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最新专利技术
  • 一种基于Tree-LSTM与PPO的VLSI布局规划优化方法
    一种基于Tree-LSTM与PPO的VLSI布局规划优化方法_福州大学_202511605459.9
    本发明公开了一种基于Tree‑LSTM与PPO的VLSI布局规划优化方法，属于电子设计自动化技术领域。该方法首先利用O树结构表示模块布局，通过Tree‑LSTM提取层次化状态特征；设计包含旋转、交换、移动操作的参数化动作空间，并引入动作掩码...
    2026-04-26
  • 一种基于图层连接文件寻找最长电路链路的方法
    一种基于图层连接文件寻找最长电路链路的方法_深圳华大九天科技有限公司_202511592747.5
    本申请提供了一种基于图层连接文件寻找最长电路链路的方法，该方法包括：基于图层连接文件中所有的图层及连接关系，构建双向连通的图模型；采用改进的深度优先搜索算法遍历所述图模型，以查找最长路径；所述改进包括：将过孔层节点与物理图层节点共同作为访问...
    2026-04-26
  • 集成电路布局优化方法、装置、设备、介质及产品
    集成电路布局优化方法、装置、设备、介质及产品_武汉大学_202511525987.3
    本发明公开了一种集成电路布局优化方法、装置、设备、介质及产品，属于集成电路技术领域，该方法包括：获取第一深度学习模型，第一深度学习模型用于根据输入的集成电路布局预测与该集成电路布局对应的电磁干扰分布图和温度分布图；在仿真环境下随机初始化多个...
    2026-04-26
  • 基于器件并联的多指器件合并方法、电子设备及存储介质
    基于器件并联的多指器件合并方法、电子设备及存储介质_北京华大九天科技股份有限公司_202511478946.3
    本申请提供了一种基于器件并联的多指器件合并方法、电子设备及存储介质，所述方法包括：基于电路拓扑数据结构，识别出由同一多指器件拆分得到且彼此并联的多个器件并归入同一待分组容器；对所述待分组容器，计算其中各器件在预设工作电压点的关键指标值；基于...
    2026-04-26
  • 一种版图拼接方法和计算机设备
    一种版图拼接方法和计算机设备_华为技术有限公司_202411066810.7
    本申请提供一种版图拼接方法，包括：获取版图的多个切片的顶点的列表和边的列表；根据多个切片的顶点的列表，得到版图的顶点的列表，版图的顶点的列表包括多个切片的顶点；根据第一切片的第一图形的顶点，确定第一切片的切点，其中，第一图形是第一切片中有至...
    2026-04-26
  • 一种蒸汽冷却式电流引线的设计参数优化方法、装置、终端设备及存储介质
    一种蒸汽冷却式电流引线的设计参数优化方法、装置、终端设备及存储介质_广东电网有限责任公司电力科学研究院_202511650182.1
    本发明公开了一种蒸汽冷却式电流引线的设计参数优化方法、装置、终端设备及存储介质，属于蒸汽冷却式电流引线领域，所述方法为：设定第一漏热值、预设低温端温度和理想高温端温度；获取设计参数值不同的若干候选电流引线；根据第一漏热值、预设低温端温度、候...
    2026-04-26
  • 一种基于CNN-LSTM深度学习模型的电光开关偏置电压预测方法
    一种基于CNN-LSTM深度学习模型的电光开关偏置电压预测方法_桂林电子科技大学_202511632149.6
    本发明涉及硅基光子学技术领域，特别涉及一种基于CNN‑LSTM深度学习模型的电光开关偏置电压预测方法。本发明针对由温度变化和电荷弛豫引起的电光开关的偏置电压漂移现象，提出CNN‑LSTM混合模型的创新解决方法，该方法通过对一种铌酸锂多向可控...
    2026-04-26
  • 磁通门传感器的设计方法及磁通门传感器
    磁通门传感器的设计方法及磁通门传感器_浙江天正电气股份有限公司_202511608423.6
    本申请涉及传感器设计技术领域，公开了一种磁通门传感器的设计方法及磁通门传感器，其中，该申请的设计方法包括：获取磁通门传感器的初始磁芯参数和初始绕组参数；并基于各个初始参数建立磁通门传感器的三维有限元模型进行场路耦合瞬态仿真，根据场路仿真结果...
    2026-04-26
  • 一种超结结构参数的优化方法、装置、终端设备及存储介质
    一种超结结构参数的优化方法、装置、终端设备及存储介质_希力微电子(深圳)股份有限公司_202511545094.5
    本发明提供了一种超结结构参数的优化方法、装置、终端设备及存储介质，所述方法包括建立超结结构中各个物理参数的温度依赖模型；其中，所述温度依赖模型用于描述物理参数随温度的变化规律；根据平面结理论和雪崩击穿原理建立约束条件；其中，所述约束条件包括...
    2026-04-26
  • 适用于微动模物理仿真的微型变压器结构与参数优化方法、存储介质和电子设备
    适用于微动模物理仿真的微型变压器结构与参数优化方法、存储介质和电子设备_河南送变电建设有限公司_202511528256.4
    本发明公开了一种适用于微动模物理仿真的微型变压器结构与参数优化方法、存储介质和电子设备，包括如下步骤：针对三相三柱式结构，量化磁阻与变压器尺寸关系；构建微动模物理仿真平台，提供全工况验证环境；优化变量建立磁路‑电路耦合总损耗模型；针对标准蛇...
