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最新专利技术
  • 一种内置电阻数字三极管封装及其制作工艺
    一种内置电阻数字三极管封装及其制作工艺_河源创基电子科技有限公司_202511896200.4
    本发明公开了一种内置电阻数字三极管封装及其制作工艺，包括绝缘封装壳，所述绝缘封装壳内部形成封装壳内腔，所述封装壳内腔中心设有集成电阻基板，所述集成电阻基板上表面设有芯片焊盘，所述芯片焊盘上方通过信号传导凸点连接三极管芯片，所述三极管芯片下表...
    2026-04-20
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_苏州震坤科技有限公司_202610006817.2
    本申请提供一种半导体封装结构及其制造方法，半导体封装结构的制造方法包括：提供封装结构，封装结构包括至少一个芯片和包覆芯片的封装层；选择性去除覆盖芯片的部分封装层，形成暴露芯片背面的散热槽。本申请通过后加工工艺选择性去除芯片背面的部分封装层形...
    2026-04-20
  • 用于接合结构的电冗余
    用于接合结构的电冗余_隔热半导体粘合技术公司_202512011359.X
    本公开涉及用于接合结构的电冗余。公开了一种被配置成接合到另一个元件的元件。第一元件可以包括在第一表面上的第一多个接触焊盘。第一多个接触焊盘包括彼此间隔开的第一接触焊盘和第二接触焊盘。第一接触焊盘和第二接触焊盘彼此电连接以用于冗余。第一元件可...
    2026-04-20
  • 用于接合结构的电冗余
    用于接合结构的电冗余_隔热半导体粘合技术公司_202512006528.0
    本公开涉及用于接合结构的电冗余。公开了一种被配置成接合到另一个元件的元件。第一元件可以包括在第一表面上的第一多个接触焊盘。第一多个接触焊盘包括彼此间隔开的第一接触焊盘和第二接触焊盘。第一接触焊盘和第二接触焊盘彼此电连接以用于冗余。第一元件可...
    2026-04-20
  • 金属互连结构及其形成方法
    金属互连结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511732700.4
    本发明提供金属互连结构及其形成方法，金属互连结构中的粘附促进层仅位于沟槽的侧壁；粘附促进层吸附第一扩散阻挡层的前驱体以使第一扩散阻挡层仅形成于沟槽的侧壁并用于阻挡金属扩散，避免沟槽底部沉积第一扩散阻挡层影响金属填充；第二扩散阻挡层覆盖第一扩...
    2026-04-20
  • 芯片结构和半导体器件
    芯片结构和半导体器件_深圳市紫光同创电子股份有限公司_202511712583.5
    本申请公开了一种芯片结构和半导体器件，包括：第一金属层、第一层间介电层、MIM电容、第二层间介电层和第二金属层；MIM电容包括电容上极板、电容介电层和电容下极板；第一金属层包括多个第一电源线和多个第一地线，第一电源线和第一地线沿第一方向按照...
    2026-04-20
  • 一种玻璃通孔的镀铜填充方法及其结构和应用
    一种玻璃通孔的镀铜填充方法及其结构和应用_湖南工学院_202610031810.6
    本发明涉及芯片三维封装技术领域，具体而言，是一种针对玻璃通孔TGV的高效、无空洞镀铜填充方法，适用于高密度芯片互连场景下玻璃通孔TGV的金属化工艺。本发明的玻璃通孔的镀铜填充工艺解决了通孔空洞缺陷，提升了通孔的填充效率，同时工艺兼容性强，易...
    2026-04-20
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202512053816.1
    本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括提供第一晶圆，第一晶圆包括衬底以及位于衬底上的布线结构，布线结构之间形成有沟槽，布线结构背离衬底的一侧表面和沟槽的内壁表面具有第一保护层；在第一保护层背离衬底的一侧表面形成第一介质层；...
    2026-04-20
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202512050241.8
    本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括提供第一晶圆，第一晶圆包括衬底以及位于衬底上的布线结构，布线结构之间形成有沟槽；在沟槽内和布线结构背离衬底一侧表面形成第一介质层，且位于沟槽上的第一介质层内具有间隙；对第一介质层进行第...
    2026-04-20
  • 互连孔导电结构的制作方法
    互连孔导电结构的制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202512030055.8
    本发明提供一种互连孔导电结构的制作方法。所述制作方法包括：提供金属层以及位于金属层上的介质层，金属层包括多个金属块，介质层中具有通孔，通孔的底面至少露出两个金属块以及金属块之间的电介质；通过溅射沉积工艺在通孔内生成第一阻挡层，在生成第一阻挡...
