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最新专利技术
  • 芯片堆叠结构处理方法和装置
    芯片堆叠结构处理方法和装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411141948.9
    本申请的实施例提供了一种芯片堆叠结构处理方法和装置，包括将芯片堆叠结构放置在处理腔中；对处理腔抽气使处理腔内的压力达到第一负压值；在第一时间内保持处理腔内压力低于第一负压值，以使芯片堆叠结构中的水分蒸发成水汽；在第二时间内持续向处理腔内通入...
    2026-03-14
  • 垂直引线精准对位的高堆叠芯片封装结构及方法
    垂直引线精准对位的高堆叠芯片封装结构及方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511577790.4
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体地说是垂直引线精准对位的高堆叠芯片封装结构及方法，包括封装模块、封装互连层‌‌、凸点，若干个封装模块垂直堆叠，上下相邻的两个封装模块中，位于上层的封装模块的芯片比位于下层的封装模块的芯片向内偏移100~20...
    2026-03-14
  • 一种芯片封装结构及方法
    一种芯片封装结构及方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511577457.3
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体地说是一种芯片封装结构及方法，包括基础封装模块、重布线层、凸点，若干个基础封装模块垂直堆叠，上下相邻的两个基础封装模块之间设有各向异性导电胶，位于端部的基础封装模块裸露焊盘上设有重布线层，重布线层的表面设有...
    2026-03-14
  • 一种高密度三维集成数字收发模块及其制备方法
    一种高密度三维集成数字收发模块及其制备方法_成都航天博目电子科技有限公司_202511850552.6
    本发明公开了一种高密度三维集成数字收发模块及其制备方法，所述模块包括底部焊球、密封基板、第一介质层、内部焊球、转接基板、第二介质层、倒装凸点、芯片、无源器件、第三介质层和密封盖板；无源器件设置在转接基板的上表面或集成在转接基板的内部；转接基...
    2026-03-14
  • 一种晶圆键合结构、设备及方法
    一种晶圆键合结构、设备及方法_湖北星辰技术有限公司_202511914009.8
    本申请提供了一种晶圆键合结构、设备及方法，晶圆键合结构包括：芯片和晶圆。芯片与晶圆键合。其中，芯片包括：多个纳米通道；多个纳米通道沿垂直方向贯穿芯片，用于排出芯片与晶圆的键合面残留的气体。纳米通道位于芯片的边缘区域。其中，边缘区域包括：靠近...
    2026-03-14
  • 壳体和包括壳体的半导体模块
    壳体和包括壳体的半导体模块_英飞凌科技股份有限公司_202511122346.3
    一种用于半导体模块的壳体包括侧壁，所述侧壁围绕壳体的内部体积水平延伸，其中壳体包括形成在侧壁的底表面中且沿壳体的周边延伸的凹槽，其中侧壁的底表面被配置为附接到衬底或基板，凹槽在竖直方向上延伸到壳体的侧壁中，凹槽包括在水平方向上具有恒定宽度的...
    2026-03-14
  • 半导体模块及其形成方法
    半导体模块及其形成方法_英飞凌科技股份有限公司_202511122345.9
    一种半导体模块包括金属片，所述金属片包括第一表面。所述半导体模块还包括耦合至所述金属片的所述第一表面的半导体管芯。电绝缘壳体包括环形框架，其中，所述电绝缘壳体包封所述半导体管芯和所述金属片的所述第一表面的至少一部分。此外，所述环形框架的接合...
    2026-03-14
  • 芯片封装结构及其制备方法、电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411141124.1
    本申请实施例提供一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于芯片封装结构的结构稳定性，提高芯片的良率。芯片封装结构包括芯片、衬垫、第一介质层、塑封层、第二介质层和凸点。芯片包括第一表面和第二表面，以及连接第一表面和第二表...
    2026-03-14
  • 芯片封装结构、芯片封装方法及封装芯片
    芯片封装结构、芯片封装方法及封装芯片_苏州国显创新科技有限公司_202511745685.7
    本申请涉及芯片封装技术领域，并具体提供了一种芯片封装结构、芯片封装方法及封装芯片，芯片封装结构包括衬底、密封盖、互连结构和阻隔层，衬底的表面设置有叉指电极，以及与叉指电极电连接的第一连接焊盘；密封盖位于衬底的一侧且与衬底固定连接，以在叉指电...
    2026-03-14
  • 芯片封装结构及其制作方法和电子设备
    芯片封装结构及其制作方法和电子设备_苏州国显创新科技有限公司_202511735416.2
    本申请提供了一种芯片封装结构及其制作方法和电子设备，芯片封装结构包括：基板；基板的一侧设置有凹槽；第一芯片，设置于凹槽中；至少一个第二芯片；第二芯片通过导电结构与第一芯片电连接；第一芯片与第二芯片之间形成第一散热通道；封装层，设置于第二芯片...
