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最新专利技术
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512060873.2
    本申请提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，第一掺杂层的交叠部上具有绝缘隔离层，绝缘隔离层将第一掺杂层和位于交叠部上的第二掺杂层绝缘隔开，绝缘隔离层包括底层部分和顶层部分，底层部分位于绝缘隔离层朝向交叠部的一侧，顶层部分...
    2026-03-19
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511467311.3
    本公开涉及一种光伏组件及其制备方法，该光伏组件包括电池串和汇流条，其中，电池串包括沿第一方向布置的多个电池片，相邻两个电池片朝向光伏组件同侧的极性相反，且相邻两个电池片之间通过第一焊带相连以使得多个电池片串联；汇流条位于电池串端部的电池片通...
    2026-03-19
  • 一种背接触电池及加工工艺
    一种背接触电池及加工工艺_一道新能源科技股份有限公司_202511059772.7
    本发明提供一种背接触电池及加工工艺，涉及光伏发电技术领域。背接触电池包括电池片，电池片成对设置，且沿第一方向排列，电池片上设置有多个第一主栅和多个第二主栅；第一主栅沿第一方向远离另一电池片的一端设置有第一焊盘，第一焊盘连接有第一焊带；第二主...
    2026-03-19
  • 一种基于光窗槽与U形结的光电二极管及制备方法
    一种基于光窗槽与U形结的光电二极管及制备方法_西安电子科技大学_202511839396.3
    本发明公开了一种基于光窗槽与U形结的光电二极管及制备方法，该光电二极管包括：N型4H‑SiC衬底；下电极，位于N型4H‑SiC衬底下表面；N型漂移层，位于N型4H‑SiC衬底上表面；P型区域位于N型漂移层上表面，P型区域上设置有第一U形凹槽...
    2026-03-19
  • 一种背接触式光伏组件
    一种背接触式光伏组件_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511559108.9
    本申请公开了一种背接触式光伏组件，属于光伏组件技术领域。包括至少两个沿第一方向间隔排布的电池串，电池串包括沿第二方向相邻设置的第一电池片和第二电池片，电池片的背面设置有沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排布的第一电连接件和第二电连接件；绝缘件设...
    2026-03-19
  • 太阳能电池的制备方法、太阳能电池、组件及光伏系统
    太阳能电池的制备方法、太阳能电池、组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511983876.7
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提出了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池、组件及光伏系统，该方法包括：提供电池本体；在电池本体的受光面形成保护层；对保护层进行固化；对保护层固化后的电池本体进行水洗和高温处理；高温处理的反应温度大于或等于1...
    2026-03-19
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_江苏宜兴德融科技有限公司_202511964192.2
    本发明属于光电器件领域，具体公开了一种太阳能电池芯片的制备方法，以及相应的太阳能电池。本发明的方法在外延片上形成光刻胶层，并对光刻胶层进行局部区域的曝光和显影，并在外延片上依次形成栅线金属层和保护膜，接着剥离光刻胶层，保留直接形成在外延片上...
    2026-03-19
  • 一种topcon电池背面减反膜结构及其制备方法
    一种topcon电池背面减反膜结构及其制备方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511913929.8
    本发明公开了一种topcon电池背面减反膜结构及其制备方法，属于太阳能电池制造技术领域，其技术方案为包括如下步骤：对硅片进行制绒、扩散、背面抛光和刻蚀之后，S1、首先进行第一层氮化硅沉积，沉积时间130‑150s，硅烷流量2100‑2300...
    2026-03-19
  • 一种利用硅墨水制备TBC电池的方法及TBC电池
    一种利用硅墨水制备TBC电池的方法及TBC电池_盐城工学院_202511902639.3
    本发明涉及光伏电池制造技术领域，且公开了一种利用硅墨水制备TBC电池的方法及TBC电池，S1：提供一硅基底，在所述硅基底的背面制备隧穿氧化层；S2：在所述隧穿氧化层上，利用富氢硅墨水打印预设的第一指交叉图形和第二指交叉图形；所述富氢硅墨水包...
    2026-03-19
  • 一种改善管式PECVD镀膜均匀性的制备方法
    一种改善管式PECVD镀膜均匀性的制备方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511847456.6
    本发明公开了一种改善管式PECVD镀膜均匀性的制备方法, 属于太阳能电池片镀膜技术领域中的一种制备方法，其技术方案为S1、硅片输入；S2、温度调配；S3、真空处理；S4、第一次反应气体通入，将反应的气体NH3、N2O和SiH4 通入沉积管内...
    2026-03-19
  • 一种片间通信系统
    一种片间通信系统_光本位智能科技(上海)有限公司_202511812053.8
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种片间通信系统，包括：光源；玻璃基板芯片，玻璃基板芯片包括：玻璃基板层、波导层；波导层的外表面设置有计算区、处理区；计算区包括：驱动芯片、调制芯片，调制芯片与光源通过经由波导层的第一光通道相连接，调制芯片与...
