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  • 本发明公开了一种高熵合金涂层及其处理设备,涉及金属处理技术领域,整闭双联箱内侧设置有异撑往定架,定升修配架一端通过电机座安装有伺服电机,伺服电机输出轴卡接有伺定丝杆,伺定丝杆侧端通过丝杆座安装有伺定往撑架,伺定往撑架底端对称卡接有移对电滑轨...
  • 本发明涉及激光熔覆成形技术领域,具体为一种激光熔覆尖角立体成形装备及其应用方法,其装备包括喷头机构;喷嘴模块,喷嘴模块固定连接于喷头机构的底部,并开设有呈三角形结构的喷嘴口;光斑转换器模块,光斑转换器模块安装于喷头机构上,并由一个分光镜、多...
  • 本发明属于激光熔覆技术领域,涉及一种表面激光熔覆巴氏合金的球墨铸铁十字头及其制备方法。本发明通过在所述十字头本体的待熔覆区域去除设定厚度的基材,为后续熔覆成分梯度过渡区和巴氏合金熔覆层提供了合适的空间。采用巴氏合金粉末在所述待熔覆区域上熔覆...
  • 本发明提供一种超声辅助激光熔覆控制方法和系统,涉及激光熔覆技术领域,所述方法包括:根据本发明,设置熔覆系统的初始工作参数,并按照初始工作参数进行熔覆;通过设置在激光熔覆头上的图像采集设备,获取熔池图像;获取光斑位置;根据熔池图像,确定实时熔...
  • 本发明公开了一种精密激光熔覆镍基合金涂层厚度控制系统,所属领域为涂层厚度控制领域,包括:粉末特性监测模块实时检测镍基合金粉末参数并输出标准化数据;多模态时空监测模块采集熔覆区多类特征,输出结构化信息;多模态厚度软测模块融合特征算出推断厚度;...
  • 本发明涉及轧机设备修复技术领域,并提供一种轧机缸块修复方法,包括以下步骤:系统化分解,将待修复轧机缸块拆解为独立的本体、横移部件以及弯辊部件;数字化检测与方案生成,对拆解后的部件进行三维扫描与关键尺寸测量,将测量数据与原始设计模型进行对比,...
  • 本申请涉及金属表面处理技术领域,具体而言,涉及一种镁合金零件化学氧化前处理的工艺方法及装置。该方法包括:将镁合金零件使用钓鱼线进行绑挂;将绑挂后的所述镁合金零件置于盛有金属清洗剂溶液的超声波清洗槽中进行超声波清洗,清洗后得到除油零件;将所述...
  • 本发明公开了一种在铝合金表面获得耐腐蚀薄膜的方法,属于铝合金表面化学处理技术领域。一种在铝合金表面获得耐腐蚀薄膜的方法,包括如下步骤:S1. 配置Li2CO3水溶液,调节pH为10.5~11.5,将铝合金置于Li2CO3水溶液中浸泡;S2....
  • 本发明公开了一种复合型铝合金无铬钝化剂及其制备方法,属于金属表面处理化学品技术领域,一种复合型铝合金无铬钝化剂及其制备方法,复合型铝合金无铬钝化剂的原料及其重量份如下:硅烷偶联剂1.0%~8.0%;金属盐0.5%~5.0%;有机酸0.1%~...
  • 本发明属于铝合金涂层技术领域,具体涉及一种铝合金转化膜涂层及其制备方法、铝合金及其制备方法和应用。其中,铝合金转化膜涂层包括如下重量份数的制备原料:100份植酸水溶液、5份~10份双‑[γ‑(三乙氧基硅)丙基]‑四硫化物、3份~7份3‑缩水...
  • 本发明公开了一种可用于除重锈的铁锈转化剂,包括以下重量百分比的原料:主转化剂6‑14%、辅助转化剂3‑6%、增强剂0.5‑1.5%、增稠剂2‑4%、分散剂1‑2%、缓蚀剂0.8‑1.5%、稀土钝化剂0.3‑0.7%、助剂1‑3%,余量为水;...
  • 本发明涉及电池领域,具体涉及一种锂离子电池正极钝化保护层的快速制备方法及其应用。锂离子电池正极钝化保护层的快速制备方法,包括以下步骤:S1、将酸性金属螯合剂和碱配制成混合溶液;S2、将新鲜铝箔浸泡在混合溶液中,腐蚀铝箔表面并形成致密保护层;...
  • 本发明涉及一种用于基板在工艺流体中的化学和/或电解表面处理的分配系统、装置以及分配方法。该分配系统包括:分配体,至少一个工艺流体入口,以及通道,其中,该分配体被配置成将工艺流体的流和/或电流引导至基板,其中,通道至少部分地围绕分配体的周围,...
  • 本发明提供了一种基于气帘隔离的卷对卷常压复合工艺系统,包括:卷对卷传输主通道,用于输送待制备的基底,内部为常压惰性气体环境;至少一个气相工艺模块,用于对所述基底进行气相沉积,所述基底在进行气相沉积反应时,所述基底的两侧具有第一气帘;至少一个...
  • 本发明公开了一种具有高厚度、低表面粗糙度和低厚度非均匀性的氧化硅薄膜的制备方法,预处理晶圆,并将晶圆放入工艺腔;逐步预加载氮气至工艺腔内部;将晶圆的温度升高至250‑300℃,同时调整腔压至3000‑3200mTorr;调整晶圆托盘的高度至...
  • 本发明提供了一种直立石墨烯异质结、制备方法、应用和日盲紫外光电探测器,包括β‑Ga2O3膜以及通过等离子体增强化学气相沉积法生长在所述β‑Ga2O3膜上的直立石墨烯。本发明以克服现有技术偏见的方式,通过增加β‑Ga2O3膜内部氧空位的方式进...
  • 本申请涉及半导体层生长工艺技术领域,尤其涉及一种支撑结构、半导体工艺腔体和半导体工艺设备,支撑结构包括:承载件,承载件上设有两个支臂,两个支臂在同一平面内延伸,且两个支臂相靠近的端部分别与承载件连接,以组合形成弧形状,两个支臂相背离的端部分...
  • 本发明涉及原子层沉积设备制造技术领域,具体为一种应用于ALD原子层沉积炉管式设备的安装装置及方法,包括若干固定基架和一个升降基架,相邻两个基架之间可拆卸拼接,若干基架沿安装方向依次排布且升降基架位于靠近炉管式设备的一侧,升降基架顶部设有升降...
  • 本发明公开一种喷淋装置及沉积镀膜设备,其中,该喷淋装置包括喷淋部件和抽气部件,所述喷淋部件包括喷淋盘,所述喷淋盘设置有喷淋孔,所述抽气部件安装于所述喷淋盘的中部区域,所述抽气部件被配置为能够用于抽气。上述喷淋装置可改善反应气体中部聚集的情况...
  • 本发明是一种改善ALD膜厚均匀性的工艺,包括以下步骤:1)先打开载气与源瓶之间进气管上的载气控制阀,向源瓶通入载气,时间控制在1‑5s,并保持源瓶与反应腔之间供气管上的TMA出气控制阀关闭,反应腔内硅片装载量>6排;2)保持载气控制阀打开,...
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