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最新专利技术
  • 一种高色域LED外延片及其制备方法、LED芯片
    一种高色域LED外延片及其制备方法、LED芯片_江西兆驰半导体有限公司_202511575809.1
    本发明提供一种高色域LED外延片及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，高色域LED外延片包括衬底以及层叠于衬底之上的外延层，外延层包括依次层叠的缓冲层、三维GaN层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡...
    2026-03-10
  • 一种发光二极管外延结构及发光装置
    一种发光二极管外延结构及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511657125.6
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管外延结构及发光装置，其包括第一半导体层、超晶格层、有源层以及第二半导体层；有源层具有至少两组依次堆叠的周期结构，且每组周期结构的厚度范围为250～350埃；还包括位于超晶格层和有源层之间的...
    2026-03-10
  • 一种倒装结构Micro-LED器件及其制备方法
    一种倒装结构Micro-LED器件及其制备方法_苏州纳维科技有限公司_202610107276.2
    本申请涉及光电器件制造技术领域，具体涉及一种倒装结构Micro‑LED器件及其制备方法。包括：S1、获取衬底，在其上表面形成台面结构；S2、在台面结构上形成p电极结构，并在衬底上与台面结构相间隔位置处形成n电极结构; S3、涂覆光刻胶；S4...
    2026-03-10
  • 荧光硅树脂薄膜的整平方法
    荧光硅树脂薄膜的整平方法_广东谦德半导体科技有限公司_202511782190.1
    本发明公开了一种荧光硅树脂薄膜的整平方法，涉及LED封装应用领域。一种荧光硅树脂薄膜的整平方法, 在发生翘曲的荧光硅树脂薄膜背离离型膜的一侧平整覆盖丙烯酸酯胶系整平膜，然后室温放置或烘烤至平整，将丙烯酸酯胶系整平膜从荧光硅树脂薄膜上剥离，获...
    2026-03-10
  • GaN同质衬底上的倒装结构Micro-LED单元的设计方法、倒装Micro-LED器件
    GaN同质衬底上的倒装结构Micro-LED单元的设计方法、倒装Micro-LED器件_苏州纳维科技有限公司_202511732313.0
    本发明涉及光电器件设计与制造技术领域，具体涉及一种GaN同质衬底上的倒装结构Micro‑LED单元的设计方法、倒装Micro‑LED器件。该设计方法包括：在GaN同质衬底上MOCVD生长外延结构，随后在GaN同质衬底上制备反光杯结构；在反光...
    2026-03-10
  • 适配高质量GaN基外延层的复合图形化衬底及其制备方法
    适配高质量GaN基外延层的复合图形化衬底及其制备方法_广东中图半导体科技股份有限公司_202511730996.6
    本发明属于半导体技术领域，涉及一种适配高质量GaN基外延层的复合图形化衬底及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、通过图形化转移工艺对衬底上的锥形结构的异质层进行刻蚀，以在异质层的侧壁上形成凹凸微结构；S2、在侧壁上具有凹凸微结构的异...
    2026-03-10
  • 一种电池组件及其制备方法
    一种电池组件及其制备方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610113459.5
    本发明提供一种电池组件及其制备方法，所述电池组件包括硅基底；所述硅基底上具有类金字塔结构，所述钝化膜层设置在所述类金字塔结构的表面；所述硅基底的表面包括第一区域和第二区域；所述第二区域位于所述硅基底的中部，所述第一区域位于所述硅基底的边缘区...
    2026-03-10
  • 一种具有双热界面材料的红外芯片低温测试装置
    一种具有双热界面材料的红外芯片低温测试装置_武汉高芯科技有限公司_202511752298.6
    本发明涉及一种具有双热界面材料的红外芯片低温测试装置，其包括从下至上依次设置的制冷设备、第一导热层、基板以及第二导热层；所述第一导热层位于所述制冷设备、基板之间，且分别与制冷设备表面、基板表面贴合；所述第二导热层位于所述基板、芯片之间，且分...
    2026-03-10
  • 一种长寿命光导开关及其制备方法
    一种长寿命光导开关及其制备方法_宁夏大学_202511691201.5
    本发明属于固态脉冲功率技术领域，公开了一种长寿命光导开关及其制备方法，封装外壳中设有基板，基板上设有光导开关晶片，光导开关晶片的阳极连接有阳极外导体引线，光导开关晶片的阴极连接有阴极外导体引线，光导开关晶片上还连接有光斑光纤，阳极外导体引线...
