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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510603203.8
    一种半导体器件包括：基体绝缘层；沟道结构，所述沟道结构位于所述基体绝缘层的第一表面上；栅极结构，所述栅极结构围绕所述沟道结构；以及第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案沿着第一方向彼此间隔开地...
    2026-04-14
  • 碳化硅MOSFET以及半导体器件
    碳化硅MOSFET以及半导体器件_上海贝岭股份有限公司_202511964855.0
    本公开提供了一种碳化硅MOSFET以及半导体器件。该碳化硅MOSFET包括电流扩展层、若干个P型体区以及若干个N+型源区；电流扩展层包括若干个第一鳍状结构；每一P型体区包括第二鳍状型结构；每一N+型源区包括第三鳍状型结构；每一第一鳍状结构和...
    2026-04-14
  • 具有含金属鳍状物隔离区域的集成电路结构
    具有含金属鳍状物隔离区域的集成电路结构_英特尔公司_202511961408.X
    描述了具有含金属鳍状物隔离区域的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括位于第一子鳍状物之上的水平纳米线的竖直堆叠体。栅极结构位于水平纳米线的竖直堆叠体之上以及位于第一子鳍状物上。电介质结构与栅极结构横向间隔开。电介质结构不位于沟道结构之上...
    2026-04-14
  • 在接触器件层的金属化层中实现的栅极到源极/漏极接触部链接
    在接触器件层的金属化层中实现的栅极到源极/漏极接触部链接_英特尔公司_202511205722.5
    集成电路(IC)器件具有栅电极耦合到源极或漏极的晶体管，例如，连接成二极管的晶体管。IC器件可以包括在晶体管上(例如，在器件层上和之上)的金属化层级，其中连续的第一金属主体在金属化层级中并且直接在源极或漏极接触部和栅电极上。金属化层级中的第...
    2026-04-14
  • 一种集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法
    一种集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法_广州智明微电子科技有限公司_202511914193.6
    本发明属于功率半导体器件技术领域，具体公开了一种集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法。本发明在相同衬底和外延层上集成了功率半导体器件以及由多个二极管串联组成的温度传感器。在功率半导体器件与温度传感器之间、以及组成温度传感器的各个二极管之...
    2026-04-14
  • 结型二极管隔离
    结型二极管隔离_德州仪器公司_202511326794.5
    本公开大体上涉及集成电路裸片中的结型二极管隔离。在示例中，半导体装置包含二极管和晶体管。所述二极管在半导体衬底(302)中。所述二极管包含各自在所述半导体衬底(302)中的阳极区(208)、n型阱(204)、阴极区(206)和n型埋层(20...
    2026-04-14
  • 一种基于BCD工艺的半导体器件及其制造方法
    一种基于BCD工艺的半导体器件及其制造方法_广州智明微电子科技有限公司_202511914157.X
    本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种基于BCD工艺的半导体器件及其制造方法。本发明利用BCD工艺的制备流程设计了三个二极管串联的结构形式，当二极管导通时，此时器件阳极上的电位较高，用于温度检测时精度较高。此外，本发明针对器件工作在低...
    2026-04-14
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311465723.4
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS区与PMOS区的衬底，衬底上形成有栅极结构、硬掩膜层、第一侧墙以及第一保护层或第二侧墙，NMOS区内的硬掩膜层的厚度大于PMOS区内的硬掩膜层的厚度；形成覆盖衬底的填充层；...
    2026-04-14
  • 半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法
    半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610249024.3
    本发明公开了一种半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法，属于半导体技术领域。本发明通过先对半导体衬底进行刻蚀，以形成若干第一沟槽，再在第一沟槽的侧壁形成用于提高第一区域或第二区域载流子迁移率的半导体应力材料层，得到第二沟槽，然后在...
    2026-04-14
  • 包括耗尽型构件和增强型构件的HEMT器件制造方法及其器件
    包括耗尽型构件和增强型构件的HEMT器件制造方法及其器件_华南理工大学_202610204281.5
    本发明属于半导体技术领域，尤其涉及包括耗尽型构件和增强型构件的HEMT器件制造方法及其器件，本发明中，在第一势垒层的顶面开设第一开口，以二次外延的工艺在第一开口内设置第二势垒层且第二势垒层的厚度小于第一势垒层的厚度，将增强型构件的第一栅极结...
