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  • 本申请提供了电子设备,该电子设备包括:显示层;盖层,设置在显示层下方;电路板,连接到显示层并设置在盖层的下方;以及电容器,设置在电路板上,其中,当在平面上观察时,盖层包括与电容器重叠的第一区域和与第一区域相邻的第二区域,以及其中在第一区域中...
  • 本公开涉及低功率/小面积电流模式像素读出电路。更具体而言,一种成像设备包括像素电路和读出电路。该像素电路被配置为:(i)在复位时将光电检测器的复位电荷转移到存储节点,(ii)根据复位电荷产生复位输出电压,(iii)响应于入射光而在光电检测器...
  • 一种驱动电路使用双电平触发方案。所述驱动电路包括其中被配置为接收起始信号的晶体管是P沟道晶体管的P级和其中被配置为接收起始信号的晶体管是N沟道晶体管的N级,其中,所述P级和所述N级中的每一级包括:第一晶体管、第二晶体管、反相器、下拉晶体管以...
  • 本发明涉及地下矿山机械化开采技术领域,公开了一种缓倾斜薄矿体预留空间条带式中深孔充填高效采矿法,首先将待采矿块划分为若干盘区,将每个盘区分别划分为若干条带式的采场,然后在盘区的内施工中段运输巷道、采场联络巷以及通风平巷,靠近中段运输巷道的采...
  • 本发明的一个方面涉及一种用于生产复合时计部件(1000)的方法,其中,在第一步骤中,提供基底(50)和第一材料(1);在第二步骤中,将所述基座(50)定位在增材制造装置上;在第三步骤中,通过在基底(50)的一侧上进行增材制造来生长由第一材料...
  • 本公开涉及包括具有载流子隧穿层的存储单元的半导体器件。一种半导体器件包括:下互连线;下互连线之上的存储单元结构;以及存储单元结构之上的上互连线。存储单元结构包括:第一电极;第一电极之上的选择元件层;选择元件层之上的第一载流子隧穿层;第一载流...
  • 本申请公开了一种具有半导体封装的功率模块,其中所有互连均由直接铜(direct Copper)形成。因此,所述功率模块适合用作高效率的功率模块。此外,直接铜互连还增强了半导体封装的散热,使功率模块的操作更加可靠,特别是在高温下。所述功率模块...
  • 车身的后部结构的一实施方式包括:横向延伸构件,连接到彼此连接的后横梁构件和背面板的两侧;后立柱内下部构件,在横向延伸构件和后横梁构件的两侧连接到沿车身的向外方向延伸的横梁延伸部;轮罩内部延伸构件,连接到侧围总成和后立柱内下部构件;以及整体式...
  • 显示装置包括:像素电极,设置在衬底上;像素限定层,设置在衬底上并且设置有暴露像素电极的开口;发光层,设置在像素电极上;公共电极,设置在发光层上并且包括第一层;第一堤,设置在像素限定层上;以及第二堤,设置在第一堤上,其中,第二堤的侧表面比第一...
  • 本公开涉及一种半导体器件及其操作方法。半导体器件包括:多个第一导电线,该多个第一导电线沿第一方向延伸;多个第二导电线,该多个第二导电线被设置为在第三方向上与第一导电线间隔开,并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸;多个存储单元,该多个存储单元...
  • 控制装置具备DCM和处理器。DCM将电池组ID发送给电池信息服务器,从电池信息服务器接收适配于与电池组ID对应的电池组的充放电参数。处理器使用接收到的充放电参数,控制电池组的充放电。
  • 本发明公开了一种青少年展示内容年龄适配性的展示方法,属于年龄适配性展示领域,包括以下步骤:S1.获取用户的年龄信息;对平台上的内容打等级,标记的标签,并细分出年龄层级;S2.构建内容过滤模型,使用自然语言处理、图像识别和视频分析技术对内容进...
  • 提供了支持多通道接口的存储器系统。所述存储器系统包括:主机;以及存储器装置,被配置为通过多个通道将数据发送到主机和从主机接收数据。主机可包括:纠错码(ECC)引擎,被配置为生成与待发送到存储器装置的写入数据对应的ECC奇偶校验信息;数据总线...
  • 本发明涉及用于制冷剂回路的阀单元,其中,阀单元(VE)包括至少一个阀块(VB)和紧固区域(B),其中,至少一个阀块(VB)包括至少一个阀容纳区域(VA)和至少一个开口(Ö),其中,至少一个阀容纳区域(VA)被构造成用于容纳至少一个阀(V),...
  • 本发明涉及一种用于机动车灯的盖盘(1),其中盖盘(1)具有内面(2)、与内面(2)相对置的外面(3)、透明主体(4)、不透明主体(5)和覆层(6),其中覆层(6)具有PU聚氨酯,其中透明主体(4)、不透明主体(5)以及覆层(6)如此一件式连...
  • 本发明公开了一种主被动复合的激光加工背壁防护方法及系统。所述主被动复合的激光加工背壁防护方法包括:实时采集激光加工过程中的特征信号,所述特征信号包括:激光加工过程中加工对象上表面加工位置的声压信号、光强信号和振动信号;基于所述特征信号生成时...
  • 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括:在单元晶圆上形成存储器堆叠件,单元晶圆具有第一晶体取向并且包括硅单晶晶圆和第一切口;在外围电路晶圆上形成外围电路堆叠件,外围电路晶圆包括硅单晶晶圆并且具有不同于第一晶体取向的第二晶体取向;以及将...
  • 本申请涉及一种用于频率合成的变压器耦合输入缓冲器。一种频率合成电路包含经耦合以接收处于输入频率的第一输入信号的第一电感器(356),以及经耦合以接收处于所述输入频率并且相对于所述第一输入信号异相的第二输入信号的第二电感器(366)。所述电路...
  • 放大电路具备:第一分配器,将输入信号分配成第一信号和第二信号;控制放大器,将第一信号放大,将放大后的信号作为第三信号输出;第二分配器,将第二信号分配成工作频带的中心频率下的相位不同的第四信号和第五信号;第一辅助放大器,将第四信号放大,将放大...
  • 本申请涉及衬底处理设备和衬底处理方法。衬底处理设备包括:腔室,具有空间,在所述空间从处理气体混合物产生等离子体,并且利用所产生的等离子体来处理衬底;气体供应器,用于将所述处理气体混合物通过连接到设置在所述腔室中的气体入口的气体输送线供应到所...
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