    2026-03-19
  • 一种碲镉汞探测器芯片加工方法
    一种碲镉汞探测器芯片加工方法_安徽晶芯科技有限公司_202511773090.2
    本发明公开了一种碲镉汞探测器芯片加工方法，属于半导体器件制造技术领域；本发明包括前序开孔工序，获取到完成钝化层制备的碲锌镉晶圆进行开孔光刻，依次开展匀胶、曝光显影，形成包含接触孔和对位标记的图形；随后通过刻蚀去除对应区域材料，同步制作接触孔...
    2026-03-19
  • 一种铜基硫族化合物吸收层及其处理方法、太阳能电池
    一种铜基硫族化合物吸收层及其处理方法、太阳能电池_深圳大学_202511644628.X
    本发明涉及能源材料技术领域，公开一种铜基硫族化合物吸收层及其处理方法、太阳能电池。所述铜基硫族化合物吸收层的处理方法包括以下步骤：提供铜基硫族化合物吸收层；将所述铜基硫族化合物吸收层放置于氟化钾溶液中，进行反应，完成对铜基硫族化合物吸收层的...
    2026-03-19
  • 一种具有激光氧化层的联合钝化背接触电池及其制作方法
    一种具有激光氧化层的联合钝化背接触电池及其制作方法_江苏中胜微科技有限公司_202511638742.1
    本申请公开了一种具有激光氧化层的联合钝化背接触电池及其制作方法，涉及太阳能电池领域。本发明在n型掺杂硅晶层表面进行激光氧化处理形成激光氧化层，激光氧化层覆盖并填补n型掺杂硅晶层表面的微裂纹、浅坑或悬挂键，提高后续膜层平整度，填补化学清洗制绒...
    2026-03-19
  • 一种太阳能电池组件层压内置框结构及层压机压框
    一种太阳能电池组件层压内置框结构及层压机压框_秦皇岛晟成自动化设备有限公司_202511630400.5
    本发明公开了一种太阳能电池组件层压内置框结构及层压机压框，层压内置框结构通过安装板安装在压框本体的内部；层压内置框结构包括多个T型三通、多个钢丝绳、多个不锈钢管和多个旋拧长度调节器，钢丝绳安装在沿纵向分布的相邻两个T型三通的第一接口之间，且...
    2026-03-19
  • 磷扩退火方法及TBC电池的制备方法
    磷扩退火方法及TBC电池的制备方法_天津中环光伏科技有限公司_202511584922.6
    本发明中公开了磷扩退火方法及TBC电池的制备方法，磷扩退火的方法包括如下步骤：A1：硅片在石英炉管内进行高温加热，再进行抽压和第一次升温，检漏后，进行第二次升温和升压，通入氮气进行退火晶化，将掺硼微晶硅层晶化为P型多晶硅层；A2：降温，通入...
    2026-03-19
  • 晶硅太阳能电池及其制备方法
    晶硅太阳能电池及其制备方法_三一硅能(株洲)有限公司_202511520051.1
    本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池及其制备方法。所提供的晶硅太阳能电池的制备方法，包括：对N型硅片进行制绒，硼扩；对N型硅片进行激光钝化处理，具体为在N型硅片的前表面，分别使用激光器在第一方向和第二方向形成切割线；在N型...
    2026-03-19
  • 一种背接触光伏组件的制作方法及背接触光伏组件
    一种背接触光伏组件的制作方法及背接触光伏组件_马鞍山凌众新能科技有限公司_202511305195.5
    本发明提供一种背接触光伏组件的制作方法及背接触光伏组件，所述方法在制作光伏电池导电背板时，将探针加载在金属导电层的正负极上进行通电，形成金属导电层正极‑导电胶‑电池片正极‑电池片负极‑导电胶‑金属导电箔负极的通路；在所述通路中，导电胶在几层...
    2026-03-19
  • 一种全背接触太阳能电池的激光诱导烧结方法
    一种全背接触太阳能电池的激光诱导烧结方法_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202411180191.4
    本申请提出一种全背接触太阳能电池的激光诱导烧结方法，应用于激光诱导烧结设备中，该方法包括在加工台面上放置一个校正基板，在校正基板与激光扫描机构之间放置一个透明支撑板，振镜控制激光束在校正基板上加工点阵，测量点阵的实际坐标值，对比实际坐标值与...
    2026-03-19
  • 图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法
    图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202610163054.2
    本申请提供一种图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法，结构包括依次层叠的第一栅介质层、第二栅介质层与第三栅介质层，其中第一栅介质层为氧化层，第二栅介质层为含氮元素的氧化层，第三栅介质层为氧化层或高介电常数材料层；从下至上第二栅介质层中氮元素...
    2026-03-19
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