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最新专利技术
  • 一种垂直磁各向异性GaN基自旋偏振光发光二极管制备方法
    一种垂直磁各向异性GaN基自旋偏振光发光二极管制备方法_南京大学_202511891328.1
    本发明公开了一种垂直磁各向异性GaN基自旋偏振光发光二极管及其制备方法，其制备方法核心在于：首先，通过干法转移和激光直写在n‑GaN上将1‑3层石墨烯化为圆环形状；其次，在超高真空环境下，于同一溅射腔体内连续、不破真空地依次溅射沉积MgO隧...
    2026-04-11
  • 一种纳米级空腔增强色转换方法
    一种纳米级空腔增强色转换方法_广西飓芯科技有限责任公司_202511868138.8
    本发明涉及半导体光电器件技术领域，且公开了一种纳米级空腔增强色转换方法，包括如下步骤：氮化镓‌蓝光LED晶圆采用荷能重离子径迹刻蚀方法在氮化镓表面进行处理，荷能重离子能量和辐照剂量的控制在氮化镓表面刻蚀形成介孔通道形貌；将制备有介孔通道的晶...
    2026-04-11
  • 一种基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法
    一种基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法_山东晶镓半导体有限公司_202511602302.0
    本发明属于光电技术领域，具体涉及一种基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法。本发明通过采用PVT生长炉优先对AlN衬底进行开口处理，再对该衬底进行外延相应Buffer层，N‑GaN以及量子阱等；本发明的方法可以在PVT炉膛内高温循环退...
    2026-04-11
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610210330.6
    本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及光伏组件。在本申请实施例中，隧穿层设于第一表面的第一区域，掺杂导电层设于隧穿层背离于基底的一侧。通过设置连接第一区域和第二区域的过渡区域，在第二区域上设置第一陷光结构，在过渡区域上设置表面...
    2026-04-11
  • 一种太阳能电池片、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池片、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610210238.X
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种太阳能电池片、电池组件及光伏系统，电池片包括：基底，其背面包括第一区域、第二区域及连接区域，若干第一区域与第二区域相互交替排布，连接区域至少部分设于相邻的第一区域与第二区域之间，并分别与第一区域及第...
    2026-04-11
  • 电路板模组和太阳能板
    电路板模组和太阳能板_庆鼎精密电子(淮安)有限公司_202411227253.2
    本申请提出一种电路板模组和太阳能板。本申请通过在电路基板上设置具有电致变色性能的介电层，介电层在高温条件下可通过调整电压实现由透明态变为深色的转变，从而能遮光并降低硅电池和电路基板的温度，进而能改善太阳能板整体的发热问题。
    2026-04-11
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511915738.5
    本申请属于光伏技术领域，具体涉及一种光伏组件，能够增加了入射光的利用率，能够提升光伏组件整体光电转换效率，光伏组件包括层叠的正面封装层、正面封装胶膜层、电池片层、背面封装结构，所述电池片层包括间隔排列的多个电池串、多个汇流条，所述光伏组件还...
    2026-04-11
  • 一种背接触太阳能电池、制备方法及电池组件
    一种背接触太阳能电池、制备方法及电池组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610098792.3
    本申请提供了一种背接触太阳能电池、制备方法及电池组件。该背接触太阳能电池包括：硅基体具有相对的背光面和受光面，背光面具有第一区和第二区；第一载流子收集层设于第一区；第二载流子收集层与第一载流子收集层的导电类型相反，设于第二区；钝化减反膜组设...
    2026-04-11
  • 空间用薄膜砷化镓太阳电池减反射膜及其制备方法
    空间用薄膜砷化镓太阳电池减反射膜及其制备方法_上海空间电源研究所_202511798915.6
    本发明涉及空间用薄膜砷化镓太阳电池减反射膜及其制备方法，在电池的聚酰亚胺膜衬底上沉积一层氧化钛薄膜，在氧化钛薄膜表面上沉积一层氧化铝薄膜，在氧化铝薄膜表面上沉积一层氧化硅薄膜，形成三层减反射膜。本发明采用多层增透膜设计，可以提高太阳电池表面...
    2026-04-11
  • 一种太阳能电池组件及太阳能电池系统
    一种太阳能电池组件及太阳能电池系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511714546.8
    本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种太阳能电池组件及太阳能电池系统，太阳能电池组件包括依次层叠设置的第一盖板、第一胶膜、电池层、第二胶膜和第二盖板，电池层包括若干电池串和焊带，电池片上设有栅线以及与栅线连接的pad点，pad点上设有端头线...
