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最新专利技术
  • 散热型半导体封装结构及其制备方法
    散热型半导体封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311862357.6
    本发明提供一种散热型半导体封装结构及其制备方法，在制备第三重新布线层的同时在第一芯片的背面形成具有良好导热性的虚拟金属布线以构成与第一芯片接触的导热轨，且在第三重新布线层上键合与第三重新布线层电连接的P型半导体元件、N型半导体元件及金属散热...
    2025-08-14
  • 一种锗硅刻蚀液的应用
    一种锗硅刻蚀液的应用_上海新阳半导体材料股份有限公司_202311854475.2
    本发明公开了一种锗硅刻蚀液的应用。所述的锗硅刻蚀液应用为在选择性刻蚀GAA MOSFET结构中牺牲层中的应用，所述的锗硅刻蚀液其包含下述质量分数的组分：0.1％‑5％的氟化物、5％‑25％的氧化剂、0.5％‑2％抑制剂和水。本发明的锗硅刻蚀...
    2025-08-14
  • SAB光罩及改善金属栅极器件的颗粒缺陷的方法
    SAB光罩及改善金属栅极器件的颗粒缺陷的方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311855758.9
    本发明提供了一种SAB光罩及改善金属栅极器件的颗粒缺陷的方法，所述方法包括：提供衬底，其上覆盖有伪多晶硅材料层；对伪多晶硅材料层执行光刻工艺及刻蚀工艺以形成伪多晶硅栅，并在衬底的划片道上形成伪多晶硅栅的套刻标记；形成SAB层覆盖衬底的部分区...
    2025-08-14
  • 一种激光退火方法及光刻方法
    一种激光退火方法及光刻方法_上海微电子装备(集团)股份有限公司_202311864031.7
    本发明提供了一种激光退火方法。具体的，可将相邻第一轨迹(相邻扫描轨迹)之间的第二轨迹(步进轨迹)优化为至少一曲线轨迹，并让该第二轨迹与其相邻的所述第一轨迹均相切，从而通过将相邻扫描轨迹的步进轨迹优化为与其均相切的弧线轨迹的方式，可以保持步进...
    2025-08-14
  • 一种聚焦离子束挡板机构及刻蚀设备
    一种聚焦离子束挡板机构及刻蚀设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311851004.6
    本发明公开了一种聚焦离子束挡板机构及刻蚀设备，聚焦离子束挡板机构包括：连接支架，连接支架安装在刻蚀设备的反应腔内；安装在连接支架上的挡板，挡板设置在刻蚀设备的工件载台及聚焦离子源之间，且挡板上开设有允许聚焦离子源发出的聚焦离子束穿过的孔洞；...
    2025-08-14
  • 四维电子显微镜
    四维电子显微镜_北京大学_202311869420.9
    本申请涉及一种四维电子显微镜，包括光源组件、电子源、电子光学组件和探测器，光源组件用于发射脉冲激光。电子源包括与光源组件耦接的激发光纤，以及电子发射层，电子发射层至少包括电子激发层，电子激发层设置于激发光纤出射脉冲激光的出光路径上，以使电子...
    2025-08-14
  • 电子源、电子枪以及电子源的应用
    电子源、电子枪以及电子源的应用_北京大学_202311865833.X
    本申请涉及一种电子源、电子枪以及电子源的应用，该电子源包括光纤、导电连接层和电子发射层，导电连接层设置于光纤的外表面；电子发射层至少包括与导电连接层电连接的电子激发层，电子发射层设置于光纤的激光出射路径上，且光纤出射的激光能够直接照射在电子...
    2025-08-14
  • X射线管
    X射线管_北京大学_202311865921.X
    本申请涉及一种X射线管。一种X射线管包括管体、电子源和阳极靶。管体内具有真空腔室，电子源包括光纤和电子发射层，光纤的出光端位于真空腔室内，电子发射层设置于光纤的出光端，且电子发射层至少包括电子激发层，电子激发层设置于光纤出射激光的出光路径上...
    2025-08-14
  • 磁控管
    磁控管_深圳国际量子研究院_202311872399.8
    本申请涉及一种包括管体、电子源、磁极组和阳极组件的磁控管，管体内具有真空腔室，电子源包括光纤和电子发射层，电子发射层至少包括电子激发层，电子激发层设置于光纤出射激光的出光路径上，使电子激发层能够在激光的激发下出射电子束；电子激发层包括零维材...
