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  • 本发明公开了一种半导体激光器的老化筛选测试系统及测试方法, 测试系统包括单片机、恒流源驱动单元、TEC温度控制单元、高低温环境箱、数据采集单元、工控机和显示单元;待测激光器安装于所述高低温环境箱内;所述单片机通过恒流源驱动单元和TEC温度控...
  • 本发明公开了一种氮化镓功率器件阈值电压监测电路, 包括恒流源输出模块和电压采样模块, 恒流源输出模块的输入端与供电电源连接, 其输出端分别与氮化镓功率器件的栅极和漏极连接, 电压采样模块分别与氮化镓功率器件的栅极和源极连接, 氮化镓功率器件...
  • 本发明涉及半导体器件可靠性测试技术领域, 具体为一种表面安装功率MOSFET老炼装置及方法, 包括:安装基板, 安装基板前板面上设有用以放置表面安装功率MOSFET的容槽, 容槽槽底的上部设有贯穿安装基板的穿槽;安装基板后端固定设有散热铜板...
  • 本发明提供了一种基于双极型线圈的压接型IGBT器件的电流测量方法及装置, 涉及电气工程技术领域, 该方法包括:在待测压接型IGBT器件的外侧套设滑轨, 其中, 滑轨包括滑道和嵌装在滑道上的至少两个滑动装置;将双极型线圈组固定设置在至少两个滑...
  • 本发明提供了一种压接型IGBT器件的电流分布状态测量方法及装置, 涉及电气工程技术领域, 该方法包括:在待测压接型IGBT器件的外侧套设旋转环;将双极型线圈组固定设置在旋转环上, 双极型线圈组的两个双极型线圈相对设置;将旋转环与传送带的一侧...
  • 本发明涉及一种倒装型LED芯片电致发光性能无损伤检测装置及方法, 属于LED检测技术领域。所述包括外部控制电源、带有电极阵列和沟道结构的测试板、软性导电介质材料、采集待测LED芯片光电参数的探测系统;LED芯片的电极通过软性导电介质材料与测...
  • 本发明公开了一种半导体实验室样品测试管控系统及方法, 涉及半导体技术领域, 本发明包括:设备管理模块、样品管理模块、测试管理模块和测试分析模块。分析半导体在实验室样品测试过程中的各样品的运行符合指数, 判断样品是否存在异常状态, 若五异常状...
  • 本申请涉及一种晶圆测试设备, 包括:电测试组件, 其设置在安装架上, 包括伸缩件, 所述伸缩件的固定端设有探针盘, 所述探针盘上设有多个与待测晶圆芯片的电极焊盘一一对应的探针, 所述探针盘上且位于探针之间设有多个通孔, 所述伸缩件的伸缩端设...
  • 本发明公开了一种基于组合观测器的并网逆变器IGBT故障诊断方法及系统, 旨在提高逆变器系统对开关器件故障的诊断鲁棒性和精度, 首先建立光伏并网逆变器的状态空间模型, 考虑逆变器电感电流、滤波电容电压、电网电感电流以及包括IGBT故障效应的总...
  • 本发明公开一种PCS功率器件健康状态无创监测方法, 包括:建立包含功率器件导通损耗与开关损耗的动态损耗模型;建立按功率器件数量与位置分布的多维老化分类框架;采用双路径验证机制分析老化对损耗特性的影响:通过实测数据校准将动态损耗模型的计算结果...
  • 本发明涉及功率循环试验技术领域, 具体为一种功率循环试验中自动穿插静态特性测试的试验方法, 包括以下步骤:步骤一:对被测样品进行功率循环测试, 判断老化程度;并统计功率循环测试的循环数;步骤二, 判断功率循环测试的循环数是否达到预设值N, ...
  • 本申请提供一种晶圆超声检测方法及设备, 其中, 晶圆超声检测方法包括:沿二维螺旋路径对整个晶圆进行全局超声扫描, 获得若干初测回波信号构成全局回波信号组, 记录初测回波信号的位置坐标;基于全局回波信号组确定嫌疑气泡区域;嫌疑气泡区域至少存在...
  • 本发明提供一种基于电路参数监控的自值守辅助系统和方法, 涉及甚低频波动探测和应用技术领域。该系统包括至少三个单片机监控模块, 每个单片机监控模块包括参数采集接口、控制输出接口、显示接口和通信接口;参数采集接口连接至所监控的目标设备, 用于采...
  • 本发明公开了一种电路输出信号同步性测试方法及相关设备, 其中, 自动测试设备包括数据处理单元和时间测量单元, 时间测量单元包括计数器, 待测器件上的待测管脚通过总线与数据处理单元进行信号传输, 先根据待测器件的时钟信号的时钟周期确定时间测量...
  • 本发明公开了一种探针卡与晶圆引脚接触高度自动检测系统及方法。系统包括测试机、探针台和探针卡, 测试机控制探针台驱动件带动承接盘沿Z轴移动。检测方法为:先以较大步长B1上升承接盘, 每步进行接触检测;上升至高度H后切换为较小步长B2继续检测。...
  • 本发明公开了一种故障定位系统、方法、电子设备及空调器, 其中, 故障定位系统应用于电子设备, 电子设备包括多个电路板, 故障定位系统包括:可控开关, 可控开关设置在多个电路板中的首个电路板上, 可控开关的一端适于输入预设电信号;检测线, 检...
  • 本申请提供一种半导体测试结构及测试方法, 半导体测试结构包括:器件区, 器件区包括呈m*n阵列布置的多个测试器件;测试器件包括并列设置的第一晶体管和第二晶体管, 第一晶体管和第二晶体管分别包括源区、漏区、栅极及基体, 第一晶体管的源区和第二...
  • 本申请提供一种片上EOS事件监测装置及系统, 涉及IC芯片技术领域。本申请通过将目标芯片在待监测电压域下的多个芯片PAD经多个源跟随器和分压电路与EOS事件识别单元的第一识别输入端连接, 由EOS事件识别单元基于第一识别输入端处的实际输入电...
  • 本公开实施例提供一种过流保护测试电路、方法, 测试电路包括:驱动模块、测试模块、基准模块和比较模块, 测试模块还包括:在功率单元和采样单元之间连接的开关单元, 在测试模式下, 开关单元控制功率单元断开, 采样单元工作, 通过比较模块得出测试...
  • 本发明涉及电子测控技术领域, 并公开了一种磁悬浮无接触式集成电路IC探针测试平台装置, 包括基座;所述基座的内部设有可用于放置芯片的载物台, 所述基座顶端固定连接有探针检测单元, 其中, 所述载物台包括安装座, 所述安装座通过开设在其外表面...
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