    2026-03-10
  • 一种光学传感器的共面封装结构
    一种光学传感器的共面封装结构_讯芯电子科技(中山)有限公司_202511636626.6
    本发明涉及光传感器技术领域，公开了一种光学传感器的共面封装结构，其包括：基板、发光芯片、收光芯片和垫块；基板具有第一侧面；发光芯片设于基板靠近第一侧面的一侧，发光芯片与基板电连接；发光芯片与第一侧面间隔布置；收光芯片设于基板靠近第一侧面的一...
    2026-03-10
  • 晶硅太阳电池及其制备方法
    晶硅太阳电池及其制备方法_中国科学院电工研究所_202511943853.3
    本公开提供了一种晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括N型晶体硅衬底、第一钝化层、第二钝化层、N型非晶硅层、叠层结构、第一透明导电层和第二透明导电层。第一钝化层和第二钝化层位于N型晶体硅衬底的相对表面上。N型非晶硅层位于第一钝化层上。...
    2026-03-10
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202511692632.3
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括硅衬底，所述硅衬底具有相背设置的受光面和背光面；其中，所述受光面上依次包括正面掺杂层、正面钝化层以及正面金属电极；所述背光面包括金属化区域和非金属化区域，所述金属化区域依次包括隧穿氧化...
    2026-03-10
  • 一种太阳能电池及光伏组件
    一种太阳能电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511666946.6
    本申请提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括硅片和减反结构，减反结构包括设置于硅片表面的第一减反层和设置于第一减反层表面的第二减反层。第一减反层的折射率为n11，第二减反层的折射率为n22，n11与n22满足如下关系之一：(a)‑0....
    2026-03-10
  • 具有局域化钝化接触结构的TOPCon太阳能电池及其制造方法、电池组件
    具有局域化钝化接触结构的TOPCon太阳能电池及其制造方法、电池组件_江苏润阳世纪光伏科技有限公司_202511639414.3
    本公开提供一种具有局域化钝化接触结构的TOPCon太阳能电池及其制造方法、电池组件。具有局域化钝化接触结构的TOPCon太阳能电池包括：电池硅片；多晶硅堆栈层，设于所述电池硅片的背面；介质层，设于所述多晶硅堆栈层与所述电池硅片之间；沟槽，沿...
    2026-03-10
  • 一种高效的背接触电池电极结构
    一种高效的背接触电池电极结构_四川逸仙光伏产业创新中心有限公司_202511743384.0
    本发明公开了一种高效的背接触电池电极结构，涉及电池制备技术领域，包括硅片、细栅和主栅，距离硅片第一边缘或第二边缘区域最近的一条所述主栅为第一主栅，所述第一主栅为不连续主栅结构并分割成若干个离散的Pad点状结构，若干个所述Pad点状结构形成正...
    2026-03-10
  • 一种背接触电池、电池组件和光伏系统
    一种背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511720585.9
    本发明公开了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，背接触电池包括：硅基底，硅基底包括至少一个切割区域和至少两个栅线区域，切割区域设置在相邻两个栅线区域之间，栅线区域包括多个第一细栅和多个第二细栅，多个第一细栅和多个第二细栅沿第一方向交替排布并...
    2026-03-10
  • 一种背接触电池、电池组件和光伏系统
    一种背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511720423.5
    本发明公开了一种背接触电池、电池组件和光伏系统。背接触电池包括：基片，基片的背面设置有多个第一细栅和多个第二细栅，多个第一细栅和多个第二细栅沿第一方向交替排布设置；多组沿第二方向相邻的两个第一细栅的相邻边缘围成多个第一串接区，多组沿第二方向...
    2026-03-10
  • 一种太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511717034.7
    本发明公开了一种太阳能电池、电池组件及光伏系统。太阳能电池包括：基底，所述基底的第一表面设置有若干收集栅线，所述若干收集栅线沿第一方向间隔排列；每一所述收集栅线包括沿第二方向设置的多个第一栅线段；其中，所述第一方向与所述第二方向互相垂直；部...
    2026-03-10
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202511706409.X
    本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及太阳电池及制备方法、光伏组件。该太阳电池包括电池基体和栅线，栅线包括：底层栅线，底层栅线设在电池基体的表面，底层栅线包括银层；中间层栅线，中间层栅线设于底层栅线背离电池基体的一侧，中间层栅线包括贱金属层；顶层...
    2026-03-10
  • 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及制备方法
    一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及制备方法_凯盛光伏材料有限公司_202511693735.1
    本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及制备方法，涉及薄膜太阳能电池技术领域，一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件，包括：玻璃衬底与钢化盖板玻璃，玻璃衬底与钢化盖板玻璃之间依次设置有可透光的阻挡层、背电极层、PN层、前电极层、胶膜，背电极层背...
    2026-03-10
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