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  • 本发明涉及一种砖片镶板组件,特别是地板砖片镶板组件或墙面砖片镶板组件。本发明还涉及一种用于根据本发明的这种砖片镶板组件的砖片镶板。本发明进一步涉及一种砖片镶板覆盖物,其包括根据本发明的砖片镶板组件。
  • 本发明涉及一种从纺织品中获取纤维素浆料的方法,以及通过所公开的方法获取的纤维素浆料,及其进一步加工和用途。
  • 衣物洗涤设备(10)中的振动阻尼系统(100)包括:至少一个安装区域(30),其能够布置在保持构件(3)或者能够成为保持构件(3)的一部分,其中,马达(2)通过至少一个安装区域(30)能够安装到保持构件(3),其中,保持构件(3)能够是洗涤...
  • 本发明公开了一种衣物处理装置,本发明一实施例的衣物处理装置包括:第一处理装置,包括容纳衣物的第一滚筒;第二处理装置,包括容纳衣物的第二滚筒;输出部,用于输出画面;输入部,接收用于选择在所述画面显示的对象的用户指令;以及执行停止按钮,设置为单...
  • 本申请涉及一种衣物处理装置的控制方法,所述控制方法包括:供应电流测量步骤,使转子以比预先设定的基准转速更大或更小的设定转速旋转,测量供应到定子的供应电流;基准电流测量步骤,使所述转子以所述基准转速旋转,测量供应到所述定子的基准电流;以及工作...
  • 本发明涉及一种衣物处理装置,本发明一实施例的衣物处理装置包括箱体、滚筒、驱动部、门、使门移动为打开状态的门打开部以及控制门打开部的控制部。所述控制部通过控制所述驱动部使所述滚筒旋转,从而执行用于处理衣物的复数个处理程序中的任意一种处理程序;...
  • 一种纱线,其包括丝芯和短纤维鞘,所述短纤维鞘由第一纤维和第二纤维的混合物制成,或包括至少95重量%的第一纤维和第二纤维的混合物,其中所述第一纤维是天然纤维素纤维,并且所述第二纤维是合成纤维,其特征在于:所述第一纤维与所述第二纤维的重量比在6...
  • 公开了一种复合纱线及由其制得的面料。该复合纱线由短纤维和长丝构成,短纤维的纤维长度的分布波形图有多个波峰,接近最大纤维长度的波形内的短纤维为短纤维A,接近最小纤维长度的波形内的短纤维为短纤维B,短纤维A的平均长度和短纤维B的平均长度的差为1...
  • 本发明涉及一种双组分纤维,其包含:第一组分,所述第一组分具有根据ISO 1133‑1 : 2011在230℃和2.16kg下测定的熔体流动指数MFI1并且包含第一聚丙烯均聚物,所述第一聚丙烯均聚物具有Z均分子量Mz1、重均分子量Mw1和数均...
  • 本发明涉及一种双组分纤维,其包含第一聚合物组分和第二聚合物组分,其中所述第一组分包含聚丙烯组合物并且所述第二组分包含聚乙烯组合物和聚乙烯蜡,其中所述聚乙烯组合物具有根据ISO1133‑1 : 2011在190℃和2.16kg下测定的0.1至...
  • 本发明涉及具有涂覆在多孔基底的一个表面上的阳极催化剂层的分隔膜,并且更特别地,涉及使得离子能够顺利地移动通过多孔基底的孔,并且通过在分隔膜的一个表面上涂覆阳极催化剂层而具有低的过电压的分隔膜以及包括其的电化学电解槽。
  • 本发明涉及电解槽,所述电解槽包括:气体扩散层、阴极、阳极、电解液、以及位于阴极与阳极之间的分隔膜,其中所述分隔膜包括多孔基底和设置在多孔基底的至少一个表面上的涂层,其中所述涂层包含阴离子交换离聚物,并且所述阴离子交换离聚物不包含在多孔基底的...
  • 本发明涉及用于生产C3‑C6多羟基胺的方法,所述方法通过使C3‑C6多羟基醛或C3‑C6多羟基酮与羟胺或其离子,或与氨或其离子反应,并随后电解前一步骤中得到的溶液来进行。
  • 用于将二氧化碳或一氧化碳电化学转化为C2+产物的铜催化剂。根据本发明,提供了一种用于将二氧化碳或一氧化碳电化学转化为C2+产物的催化剂。该催化剂包含铜和金属(M);其中该催化剂中Cu : M的摩尔比为100 : 0.1至100 : 10。该...
  • 本发明涉及一种用于在无水氢氟酸(AHF)中电化学氟化有机化合物的间歇电解氟化方法和连续电解氟化方法的新的电化学氟化(ECF)槽(1)和系统设计。
  • 本发明涉及一种电解系统(10),其具有:电解单元堆(100),该电解单元堆带有阴极部分(110)和阳极部分(120),该阴极部分(110)具有阴极供给部分(112)和阴极导出部分(114),而该阳极部分(120)具有阳极供给部分(122)和...
  • 实施例包括用于低粗糙度纳米结晶金刚石膜的生长的模块化高频发射源。在一个实施例中,一种制造纳米结晶金刚石(NCD)膜的方法包括将纳米金刚石种晶硅晶片或已经经过表面处理和温育的裸硅晶片装载到微波等离子体增强化学气相沉积(MWPECVD)腔室中,...
  • 本发明提供一种金属薄膜形成用原料配位化合物,其具有中心金属和配位于上述中心金属的配体,(i)上述中心金属的原子极化率为45~51,该金属薄膜形成用原料配位化合物满足下述条件:极化体积≤200、相对介电常数≤2.20;或者(ii)上述中心金属...
  • 本发明提供用于在特征中沉积钼的方法和相关的装置。根据各种实施方案,在一些实施方案中,这些方法包括单室金属化工艺。
  • 本发明公开了在各种基材上形成含硅薄膜的固有选择性工艺,其涉及使用含有至少一个氧原子和至少一个硅氮键的前体以及非氧化等离子体。
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