    2026-04-14
  • 互补场效应晶体管及其制造方法
    互补场效应晶体管及其制造方法_复旦大学_202512053733.2
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，提供一种基于Si/SiGe异质沟道的互补场效应晶体管及其制造方法，互补场效应晶体管包括垂直堆叠设置的nFET和pFET；该方法包括：在沟道区上形成栅介质层；在栅介质层上和栅极区域内沉积同种材料的偶极子层；根...
    2026-04-14
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_常州承芯半导体有限公司_202512026408.7
    本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种半导体结构及其形成方法，提供含第一区、第二区的衬底，在第二区依次形成含基极层、发射极层的器件结构及集电极、基电极、发射电极，构建异质结双极型晶体管；在第一区制备电容结构，该结构由四层金属层与三层绝缘层交替...
    2026-04-14
  • 集成电路器件及其形成方法
    集成电路器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511828649.7
    在介电结构上方形成掩模层。掩模层包括暴露介电结构的部分的开口。在掩模层上形成保护层。保护层覆盖开口的至少侧面。在形成保护层之后，对掩模层执行定向蚀刻工艺。在第一方向上执行定向蚀刻工艺，同时保护层保护掩模层免受在与第一方向不同的第二方向上的蚀...
    2026-04-14
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511814422.7
    根据本公开的方法包括在衬底上方形成半导体堆叠件，该半导体堆叠件包括由第二半导体层交错的第一半导体层，图案化半导体堆叠件和衬底以形成鳍形结构，在鳍形结构上方形成伪栅极堆叠件，使鳍形结构凹进以形成源极/漏极凹槽，使多个第二半导体层选择性地凹进以...
    2026-04-14
  • 一种形成半导体结构的方法
    一种形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511814421.2
    一种方法，包括形成第一晶圆和形成第二晶圆。形成第一晶圆包括：在第一衬底上方形成第一半导体层，和在第一半导体层上方沉积包括第一顶部的第一介电层。第一介电层包括第一介电材料。形成第二晶圆包括：在第二衬底上方形成第二半导体层，和在第二半导体层上方...
    2026-04-14
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511812825.8
    方法包括形成下部半导体纳米结构和上部半导体纳米结构，以及形成下部源极/漏极区域，包括执行第一外延工艺以分别从下部半导体纳米结构和上部半导体纳米结构生长第一半导体隔离层和第二半导体隔离层。该方法还包括执行第二外延工艺，以通过自下而上的沉积工艺...
    2026-04-14
  • 半导体结构及用于形成半导体结构的方法
    半导体结构及用于形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511800486.1
    提供了一种用于形成半导体结构的方法。该方法包括：形成隔离结构以围绕有源区的下部，横跨有源区形成栅极堆叠件，形成穿过栅极堆叠件的沟槽，在沟槽中形成导电部件，在隔离结构的背面上沉积金属材料，以及平坦化金属材料、隔离结构、导电部件、和有源区的底部...
    2026-04-14
  • 外延区域中的连续高掺杂浓度
    外延区域中的连续高掺杂浓度_台湾积体电路制造股份有限公司_202511727334.3
    本公开涉及外延区域中的连续高掺杂浓度。一种方法包括形成多个半导体纳米结构。多个半导体纳结构中的上部半导体纳米结构与多个半导体纳米结构中的相应下部半导体纳米结构交叠。方法还包括在多个半导体纳米结构旁形成源极/漏极凹部，其中，源极/源极凹部具有...
    2026-04-14
  • 源极/漏极外延轮廓及其实现方法
    源极/漏极外延轮廓及其实现方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511726562.9
    本申请公开了源极/漏极外延轮廓及其实现方法。一种方法包括：形成多个半导体纳米结构，其中，多个半导体纳米结构中的上面的半导体纳米结构与多个半导体纳米结构中的相应的下面的半导体纳米结构重叠。该方法还包括：在多个半导体纳米结构旁边形成源极/漏极凹...
    2026-04-14
  • 全环栅晶体管的制备方法
    全环栅晶体管的制备方法_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511657985.X
    本申请提供一种全环栅晶体管的制备方法，属于逻辑器件技术领域，用于解决凹槽刻蚀工艺中后续用于替换为栅极层的膜层刻蚀后形貌圆角的问题；该方法包括：在衬底的一侧形成第一堆叠层，第一堆叠层包括多层第一半导体层和多层第二半导体层；在第一堆叠层远离衬底...
    2026-04-14
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