    2025-08-14
  • 电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用
    电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用_深圳国际量子研究院_202311872428.0
    本申请涉及一种电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用。电子源包括光纤和电子发射层。光纤包括用于传输激光的纤芯和包裹于纤芯的包裹层；光纤的出光端沿光纤的径向构造有漏光缺口；电子发射层设于漏光缺口的底壁面上，且电子发射层至少包括电子激发...
    2025-08-14
  • 电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用
    电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用_深圳国际量子研究院_202311871671.0
    本申请涉及一种电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用。电子源包括光纤和电子发射层，光纤包括用于传输激光的纤芯和包裹于纤芯的包裹层，光纤的出光端的端面与纤芯的延伸方向呈角度设置。电子发射层设于光纤的出光端的端面上，且电子发射层至少包括...
    2025-08-14
  • 电子源、电子枪和电子源的应用
    电子源、电子枪和电子源的应用_深圳国际量子研究院_202311869499.5
    本申请提供一种电子源及其制备方法和应用，电子源包括光纤、导电连接层、电子发射层和散热层，导电连接层设置于光纤的外表面；电子发射层至少包括与导电连接层电连接的电子激发层，电子激发层的材料包括零维材料、一维材料和二维材料中的至少一种；电子发射层...
    2025-08-14
  • 电子源、电子枪以及电子源的应用
    电子源、电子枪以及电子源的应用_北京大学_202311869450.X
    本申请提供一种电子源，包括光纤、导电连接层和电子激发层，所述导电连接层设置于所述光纤的外表面，所述电子激发层设置于所述光纤的激光出光路径上，并与所述导电连接层电连接，所述电子发射层包括电子激发层，所述电子激发层包含零维材料，所述光纤出射的激...
    2025-08-14
  • 电子源、电子枪以及电子源的应用
    电子源、电子枪以及电子源的应用_北京大学_202311869447.8
    本申请提供一种电子源，包括光纤、导电连接层和电子激发层，所述导电连接层设置于所述光纤的外表面，所述电子激发层设置于所述光纤的激光出光路径上，并与所述导电连接层电连接，所述电子发射层包括电子激发层，所述电子激发层包含一维材料和零维材料，所述光...
    2025-08-14
  • 电子源及其制备方法和应用
    电子源及其制备方法和应用_北京大学_202311869441.0
    本申请提供一种电子源及其制备方法和应用，电子源包括光纤、导电连接层和电子发射层；电子发射层包括与导电连接层电连接的电子激发层，电子激发层包括三维纳米材料，电子激发层设置于光纤的激光出射路径上，且光纤出射的激光能够直接照射在电子发射层上，以使...
    2025-08-14
  • 电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用
    电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用_深圳国际量子研究院_202311868526.7
    本申请涉及一种电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用。电子源包括带孔光纤和电子发射层，带孔光纤具有导光孔。电子发射层设于带孔光纤的出光端的端面，且至少包括电子激发层，电子激发层覆盖导光孔位于出光端的端面的一端。其中，电子激发层包括零...
    2025-08-14
  • 电子源及其制备方法和应用
    电子源及其制备方法和应用_北京大学_202311866311.1
    本申请提供一种电子源及其制备方法和应用，电子源包括光纤、导电连接层和电子发射层，导电连接层设置于光纤的外表面，电子发射层包括与导电连接层电连接的电子激发层，电子激发层包括至少一层二维材料，电子激发层设置于光纤的激光出射路径上，且光纤出射的激...
    2025-08-14
  • 电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用
    电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用_北京大学_202311866304.1
    本申请涉及一种电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用。一种电子源包括光纤和电子发射层，光纤的出光端设有尖端部，电子发射层至少包括电子激发层，电子激发层覆盖光纤的尖端部的表面。电子激发层包括零维材料、一维材料和二维材料中的至少一种。本...
    2025-08-14
  • 电子源、电子枪以及电子源的应用
    电子源、电子枪以及电子源的应用_北京大学_202311866288.6
    本申请提供一种电子源、电子枪以及电子源的应用，电子源包括光纤、导电连接层和电子发射层，导电连接层设置于光纤的外表面，电子发射层包括与导电连接层电连接的电子激发层，电子激发层包括零维材料、一维材料和二维材料中的至少一种，电子激发层设置于光纤的...
    2025-08-14
  • 电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用
    电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用_北京大学_202311866269.3
    本申请涉及一种电子源、电子源的制备方法、电子枪和电子源的应用。电子源包括带孔光纤和电子发射层，带孔光纤具有导光孔。电子发射层至少包括电子激发层，电子激发层至少设于导光孔的侧壁上，且沿导光孔的延伸方向延伸设置。其中，电子激发层包括零维材料、一...
    2025-08-14
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