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最新专利技术
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202511055711.3
    根据本公开的实施方式的显示装置可以包括：包括发光器件的基板、设置在基板上的绝缘层、设置在绝缘层上并且包括被定位成与绝缘层的接触孔交叠的阻挡层、以及设置在绝缘层的接触孔和阻挡孔中并且设置在阻挡层上的行连接电极。
    2026-03-16
  • 显示面板、电子设备和制作方法
    显示面板、电子设备和制作方法_京东方科技集团股份有限公司_202411162584.2
    本申请提供了一种显示面板、电子设备和制作方法，显示面板包括驱动背板、第一电极、第二电极、第一半导体层、第一发光层、第二半导体层、第二发光层和第三半导体层，第一电极位于驱动背板上，第一发光层、第二半导体层、第二发光层和第三半导体层依次层叠设置...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其制作方法、显示面板、显示设备
    半导体结构及其制作方法、显示面板、显示设备_北京小米移动软件有限公司_202411162285.9
    本公开是关于一种半导体结构及其制作方法、显示面板、显示设备，半导体结构包括基底、第一电极层、第二电极层和纳米棒发光二极管，第一电极层设置于基底上。第二电极层设置于基底上，在半导体结构的堆叠方向上，第二电极层高于第一电极层设置。纳米棒发光二极...
    2026-03-16
  • 显示面板及其制作方法
    显示面板及其制作方法_成都辰显光电有限公司_202411124191.2
    本申请提供一种显示面板及其制作方法，涉及显示面板技术领域，所述显示面板包括驱动背板、焊盘组及发光器件，至少一个焊盘组位于驱动背板的一侧，至少一个焊盘组包括两个焊盘，焊盘远离驱动背板的一侧设置有容置结构，同一焊盘组的两个焊盘的容置结构配合形成...
    2026-03-16
  • 半导体封装结构、显示器件及半导体封装方法
    半导体封装结构、显示器件及半导体封装方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511798578.0
    本发明揭示了半导体封装结构、显示器件和半导体封装方法，半导体封装结构包括：第一基板，具有第一焊盘，所述第一焊盘设置于所述第一基板的第一表面；导电柱，设置于所述第一焊盘，所述导电柱背离所述第一焊盘的一侧用于和第二基板电连接；发光器件，设置于所...
    2026-03-16
  • 显示模组及显示装置
    显示模组及显示装置_广州国显科技有限公司_202511624142.X
    本申请公开了一种显示模组及显示装置，显示模组包括显示面板和覆晶薄膜，显示面板包括阵列基板和设置于阵列基板的第一邦定焊盘；覆晶薄膜包括基板和设置于基板的第二邦定焊盘和走线，基板包括面向显示面板的第一表面，第二邦定焊盘设置在第一表面上并与第一邦...
    2026-03-16
  • 发光基板和显示装置
    发光基板和显示装置_合肥京东方瑞晟科技有限公司_202411175489.6
    一种发光基板和显示装置，发光基板包括：衬底；设置在衬底上的驱动层，驱动层具有多个导电垫；位于驱动层远离衬底一侧的多个发光单元，发光单元具有多个电极，每个电极通过相应的焊料部与一个导电垫电连接，焊料部中包括银元素；其中，电极在衬底上的正投影位...
    2026-03-16
  • 发光装置及电子设备
    发光装置及电子设备_精工爱普生株式会社_202511193789.1
    本发明提供能够降低电气布线的断线及高电阻化的可能性的发光装置。发光装置包括：基板；第一层叠体，具有第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、及第一发光层；第一绝缘层，设置于第一层叠体的侧面；第一金属层，设置于第一绝缘层并位于第一层...
    2026-03-16
  • 显示面板、LED芯片键合方法及显示装置
    显示面板、LED芯片键合方法及显示装置_成都辰显光电有限公司_202411174614.1
    本申请涉及一种显示面板、LED芯片键合方法及显示装置。显示面板包括：基底，基底上具有多个键合电极组，键合电极组包括第一键合电极和第二键合电极，第一键合电极和第二键合电极之间具有定位间隔；多个LED芯片，一个LED芯片与一个键合电极组对应，L...
    2026-03-16
  • 用于微型LED芯片转移的承接载板的制备方法和转移方法
    用于微型LED芯片转移的承接载板的制备方法和转移方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511792381.6
    本发明涉及微电子制造技术领域，公开了用于微型LED芯片转移的承接载板的制备方法和转移方法，制备方法包括：对承接载板基材进行清洗和氧气等离子体活化；采用辊轮刮刀涂布工艺制备五层结构复合膜材，所述复合膜材包括PET基材层及分别涂布于其两侧的第一...
