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最新专利技术
  • 一种新型中置柜母线连接结构及连接方法
    一种新型中置柜母线连接结构及连接方法_湖北兴屹电气集团有限公司_202610006474.X
    本申请涉及电气设备技术领域，具体公开了一种新型中置柜母线连接结构及连接方法，其包括套管座，所述套管座包括绝缘套管和设于所述绝缘套管内部的导电芯，所述绝缘套管用于安装在中置柜上，所述导电芯的第一端设有连接板，所述连接板用于与中置柜内部的母线上...
    2026-03-13
  • 一种电气柜用束线架
    一种电气柜用束线架_南京机电职业技术学院_202511746200.6
    本发明公开了一种电气柜用束线架，涉及束线装置技术领域，包括束线组件，包括束线架主体，所述束线架主体的表面开设有第一通孔，所述束线架主体的一侧开设有第二通孔，所述束线架主体上开设有第三通孔，辅助组件，设置于束线架主体的内部。本发明通过束线组件...
    2026-03-13
  • 一种带有模块化排线结构的低压配电柜及方法
    一种带有模块化排线结构的低压配电柜及方法_永泰自动化工程(山东)股份有限公司_202511699984.1
    本发明主要涉及配电设备领域，具体的说是一种带有模块化排线结构的低压配电柜及方法。本发明包括柜体，安装基架，多个母排单元，多个回路排线单元和多个二次回路排线单元。本发明通过模块化排线结构，解决了传统配电柜布线复杂混乱的问题。模块化排线单元采用...
    2026-03-13
  • 一种高低压配电柜用母线槽
    一种高低压配电柜用母线槽_河南贝尔德电气设备有限公司_202511557054.2
    本发明公开了一种高低压配电柜用母线槽，属于高低压配电柜技术领域，包括固定板，固定板的上端面固定安装有支撑壳，支撑壳的上端滑动连接有升降框，升降框的内部滑动连接有升降台，固定板的上端面左侧与右侧均开设有螺纹孔，支撑壳与升降框之间设置有高度调节...
    2026-03-13
  • 一种电气机柜元件安装结构
    一种电气机柜元件安装结构_华能新疆能源开发有限公司奥库水电分公司_202511644244.8
    本发明涉及元件安装技术领域，且公开了一种电气机柜元件安装结构，包括：柜体，柜体的内腔上部加设有安装板，安装板的上部两侧及中心开设有限位竖孔，限位竖孔的内腔加设有限位竖板，限位竖板的正面安装有安装块，相邻安装块上的安装孔孔径大小不一；柜体的内...
    2026-03-13
  • 用于27.5KV供电系统的监测型组合电器及供电系统
    用于27.5KV供电系统的监测型组合电器及供电系统_中铁电气化局集团有限公司_202511744885.0
    本发明涉及电气设备技术领域，提供了一种用于27.5KV供电系统的监测型组合电器及供电系统。包括隔离开关、监测断路保护机构和第一隔离开关支撑绝缘子；监测断路保护机构，接入供电系统且与所述隔离开关连接，用于监测所述供电系统的电流和电压，并控制所...
    2026-03-13
  • 一种高强度变电站框架式支架
    一种高强度变电站框架式支架_青岛鼎兴钢结构工程有限公司_202511636552.6
    本发明涉及变电站设备技术领域，尤其是涉及一种高强度变电站框架式支架，包括下横架和上横架，所述上横架的两端转动连接有两个上支架，所述下横架的两端转动连接有两个下支架，位于同一端的所述上支架和下支架之间转动连接，且位于同一端的上支架和下支架之间...
    2026-03-13
  • 一种直击雷保护装置
    一种直击雷保护装置_华能大理风力发电有限公司洱源分公司_202511619077.1
    本发明涉及一种直击雷保护装置，属于雷电防护技术领域，包括安装底座，安装底座顶端设置有高压大电流开关，高压大电流开关顶端设置有金属电极；高压大电流开关的上下端子分别与金属电极和接地导线电连接，接地导线与外部接地网电连接；金属电极上还设置有可变...
    2026-03-13
  • 具有钌基材料的火花塞电极
    具有钌基材料的火花塞电极_辉门点火系统有限责任公司_202510935546.4
    一种由钌基材料制成的火花塞电极，该钌基材料具有以下特性中的一个或多个特性：等轴晶粒结构、平均晶粒尺寸小于或等于50μm的晶粒结构、平均孔隙率小于或等于2％的晶粒结构和/或平均不均匀性比率小于或等于6％的晶粒结构。在一个示例中，该钌基材料是二...
    2026-03-13
  • 一种变气压火花放电装置和方法
    一种变气压火花放电装置和方法_上海科技大学_202511933255.8
    本发明提供一种变气压火花放电装置和方法，涉及火花放电领域。本发明所提供的变气压火花放电装置包括火花腔室，火花腔室的内壁上设有一对火花电极；火花腔室的侧壁上设有载气通道和控压通道；真空泵，真空泵通过控压通道与火花腔室相连接，真空泵用于抽取火花...
