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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511957902.9
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：沟槽，沿第一表面延伸至外延层内部，第一表面为外延层背离衬底的一侧表面；源区，位于沟槽两侧外延层中，源区为对部分第一表面进行离子注入形成的区域；栅极，位于沟槽内，栅极包括沿第一方向分布...
    2026-04-16
  • 沟槽型MOS器件及其制备方法
    沟槽型MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511933666.7
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种沟槽型MOS器件及其制备方法，沟槽型MOS器件包括：衬底；外延层，包括设置于衬底之上的第一部分和设置于第一部分上的第二部分，第二部分包括层叠设置的多个子外延层，多个子外延层中的任意两个子外延层中，更靠近第...
    2026-04-16
  • 沟槽型MOS器件及其制备方法
    沟槽型MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511933628.1
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种沟槽型MOS器件及其制备方法，沟槽型MOS器件包括：衬底之上的第一外延层和多个第二外延层，更靠近第一外延层的第二外延层在第一方向上的宽度小于更远离第一外延层的第二外延层在第一方向上的宽度，第一方向垂直于衬...
    2026-04-16
  • 碳化硅晶体管器件及制备方法
    碳化硅晶体管器件及制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511933670.3
    本申请提供了一种碳化硅晶体管器件及制备方法，可广泛应用于半导体技术领域，该碳化硅晶体管器件包括：基底，包括层叠的衬底和外延层，所述外延层具有第一表面；多个注入层，所述注入层为所述外延层中通过对部分所述第一表面进行离子注入形成的区域；其中，所...
    2026-04-16
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610250050.8
    本发明公开一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。半导体器件包括：半导体基板；浅沟槽隔离结构，设置在半导体基板内并划分出有源区域；阱区设置在有源区域的半导体基板内；栅极绝缘层设置在阱区上；栅极电极设置在栅极绝缘层上；源极区域和漏极区...
    2026-04-16
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511969992.3
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：基底，包括层叠的衬底和外延层；栅极结构；JFET层，位于外延层中，沿第一表面延伸至外延层内部；源区，位于外延层中JFET层的两侧，源区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；宽禁带埋层...
    2026-04-16
  • 一种基于离子注入定义栅宽的抗辐射SOI MOSFET器件结构及其制备方法
    一种基于离子注入定义栅宽的抗辐射SOI MOSFET器件结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511930074.X
    本发明公开一种基于离子注入定义栅宽的抗辐射SOI MOSFET器件结构及其制备方法，属于半导体器件制备及抗辐射加固领域。顶层硅、埋氧层、支撑层共同构成SOI衬底材料；沟道区位于顶层硅中，位于栅极下方、栅宽定义区之间；绝缘介质层位于顶层硅外部...
    2026-04-16
  • 一种基于SOI的抗光生电流晶体管结构及其制备方法
    一种基于SOI的抗光生电流晶体管结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511919307.6
    本发明公开一种基于SOI的抗光生电流晶体管结构及其制备方法，属于半导体器件制备及抗辐射加固领域。顶层硅、埋氧层、支撑层共同构成SOI衬底材料；源漏及沟道区位于顶层硅中，且源漏及沟道掺杂类型相同；栅介质层位于顶层硅外部上方；栅极位于绝缘介质层...
    2026-04-16
  • MOSFET器件及其制备方法
    MOSFET器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511901628.3
    本申请公开了一种MOSFET器件及其制备方法。MOSFET器件包括：基底，包括层叠的衬底和外延层；掺杂区，位于外延层中，掺杂区包括沿平行于基底表面的方向间隔的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区为对部分外延层的一侧表面进行离子注入...
    2026-04-16
  • 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
    金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511848204.5
    本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，可应用于半导体技术领域。该场效应晶体管包括：衬底；依次设置在衬底上的缓冲层、第一n型外延层和第二n型外延层；第一p型保护层，包括沿第一方向同轴设置于第一n型外延层以及第二n型外延层中部区域的第一...