    2026-04-26
  • 一种基于电路结构动态变化的仿真算法自适应切换方法、装置、设备及介质
    一种基于电路结构动态变化的仿真算法自适应切换方法、装置、设备及介质_中国舰船研究设计中心_202511518209.1
    本发明公开了一种基于电路结构动态变化的仿真算法自适应切换方法、装置、设备及介质，涉及电磁兼容仿真技术领域，包括：将仿真过程中因开关切换元件状态变换产生的所有可能的电路拓扑结构用方程形式表达，对每一种电路拓扑结构对应的方程组进行编码；对各方程...
    2026-04-26
  • 一种站间闭塞仿真系统的构建方法、装置及存储介质
    一种站间闭塞仿真系统的构建方法、装置及存储介质_通号(西安)轨道交通工业集团有限公司北京分公司_202511748716.4
    本发明提供一种站间闭塞仿真系统的构建方法、装置及存储介质，从64D继电电路和相关结合电路中，获取闭塞逻辑信息和阻容器件信息；针对每一实体继电器，构建对应的虚拟继电器；基于继电器手册中的继电器时序特性信息和阻容器件信息，配置各个虚拟继电器初始...
    2026-04-26
  • 一种片上电感高频等效电路建立方法、装置、设备及介质
    一种片上电感高频等效电路建立方法、装置、设备及介质_中国科学院微电子研究所_202511622591.0
    本发明公开一种片上电感高频等效电路建立方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域，以降低片上电感高频等效电路建模的复杂性，所述片上电感高频等效电路建立方法，包括：基于目标电感器件的含有射频GSG PAD的测试件，构建三种含有射频GSG PA...
    2026-04-26
  • SoC芯片的网表后仿真方法及装置
    SoC芯片的网表后仿真方法及装置_遇贤微电子(广州)有限公司_202511610281.7
    本申请公开了一种SoC芯片的网表后仿真方法及装置，方法包括：将SoC芯片电路设计中的所有异步路径划分为n条异步路径；针对n条异步路径中的每条异步路径，获取覆盖该异步路径的网表组合；为每个网表组合分别生成网表组合配置文件，网表组合配置文件记录...
    2026-04-26
  • 电解电容寿命预测方法
    电解电容寿命预测方法_广东电邦新能源科技有限公司_202511597290.7
    本发明提供了电解电容寿命预测方法，以环境温度、运行时间及基于纹波电压与纹波电流计算得出并经过温度补偿的等效串联电阻ESR为输入数据，以电解电容的剩余使用寿命RUL为标签；根据电解电容的失效机理，当ESR增大至其初始值的2倍时，表明电解液已显...
    2026-04-26
  • 一种轴径向磁通分段转子开关磁阻电机设计方法
    一种轴径向磁通分段转子开关磁阻电机设计方法_中国矿业大学_202511575545.X
    本发明公开了一种轴径向磁通分段转子开关磁阻电机设计方法，设计方法具体步骤如下：先确定电机的基本额定结构参数, 进而根据轴向与径向分段转子复合要求、轴向和径向定子与分段转子的复合要求对电机的关键结构参数进行匹配整合，并通过对比不同槽极配合下电...
    2026-04-26
  • 基于截球形微Bump-CTSV互连结构的等效电路建模方法
    基于截球形微Bump-CTSV互连结构的等效电路建模方法_西安电子科技大学_202511489873.8
    本发明公开了一种基于截球形微Bump‑CTSV互连结构的等效电路建模方法，包括：构建包括顶部截球形微Bump、底部截球形微Bump和CTSV互连结构的截球形微Bump‑CTSV互连结构；计算CTSV互连结构的电感、电阻、介质电容、氧化层电容...
    2026-04-26
  • 一种射频集成电路多仿真器自动化调试优化方法及系统
    一种射频集成电路多仿真器自动化调试优化方法及系统_中山大学_202511467478.X
    本发明提供一种射频集成电路多仿真器自动化调试优化方法及系统，设计集成电路设计技术领域，本发明通过构建包括多个不同类型的仿真器的仿真和迭代系统；然后利用仿真和迭代系统对电路的原理图、版图、异质结构以及封装结构进行联合设计优化和自动化联合仿真；...
    2026-04-26
  • 一种SiC MOSFET栅漏极缓冲电路参数设计方法及系统
    一种SiC MOSFET栅漏极缓冲电路参数设计方法及系统_西南交通大学_202511372835.4
    本发明涉及半导体功率器件领域，涉及一种SiC MOSFET栅漏极缓冲电路参数设计方法及系统，所述方法包括获取预设的SiC MOSFET栅漏极缓冲电路的双脉冲测试电路；基于预设的SiC MOSFET栅漏极缓冲电路的双脉冲测试电路构建SiC M...
    2026-04-26
  • 一种微系统单粒子效应风险评估方法
    一种微系统单粒子效应风险评估方法_扬州大学_202511328444.2
    本发明公开了一种微系统单粒子效应风险评估方法，包括：构建器件级模型和电路级模型，对器件进行单粒子效应仿真，得到不同线性能量传输值LET下的单粒子瞬态电流曲线；通过双指数模型拟合，得到各模块的LET阈值；基于系统架构建立故障树模型并进行定量分...
    2026-04-26
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