    2026-04-20
  • 连线隔离性能改善方法及集成电路
    连线隔离性能改善方法及集成电路_普冉半导体(上海)股份有限公司_202512027278.9
    本发明提供了一种连线隔离性能改善方法及集成电路，包括：在晶圆片表面制备电路元件；在电路元件表面形成多层金属互联结构，实现电路元件各极性的电学连接；每层金属互联结构包括形成在低介电常数材质层中的金属连线，且低介电常数材质层和金属连线的侧壁接触...
    2026-04-20
  • 铜互连结构用的扩散阻挡层及其制备方法
    铜互连结构用的扩散阻挡层及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511897595.X
    本发明提供一种铜互连结构用的扩散阻挡层及其制备方法，通过在高熵合金靶材中集成金属铜，利用磁控溅射工艺同步形成高熵合金薄膜，对高熵合金薄膜进行一步退火工艺即可以同时形成高熵合金扩散阻挡层和铜种子层，相比于现有技术而言，制备工艺简单，降低生成成...
    2026-04-20
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202511887895.X
    本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过在钝化保护层中的两个子层之间增加一层黏附缓冲层，以利用黏附缓冲层的表层所包含的化学键及悬垂键与两个子层的表层所包含的化学键及悬垂键发生反应的方式，增强钝化保护层中两...
    2026-04-20
  • 铜互连结构的制备方法
    铜互连结构的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511827353.3
    本发明提供一种铜互连结构的制备方法，在电镀完铜层后，通过设置升温阶段、恒温生长阶段和冷却阶段的多段式温度变化对电镀铜进行热退火过程，可促使更多的铜完成形核，晶核长大并使铜晶粒尺寸增长，使得目标尺寸的晶粒占比增加，晶粒尺寸分布更加均匀，同时晶...
    2026-04-20
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511730990.9
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过在含有铜层的互连结构上依次形成SiCN缓冲层和SiCN主体层，显著增强SiCN层与铜层之间的粘附性，同时保持SiCN层作为刻蚀停止层和扩散阻挡层的功能。对互连结构进行NH3等离子体处理，清洁铜层表面...
    2026-04-20
  • 沟槽隔离型PN结及其制备方法、沟槽隔离型半导体器件
    沟槽隔离型PN结及其制备方法、沟槽隔离型半导体器件_安徽大鹏半导体有限公司_202411357127.9
    本发明公开了一种沟槽隔离型PN结及其制备方法、沟槽隔离型半导体器件，其中，该方法包括：提供衬底；沿第一方向，在衬底的一侧形成外延层；第一方向为衬底的厚度方向；沿第一方向，对外延层远离衬底的一侧进行掺杂处理形成掺杂区；沿第二方向，在掺杂区的两...
    2026-04-20
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202512056187.8
    本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供半导体主体；在所述半导体主体中形成第一沟槽，并在第一沟槽中形成第一沟槽结构；在所述半导体主体中形成器件区域；至少在所述器件区域的部分表面处形成氧化隔离结构；在形成所述氧化隔离结构后的所...
    2026-04-20
  • 沟槽结构及其制备方法、半导体器件
    沟槽结构及其制备方法、半导体器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512051744.7
    本申请提供了一种沟槽结构及其制备方法、半导体器件，通过先在衬底中形成深度较深的第一沟槽，并在其内填充第一材料后，再形成深度较浅的第二沟槽和作为深沟槽头部的头部沟槽，从而可使得第二沟槽和头部沟槽采用一步填充工艺在同一工艺步骤中进行第二材料的填...
    2026-04-20
  • 应变半导体结构、绝缘体上半导体结构及制备方法
    应变半导体结构、绝缘体上半导体结构及制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512047546.3
    本申请提供了一种应变半导体结构、绝缘体上半导体结构及制备方法，通过将弛豫层的晶格常数大小分布设置为靠近应变层一侧的晶格常数小于靠近支撑衬底一侧的晶格常数，则弛豫层在可以在激发应变的同时，与应变层之间可以形成晶格常数差异较小的异质结界面，可降...
    2026-04-20
  • 一种高深宽比结构中填充层间介质层的方法
    一种高深宽比结构中填充层间介质层的方法_重庆芯联微电子有限公司_202511721596.9
    本发明提供一种高深宽比结构中填充层间介质层的方法中，在SiH4和O2的反应过程中使用重惰性气体Kr作为扩散添加剂，由于SiH4和O2的分子/原子质量小于惰性气体Kr，因此在相同的反应温度下，重惰性气体Kr能够提高SiH4和O2的分子扩散能力...
    2026-04-20
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