    2026-03-14
  • 芯片封装结构及芯片封装方法
    芯片封装结构及芯片封装方法_苏州国显创新科技有限公司_202511735237.9
    本申请提供了一种芯片封装结构及芯片封装方法，芯片封装结构包括：载板；第一芯片层，设置于载板的一侧；第二芯片层，设置于第一芯片层远离载板的一侧，且第二芯片层的功能面与第一芯片层的功能面相对设置；封装层，设置于载板的一侧，包覆第一芯片层和第二芯...
    2026-03-14
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_三星电子株式会社_202511152054.4
    本公开涉及一种半导体封装及其制造方法。半导体封装的示例包括：具有第一平面面积的缓冲器管芯；存储器管芯堆叠结构，包括在垂直方向上堆叠在缓冲器管芯上的中间核心管芯和顶部核心管芯并且具有比第一平面面积小的第二平面面积；粘合层，接触存储器管芯堆叠结...
    2026-03-14
  • 电子装置及其制作方法
    电子装置及其制作方法_群创光电股份有限公司_202510370731.3
    本发明公开了一种电子装置及其制作方法。电子装置包括基板、通孔、第一电子单元、第二电子单元、电路结构以及第三电子单元。基板具有第一表面、相对第一表面的第二表面、第一凹槽与第二凹槽。第一凹槽的侧壁连接第一表面，而第二凹槽的侧壁连接第一表面。通孔...
    2026-03-14
  • 芯片封装方法及芯片封装的中间结构
    芯片封装方法及芯片封装的中间结构_越润集成电路(绍兴)有限公司_202511800422.1
    本申请涉及一种芯片封装方法及芯片封装的中间结构。该芯片封装方法包括：提供临时载板。于临时载板的一侧形成金属层。金属层包括晶种层。于金属层背离临时载板的一侧形成图案化牺牲层；图案化牺牲层具有至少一个第一开口。于第一开口内的金属层背离临时载板的...
    2026-03-14
  • 一种改善半导体内应力的方法
    一种改善半导体内应力的方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411166395.2
    本发明公开了一种改善半导体内应力的方法，包括：将半导体置于真空室内，并对所述半导体进行预清洗处理；在清洗后的半导体的表面上沉积第一DLC涂层；对所述第一DLC涂层的表面进行刻蚀处理；在刻蚀后的第一DLC涂层的表面上沉积第二DLC涂层；对所述...
    2026-03-14
  • 引线框架、芯片封装模块及封装方法
    引线框架、芯片封装模块及封装方法_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202610059541.4
    本发明涉及芯片封装技术领域，公开一种引线框架、芯片封装模块及封装方法，该引线框架包括：框架主体；散热片，通过散热片连筋连接在框架主体上，散热片的一面被配置为散热面，散热片上与散热面相对的一面被配置为供芯片贴装的贴装面；多个引脚，一端配置为连...
    2026-03-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511138134.4
    本发明提供一种半导体装置，其不容易产生由振动引起的引线部断裂。本发明的半导体装置包括：具有多个引线部(10)的半导体模块(1)、连接到半导体模块(1)的多个引线部(10)的电路基板(2)、以及安装在半导体模块(1)中的与电路基板(2)侧相反...
    2026-03-14
  • 一种半导体封装结构及制备方法
    一种半导体封装结构及制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411170618.2
    本发明提供一种半导体封装结构及制备方法，该半导体封装结构包括电路基板及键合于电路基板表面的第二芯片单元，第二芯片单元包括多层堆叠的第一芯片单元，第一芯片单元包括上下键合的第一芯片及第二芯片。本发明采用两层芯片键合的结构作为单个堆叠单元，相较...
    2026-03-14
  • 一种引脚外露的封装结构及封装方法
    一种引脚外露的封装结构及封装方法_合肥矽迈微电子科技有限公司_202610139177.2
    本发明公开了一种引脚外露的封装结构及封装方法，包括以下步骤：包封整体有多个均匀排列且间隔切割道的封装体，以相邻封装体斜对直角连线交叉点为每组蚀刻中心点，蚀刻切割道并延伸至封装体形成凹槽；在封装体的第一表面上电镀引脚A，引脚A与封装体内部电性...
    2026-03-14
  • 一种高强度键合金丝及其生产工艺
    一种高强度键合金丝及其生产工艺_福建泉州市中鑫智连半导体材料有限公司_202610125265.7
    本发明涉及键合金丝技术领域，具体涉及一种高强度键合金丝及其生产工艺，包括以下步骤：按照重量百分比称取原料：铜0.002~0.003wt%、镁0.001~0.002wt%、钙0.0002~0.0008wt%、钯0.0005~0.002wt%、...
    2026-03-14
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