    2026-04-16
  • 碳基半导体器件及其制备方法
    碳基半导体器件及其制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202511654820.7
    本公开提供了一种碳基半导体器件及其制备方法。碳基半导体器件包括：衬底；沟道层，沟道层由碳基材料制成；氧化层；栅极；以及在栅极两侧形成的侧墙，侧墙的形状为包括第一部分和第二部分的弯折形状，第一部分沿第一方向延伸，第二部分沿第二方向延伸，第一方...
    2026-04-16
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_积亚半导体股份有限公司_202411865486.5
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一元件区域、一接面终端区域、一切割道区域及一保护层，其中接面终端区域环设于元件区域外围，具有多个防护环设置于接面终端区域中且环设于元件区域外围。切割道区域环设于接面终端区域外围。保护层...
    2026-04-16
  • 一种抗辐照高性能增强型氮化镓基功率器件及其制作方法
    一种抗辐照高性能增强型氮化镓基功率器件及其制作方法_南京大学_202610258897.0
    本发明提供了一种抗辐照高性能增强型氮化镓基功率器件及其制作方法，属于半导体技术领域。通过在传统增强型P‑GaNHEMT器件结构的基础上，创新性地引入P型InaGa1‑aN背势垒层、InbGa1‑bN/GaN超晶格层、由介质层和栅极肖特基金属...
    2026-04-16
  • 一种带有InGaN插层和双势垒帽层的高电子迁移率晶体管及其制备方法
    一种带有InGaN插层和双势垒帽层的高电子迁移率晶体管及其制备方法_厦门理工学院_202512034314.4
    本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种带有InGaN插层和双势垒帽层的高电子迁移率晶体管及其制备方法。本发明所述高电子迁移率晶体管包括顺次接触设置的衬底、成核层、AlGaN渐变缓冲层、GaN通道层、InGaN插层、AlGaN势垒层、势...
    2026-04-16
  • 一种常关型金刚石场效应晶体管及其制备方法
    一种常关型金刚石场效应晶体管及其制备方法_中国科学技术大学_202512008594.1
    本发明公开了一种常关型金刚石场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件领域，包括：金刚石衬底，其表面设有氢终端并形成二维空穴气构成的导电沟道；环绕所述导电沟道的器件隔离区；设于所述导电沟道两端的源极和漏极；设于所述源极与漏极之间的固定电荷调控...
    2026-04-16
  • AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法
    AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511963822.4
    本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法。AlGaN/GaN HEMT包括衬底，缓冲层以及势垒层，在所述势垒层表面至少沉积2层介质层，每层所述介质层内均设有窗口，窗口内外延生长厚度不小于介质层的p‑GaN层，由下之上，所...
    2026-04-16
  • 双向半导体器件及其制造方法
    双向半导体器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511952649.8
    本申请实施例公开了一种双向半导体器件及其制造方法。双向半导体器件包括：衬底、位于衬底上的沟道层、位于沟道层上的第一势垒层、位于第一势垒层上的第一栅极结构和第二栅极结构、位于第一势垒层上的第二势垒层、以及第一输入输出电极和第二输入输出电极。在...
    2026-04-16
  • 双向半导体器件及其制造方法
    双向半导体器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511948610.9
    本申请实施例公开了一种双向半导体器件及其制造方法。双向半导体器件包括：衬底、沟道层、第一势垒层、栅极结构、第二势垒层、第一输入输出电极和第二输入输出电极。沟道层和第一势垒层依次形成在衬底上。栅极结构和第二势垒层形成在第一势垒层上。第二势垒层...
    2026-04-16
  • 半导体装置
    半导体装置_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202511947893.5
    本申请涉及半导体电子器件技术领域，公开了一种半导体装置。半导体装置包括：衬底，具有第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域一侧；双向HEMT，设置于第一区域，双向HEMT包括第一源极和第二源极，双向HEMT在工作状态下被配置为第一源极、第二...
    2026-04-16
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511936031.2
    本发明实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例中的半导体器件包括半导体基底、沟道层、势垒层和栅极结构。其中，沟道层形成于半导体基底之上，势垒层形成于沟道层之上，势垒层至少具有两种厚度，栅极结构位于势垒层的第一区域的上方，第一区域...
    2026-04-16
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