    2026-03-13
  • 一种多波长光子晶体表面发射激光器芯片及其制造方法
    一种多波长光子晶体表面发射激光器芯片及其制造方法_深圳市柠檬光子科技有限公司_202511241007.7
    本申请提供了一种多波长光子晶体表面发射激光器芯片及其制造方法，多波长光子晶体表面发射激光器芯片包括：衬底；至少两个沿外延生长方向堆叠设置的激光发射单元，每个激光发射单元被配置用于产生特定波长的光信号，且至少两个激光发射单元产生的特定波长互不...
    2026-03-13
  • 一种片上串联激光器bar条及其制造方法
    一种片上串联激光器bar条及其制造方法_江苏柠芯半导体有限公司_202511236159.8
    本申请提供了一种片上串联激光器bar条及其制造方法，片上串联激光器bar条包括衬底、在衬底上设置的至少两个半导体激光器单元以及片上电性互连结构，其中，每个半导体激光器单元都包含至少一个用以产生激光的半导体异质结堆叠结构，堆叠结构包括P型半导...
    2026-03-13
  • 一种单模638nm半导体激光器件及其制备方法
    一种单模638nm半导体激光器件及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511494514.1
    本发明涉及一种单模638nm半导体激光器件及其制备方法。该半导体激光器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、第一N限制层、第一光波导层、第二N限制层、第二光波导层、第三N限制层、下波导层、GaInP第一量子阱、AlGaInP第一垒...
    2026-03-13
  • 基于二阶光栅衍射的面发射半导体激光器及其制备方法
    基于二阶光栅衍射的面发射半导体激光器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511412203.6
    本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种基于二阶光栅衍射的面发射半导体激光器及其制备方法，激光器包括衬底层，在衬底层的顶面设置外延层，外延层通过刻蚀形成通电增益部分和出光光栅部分；其中，通电增益部分包括脊波导，脊波导的顶面构成P型台面，脊波...
    2026-03-13
  • 一种非稳腔半导体激光器芯片的制备方法及半导体器件
    一种非稳腔半导体激光器芯片的制备方法及半导体器件_山东华光光电子股份有限公司_202511585649.9
    本发明提供一种非稳腔半导体激光器芯片的制备方法及半导体器件，属于半导体激光器芯片制备技术领域，本发明通过在非出光腔面引入弧形布拉格光栅，通过布拉格光栅作为反射镜代替自然解理面所形成的反射镜，为减小自然解理面剩余反射率所带来的影响，在非出光腔...
    2026-03-13
  • 基于环状布拉格光栅的二维全固态大角度蝶型激光器
    基于环状布拉格光栅的二维全固态大角度蝶型激光器_聚光科芯(杭州)光电子科技有限公司_202511487190.9
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为基于环状布拉格光栅的二维全固态大角度蝶型激光器，包括：衬底；激光量子阱增益层，设置在所述衬底的上端面；环状布拉格光栅，刻蚀在所述激光量子阱增益层的上部波导层；上包层，通过半导体二次外延法构建在所述环状布...
    2026-03-13
  • 一种具备智能反馈系统的宏通道激光器及其制备方法
    一种具备智能反馈系统的宏通道激光器及其制备方法_郑州中镭光电科技有限公司_202511578667.4
    本申请涉及半导体激光器制备领域，公开了一种具备智能反馈系统的宏通道激光器及其制备方法，包括：激光器芯片、热沉、光电探测器模块、温度检测模块、电路板、显示屏和通信接口。所述光电探测器模块安装在热沉表面用于监测能量；所述温度检测模块安装在靠近芯...
    2026-03-13
  • 一种可连续调谐的钙钛矿激光器及其制备方法和应用
    一种可连续调谐的钙钛矿激光器及其制备方法和应用_北京工业大学_202511602477.1
    本发明提供一种可连续调谐的钙钛矿激光器及其制备方法和应用，涉及半导体技术领域。本发明的可连续调谐的钙钛矿激光器，包括相对平行设置的上反射镜和下反射镜，所述上反射镜的内侧依次设置钙钛矿增益层、间隔层，所述间隔层和下反射镜的内层分别设置上ITO...
    2026-03-13
  • 一种半导体多波长独立激光发生装置的控制方法
    一种半导体多波长独立激光发生装置的控制方法_广州可美斯光电科技有限公司_202511312025.X
    本发明公开了一种半导体多波长独立激光发生装置的控制方法，属于半导体激光器技术领域，其装置包括转接线路板、巴条和主机，所述巴条的正负极通过所述转接线路板的转接端子与所述主机电连接；其方法包括：S1：获取用户选择的模式；S2：所述主机根据用户选...
    2026-03-13
  • 一种电吸收调制半导体激光器芯片及其制备方法
    一种电吸收调制半导体激光器芯片及其制备方法_江苏索尔思通信科技有限公司_202511646911.6
    本发明涉及一种电吸收调制半导体激光器芯片及其制备方法，属于光通信技术领域，包括衬底、设置在衬底上方的下拓展波导结构、设置在下拓展波导结构上方并具有量子阱结构的LD部分、设置在下拓展波导结构上方并与LD部分相对接的EAM部分、设置在下拓展波导...
    2026-03-13
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