    2026-04-11
  • 层叠体、电子设备、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统
    层叠体、电子设备、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统_株式会社东芝_202511312195.8
    一种层叠体、电子设备、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。一种实施方式的层叠体，其具有：基板；透明电极，其设置于基板上；以及绝缘膜，其设置于透明电极上，被覆透明电极的与基板侧相反的一侧的表面的50%以上且100%以...
    2026-04-11
  • 一种太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511712011.7
    本发明涉及太阳能电池的技术领域，公开了一种太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏系，太阳能电池片的背面设置有若干条第一栅线和若干条第二栅线，所述第一栅线和第二栅线沿第一方向平行且相互交替设置；太阳能电池片的背面的侧边缘设置有沿第二方向延伸的边缘...
    2026-04-11
  • 一种铜浆料、电极以及其制备方法和应用
    一种铜浆料、电极以及其制备方法和应用_隆基绿能科技股份有限公司_202411245861.6
    本申请公开了一种铜浆料、电极以及其制备方法和应用，所述电极包括铜粉，所述铜粉包括纳米铜颗粒以及片状铜粉，所述纳米铜颗粒包括至少两个相连的铜纳米粒子，相邻铜纳米粒子之间采用面接触的方式连接。本申请的电极，通过使用由两个以上的铜纳米粒子连接而成...
    2026-04-11
  • 铜栅线以及用途
    铜栅线以及用途_隆基绿能科技股份有限公司_202411244287.2
    本申请提供了一种铜栅线以及用途，所述铜栅线包含栅线主体部分和栅线外围部分，所述栅线外围部分位于所述栅线主体部分的两侧，其中任意一侧所述栅线外围部分的宽度不超过所述栅线主体部分宽度的15％‑50％；所述栅线外围部分的铜粉粒径中位值小于栅线主体...
    2026-04-11
  • 一种背接触太阳能电池及光伏组件
    一种背接触太阳能电池及光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610197657.4
    本申请涉及光伏领域，公开了一种背接触太阳能电池及光伏组件，背接触太阳能电池包括硅基底、第一类掺杂多晶硅层和第二类掺杂多晶硅层，硅基底具有第一表面，第一类掺杂多晶硅层设置于第一表面一侧，第一类掺杂多晶硅层朝向硅基底一侧具有第二表面，第二类掺杂...
    2026-04-11
  • 一种硅片、电池片和光伏组件
    一种硅片、电池片和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202512058271.3
    本发明公开一种硅片、电池片和光伏组件，涉及硅片制造技术领域，用于解决硅片容易碎片的问题。硅片具有相对的两个表面以及位于两个所述表面之间的四侧面；相邻的两个侧面通过倒角连接；所述硅片中含有锑，所述倒角的锑含量为3E+13atoms/cm3~1...
    2026-04-11
  • 太阳能电池和电池组件
    太阳能电池和电池组件_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202512037063.5
    本申请涉及光伏技术领域，具体涉及一种太阳能电池和电池组件，解决了由于半片太阳能电池的切割边处存在严重的边缘复合，导致太阳能电池的功率较低的问题。该太阳能电池在第一方向上具有相背设置的切割边和非切割边，太阳能电池的衬底的第一表面具有沿第一方向...
    2026-04-11
  • 一种IBC光伏电池
    一种IBC光伏电池_宜宾英发德睿科技有限公司_202511965896.1
    本发明公开了一种IBC光伏电池，涉及电池制备技术领域，包括硅基底，所述硅基底背面沿X轴正向设有第一掺杂区域、第一隔离沟槽G1、第二掺杂区域和第二隔离沟槽G2，所述硅基底背面沿Z轴反向设有第一掺杂区域、第三隔离沟槽G3、第二掺杂区域和第四隔离...
    2026-04-11
  • 一种背接触电池、电池组件及光伏系统
    一种背接触电池、电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511582019.6
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种背接触电池、电池组件及光伏系统，包括：基底，包括相对设置的第一表面及第二表面；掺杂层，设于第一表面上，掺杂层包括若干交替排布且极性相反的第一掺杂层及第二掺杂层，且至少一相邻第一掺杂层与第二掺杂层之间...
    2026-04-11
  • 一种具有碲化银量子点/硫化铅量子点/二氧化锡结构的红外光电二极管探测器及其制备方法
    一种具有碲化银量子点/硫化铅量子点/二氧化锡结构的红外光电二极管探测器及其制备方法_湖北大学_202411298877.3
    本发明涉及一种快速稳定的红外光电二极管探测器，该探测器采用了碲化银量子点(Ag2Te QDs)/硫化铅量子点(PbS QDs)/二氧化锡(SnO2)/金电极(Au)的结构，并提供了一种溶液法制备。Ag2Te量子点作为吸光层和空穴传输层，同时...
    2026-04-11
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