...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其制备方法、存储器系统
    半导体结构及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410446811.8
    本申请实施方式提供一种半导体结构及其制备方法、一种存储器系统， 其中半导体结构包括叠层结构、栅线隔离结构和接触结构。叠层结构包括形成有多个台阶的第一区， 台阶包括沿第一方向堆叠设置的第一介质层和第一栅极层。栅线隔离结构沿第一方向穿过叠层结构...
    2025-11-20
  • 半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法
    半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410446820.7
    本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法。该半导体结构包括：堆叠结构；栅线隔离结构， 贯穿堆叠结构， 并包括沿第一方向排布的第一隔离部分和第二隔离部分， 第一隔离部分和第二隔离部分均沿第一方向延伸；以及绝缘结构，...
    2025-11-20
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411824164.6
    一种半导体器件包括：第一基板；多个栅电极， 在垂直方向上堆叠在第一基板的上表面上， 所述多个栅电极在垂直方向上彼此间隔开；沟道结构， 穿过所述多个栅电极；第二基板， 设置在第一基板与所述多个栅电极中的最下面的栅电极之间， 第二基板包括第一表...
    2025-11-20
  • 半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法
    半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410451506.8
    本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法。该半导体结构包括：堆叠结构， 包括交替叠置的第一介电层和栅极层；栅线隔离结构， 贯穿堆叠结构， 并包括沿第一方向排布的第一隔离部分和第二隔离部分， 第一隔离部分和第二隔离...
    2025-11-20
  • SONOS存储器元件及其制造方法
    SONOS存储器元件及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410503874.2
    本发明公开一种SONOS存储器元件及其制造方法， 其中该SONOS存储器元件包括基底、形成于基底内的源极线、形成于基底上的半导体外延层、元件隔离结构、沟槽、栅极、氧化层‑氮化层‑氧化层(ONO)堆叠层、漏极区以及位线。多个元件隔离结构形成于...
    2025-11-20
  • 背面耦合铁电电容器的存储单元及其制备方法
    背面耦合铁电电容器的存储单元及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202510560294.1
    本公开提出了一种背面耦合铁电电容器的存储单元， 包括：衬底、垂直纳米线晶体管和铁电电容器。其中， 垂直纳米线晶体管的漏极和纳米线沟道形成于衬底的第一侧， 环绕纳米线沟道形成具有环栅结构的栅极， 垂直纳米线晶体管的源极从纳米线沟道延伸到衬底的...
    2025-11-20
  • 磁存储单元制备方法
    磁存储单元制备方法_中电海康集团有限公司_202410388275.0
    本发明提供一种磁存储单元制备方法， 所述方法包括：提供一衬底， 所述衬底具有底电极；在所述衬底上形成自旋轨道矩提供层、磁隧道结叠层以及第一掩膜层；对所述第一掩膜层进行图案化， 并依据图案化后的第一掩膜层对磁隧道结叠层和自旋轨道矩提供层进行图...
    2025-11-20
  • 用于在线学习类脑芯片的磁随机存储器
    用于在线学习类脑芯片的磁随机存储器_北京航空航天大学_202510705468.9
    本申请提供一种用于在线学习类脑芯片的磁随机存储器， 所述装置包含第一MTJ、第二MTJ、顶电极、底电极、第一重金属层和第二重金属层；所述第一MTJ和所述第二MTJ设置于所述顶电极和所述底电极之间， 所述第一重金属层和所述第二重金属层分别沿着...
    2025-11-20
  • 半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
    半导体器件以及用于制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510381602.4
    提供一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底， 其包括单元区域、设置成在第一方向上与单元区域相邻的第一外围电路区域以及设置成在与第一方向相交的第二方向上与单元区域相邻的第二外围电路区域；第一下导线， 其设置在衬底之上...
    2025-11-20
  • 非易失性两端存储单元及其相关产品
    非易失性两端存储单元及其相关产品_昕原半导体(上海)有限公司_202510866688.X
    本申请公开了一种非易失性两端存储单元及其相关产品。该非易失性两端存储单元包括：N个转换层， 其中， N为大于2的正整数；N+1个电极层， 电极层与转换层交替堆叠；以及选择性导通装置， 具有与电极层一一对应的电压输出端口， 电压输出端口连接至...
    2025-11-20
  • 存储器结构
    存储器结构_浙江驰拓科技有限公司_202410443447.X
    本发明提供了一种存储器结构。该存储器结构包括：电连接的磁性隧道结和金属线， 电连接为串联连接或并联连接， 且在存储器结构为写入状态的情况下， 磁性隧道结具有击穿电压， 金属线具有熔断电压， 击穿电压和熔断电压的电压值不同。通过本申请， 解决...
    2025-11-20
  • 基于TGV的多层玻璃基磁芯螺旋电感器设计和制造方法
    基于TGV的多层玻璃基磁芯螺旋电感器设计和制造方法_北京理工大学_202510678641.0
    基于TGV的多层玻璃基磁芯螺旋电感器设计和制造方法， 属于微电子集成系统三维电感领域。基于TGV的多层玻璃基磁芯螺旋电感器包括第一TGV结构、第二TGV结构、第一衬底层、第二衬底层、第一导体结构、第二导体结构、第一磁芯结构和第二磁芯结构。若...
    2025-11-20
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