    2026-03-16
  • 一种解决一体式RGB LED余辉的方法及其器件
    一种解决一体式RGB LED余辉的方法及其器件_横店集团得邦照明股份有限公司_202511770888.1
    本发明公开了一种解决一体式RGB LED余辉的方法，包括以下步骤：在红光LED芯片的任一电极上串联一个补偿电阻R1；补偿电阻R1通过金属键合线或焊接与红光LED芯片的电极电连接；补偿电阻R1使红光LED芯片所在支路的总正向压降提升至与蓝光L...
    2026-03-16
  • 一种低蓝光LED面板灯的制备方法
    一种低蓝光LED面板灯的制备方法_百家丽(中国)照明电器有限公司_202511751584.0
    本发明公开了一种低蓝光 LED 面板灯的制备方法，属于 LED 照明技术领域。该方法通过蓝光芯片筛选、复合荧光粉体系优化、多层光学结构设计及散热协同调控，实现蓝光波段(430‑460nm)辐射功率占比≤5%，同时保证显色指数 Ra≥85、光...
    2026-03-16
  • 一种Mini LED白光发光件的加工方法
    一种Mini LED白光发光件的加工方法_长春富维集团汽车零部件股份有限公司_202511751049.5
    本发明提供一种Mini LED白光发光件的加工方法，首先测量所有Mini LED晶元的波长分布和PCB的排布图；然后基于此数据，设计出与之匹配的、非均匀的荧光粉胶层分区方案；最后，根据每个荧光粉分区的最终光学性能，标定各电子驱动分区的最佳驱...
    2026-03-16
  • 量子点封装体及其制作方法、发光器件、显示装置
    量子点封装体及其制作方法、发光器件、显示装置_深圳TCL新技术有限公司_202511934971.8
    本申请实施例提供一种量子点封装体及其制作方法、发光器件、显示装置。量子点封装体包括上盖板、下盖板、壳体以及量子点材料，上盖板和下盖板相对设置，壳体设于上盖板和下盖板之间，壳体具有贯穿其两端的内腔，壳体的两端分别与上盖板和下盖板连接，量子点材...
    2026-03-16
  • 一种耐高温型LED电极保护剂及其制备方法
    一种耐高温型LED电极保护剂及其制备方法_福建省佑达环保材料有限公司_202511748429.3
    本发明公开了一种用于LED芯片封装领域的耐高温型LED电极保护剂及其制备方法，包括如下按质量百分数之和为100%计的组分：pH调节剂0.1‑5%，醇类溶剂20‑30%，含噻二唑的咪唑啉型双子季铵盐表面活性剂0.1‑5%，含巯基含氮杂环化合物...
    2026-03-16
  • 一种微发光二极管及其显示装置
    一种微发光二极管及其显示装置_厦门三安光电有限公司_202511534441.4
    本发明公开了一种微发光二极管及其显示装置，具有半导体层序列，半导体层序列包括背侧和正侧，从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层，有源层位于两者之间，半导体层序列的背侧具有暴露部分，暴露部分贯穿第二类型半导体层、有源层，露出第一...
    2026-03-16
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511620546.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其沿自下向上的方向依次包括：第一半导体层、超晶格层、发光层以及第二半导体层；发光二极管具有V型坑，V型坑由超晶格层向发光层延伸；V型坑具有倾斜侧壁，定义倾斜侧壁的上下两端分别为第一端点和...
    2026-03-16
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511620529.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其沿自下向上的方向依次包括：第一半导体层、超晶格层、发光层以及第二半导体层；发光二极管具有V型坑，V型坑由超晶格层向发光层延伸；V型坑具有倾斜侧壁，定义倾斜侧壁的上下两端分别为第一端点和...
    2026-03-16
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_江西乾照半导体科技有限公司_202511694596.4
    本发明提供一种LED芯片及其制作方法，通过设置LED芯片的堆叠结构至少包括依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，第一型半导体层背离有源区的一侧为LED芯片的出光面，并在第一型半导体层中设有第一型电流扩展层，其中，第一型电流扩展...
    2026-03-16
  • 发光二极管芯片以及制作方法
    发光二极管芯片以及制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511644536.1
    本公开提供了一种发光二极管芯片以及制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括n型半导体层、p型半导体层以及位于所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的发光层；所述n型半导体层包括n型电流扩展层，所述n型电流扩展层为n型AlGaIn...
    2026-03-16
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