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  • 一种显示基板、显示装置,该显示基板包括:驱动基板;发光器件,设置在所述驱动基板上,所述发光器件包括叠层结构以及第二电极,所述叠层结构包括沿着远离所述驱动基板方向依次堆叠的第一电极、第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第一电极在所述驱动基...
  • 本申请提供一种HI‑CSP发光器件及制备方法、Mini‑LED背光模组,发光器件包括第一载板、多个LED芯片、第二载板和驱动芯片,第一载板具有相对的第一表面和第二表面;多个LED芯片设置在第一表面上,多个LED芯片具有不同的发光颜色,每个L...
  • 本申请涉及一种发光器件及其制备方法、显示设备。本申请的发光器件包括:驱动基板、发光元件、光学扩散层和纹理层;发光元件位于驱动基板的至少一个表面上;光学扩散层位于驱动基板的设置有发光元件的表面上,且光学散射层将发光元件整体包覆;纹理层位于光学...
  • 本申请涉及一种发光器件及其制备方法、显示设备。本申请的发光器件包括:驱动基板、发光元件、胶粘层、半透膜材层、基材层和油墨层。发光元件位于驱动基板的表面上。胶粘层位于驱动基板的表面上,胶粘层覆盖发光元件。半透膜材层位于胶粘层的远离驱动基板的表...
  • 本申请涉及一种发光器件及其制备方法、显示设备。本申请的发光器件包括:包括:驱动基板、发光元件、填色层和纹理层。填色层和发光元件均设置于驱动基板上,且发光元件位于驱动基板和填色层之间。纹理层设置于填色层远离驱动基板的表面上。纹理层包括油墨子层...
  • 本发明提供一种宽光谱集成光源,涉及半导体发光和多芯片封装技术领域。该光源包括:基板;至少一个第一发光单元,设置在基板上,每个第一发光单元包括至少一个第一发光二极管,第一发光二极管用于产生白色可见光;至少一个第二发光单元,设置在基板上,每个第...
  • 本发明提供了一种柔性基底脉冲激光辅助微细结构无损伤转移方法,该方法包括:先在硬质基底上制备待转移的微细结构;然后通过界面修饰调节待转移结构和柔性基底间的结合力;接着用空间光场整形后的脉冲激光辐照硬质基底‑待转移微细结构界面,在对待转移结构无...
  • 本申请涉及一种显示芯片转移装置、制备方法和显示芯片转移方法。所述显示芯片转移装置包括:磁性基板,包括多个固晶区域,多个固晶区域的位置与多个磁性显示芯片的位置一一对应;芯片转移结构,用于将各磁性显示芯片与对应的固晶区域进行对位,并沿靠近所述磁...
  • 本发明涉及一种显示装置,具体涉及一种量子点色转换层及其制备方法和显示装置。本发明公开了一种量子点色转换层制备方法,通过将疏水材料作为透明沉底,结合亲水疏油性材料形成的遮蔽层,有利于后续的巯基配体溶液、量子点溶液在微通道中的流动,更有利于后续...
  • 本发明公开的MicroLED微显示器件及其制备方法,包括以下步骤:提供驱动衬底和多个发射第一颜色光的第一外延片;图形化第一外延片,形成多个间隔分布且具有外延结构的第一外延分区;切割第一外延片,形成具有预定形状的多个第一外延子片,每个第一外延...
  • 本发明公开了一种半导体封装用紫外LED阵列的主动散热与定位一体装置,涉及半导体封装装备技术领域,包括底架,所述底架上固定安装有安装架,所述安装架上固定安装有外壳,所述外壳内活动安装有紫外LED阵列组件,所述紫外LED阵列组件的下方设有LED...
  • 本发明涉及发光装置技术领域,其特别涉及一种发光装置的制备方法及发光装置。其中,该发光装置的制备方法,通过在第一载体上形成光调整层;在光调整层背离第一载体的一面上注射匀光胶体形成匀光层;将第一载体进行翻膜操作,使匀光层背离所述光调整层的一面朝...
  • 一种仿生结构的LED芯片及其制造方法,该仿生结构的LED芯片包括由下至上依次层叠设置的基底、P电极、P‑GaN层、MQW层、N‑GaN层和N电极;P电极中设置第一竖孔、P‑GaN层中设置第二竖孔、MQW层中设置第三竖孔、N‑GaN层中设置第...
  • 本发明公开了一种可折叠多引脚LED封装支架结构,涉及封装支架技术领域,包括基板,所述基板的一侧设置有用于容纳LED芯片的杯体,所述基板上集成了一个功能切换开关;引脚结构设置在所述基板背向所述杯体的一侧,所述引脚结构包括一个公共脚、三个控制脚...
  • 本申请提供一种发光装置,其中,按质量份计,第一胶体包括30‑45份的双酚A型环氧树脂、55‑70份的苯基含氢硅树脂和1‑6份的脂环胺,KSF红色荧光粉:β‑sialon绿色荧光粉的质量比为20‑27:3‑5,KSF红色荧光粉和β‑sialo...
  • 本发明涉及LED技术领域,本发明公开一种倒装发光二极管芯片及其制备方法。倒装发光二极管芯片包括衬底和层叠于衬底上的外延层,外延层上设置有电流扩展层、电流阻挡层、布拉格反射层、反射层、第一绝缘层、连接层和第二绝缘层,第一绝缘层覆盖反射层且与布...
  • 本发明涉及LED技术领域,本发明公开一种倒装发光二极管芯片及其制备方法。倒装发光二极管芯片包括衬底和层叠于衬底上的外延层,外延层上设置有电流扩展层、电流阻挡层、反射层、第一绝缘层、连接层和第二绝缘层,第二绝缘层上形成有第四通孔和第五通孔,第...
  • 本发明涉及LED的技术领域,公开了一种可智能调色的LED的发光芯片、封装结构及其制备方法。可智能调色的LED的发光芯片包括衬底和外延结构层,所述外延结构层上设有正电极和负电极,所述外延结构层上设有复合光学功能层和第一钝化层,所述第一钝化层上...
  • 本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法、封装基板,涉及半导体光电器件领域。其中,Mini‑LED芯片包括:衬底、外延层、N电极、P电极、第一钝化层、磁性层、第二钝化层、N焊盘和P焊盘。外延层包括N型半导体层、有源层和P型半导体层;...
  • 本发明公开了一种发光装置、灯珠模组及制备方法,发光装置包括:凹型电极结构、内凹单元、发光二极管、封装结构及透镜结构,内凹单元与凹型电极结构连接,发光二极管设于内凹单元内部,封装结构填充于内凹单元内部,将发光二极管封装于内凹单元内部,透镜结构...
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