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最新专利技术
  • 一种半导体用引线框架加工设备
    一种半导体用引线框架加工设备_深圳突破者科技有限公司_202511470202.7
    本发明公开了一种半导体用引线框架加工设备，具体涉及半导体部件加工技术领域，包括机架、蚀刻喷头和框架胚料，所述机架的顶端固定连接有用于将框架胚料放置的工作台，所述工作台与框架胚料之间设有若干个定压组件，每组所述定压组件均包括活动连接在工作台顶...
    2026-02-04
  • 一种用于生产模制电子装置的方法
    一种用于生产模制电子装置的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510985231.0
    一种用于生产模制电子装置的方法包括提供第一金属框架，第一金属框架包括多个管芯焊盘以及将管芯焊盘固定就位的多个第一连接器。垂直功率半导体管芯附接到每个管芯焊盘。一个或多个第二金属框架与第一金属框架垂直对准。每个第二金属框架包括多个第一接触焊盘...
    2026-02-04
  • 一种含能器件及其制备方法
    一种含能器件及其制备方法_中国电子科技集团公司信息科学研究院_202511315298.X
    本发明提供一种含能器件及其制备方法，该器件包括硅衬底、热激发含能层、加热电极和含能材料层；热激发含能层设置于硅衬底，热激发含能层包括多个不规则的微纳孔隙和填充于微纳孔隙的强氧化剂结晶物；含能材料层设置于热激发含能层；加热电极包括高阻热激发区...
    2026-02-04
  • 一种半导体含能器件结构及其制备方法
    一种半导体含能器件结构及其制备方法_中国电子科技集团公司信息科学研究院_202511315290.3
    本发明提供一种半导体含能器件结构及其制备方法，该结构包括基座、热激发含能层、加热电极和含能材料层；热激发含能层设置于基座之上；加热电极设置于热激发含能层之上；含能材料层覆盖于热激发含能层和加热电极之上；热激发含能层包括多个不规则的微纳孔隙和...
    2026-02-04
  • 实现分腔屏蔽的封装方法及封装体
    实现分腔屏蔽的封装方法及封装体_长电科技管理有限公司_202511281052.5
    本发明提供一种实现分腔屏蔽的封装方法及封装体，属于半导体封装技术领域，在本发明中，隔离墙的端部侧壁距离基板的边缘具有一距离，在形成封装体的工艺过程中无需切割隔离墙，能够避免切割导致的材料变形与刀具损耗问题。在工艺过程中去除隔离墙端部侧壁处的...
    2026-02-04
  • 一种双模式冷却的固态断路器及其热管理方法
    一种双模式冷却的固态断路器及其热管理方法_浙江大学_202512000416.4
    本发明公开了一种双模式冷却的固态断路器及其热管理方法，属于功率半导体器件热管理领域。所述固态断路器包括功率半导体裸片、歧管微通道散热器、沸腾相变冷却腔体、电子氟化液、冷凝器、电磁阀、调速泵以及驱动及控制系统。本发明通过采集功率半导体芯片的导...
    2026-02-04
  • 半导体封装结构和电子设备
    半导体封装结构和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511865048.3
    本公开涉及一种半导体封装结构和电子设备，该半导体封装结构包括基板、芯片、封堵结构以及导热结构，其中，封堵结构的散热盖通过第二结构层连接于芯片，以使得散热盖、第二结构层以及芯片之间合围成用于容纳冷却介质的冷却腔；导热结构包括间隔布置的多个导热...
    2026-02-04
  • 一种适用于3DIC的流动沸腾型歧管微通道散热结构
    一种适用于3DIC的流动沸腾型歧管微通道散热结构_西安交通大学_202511493485.7
    本申请属于半导体芯片及集成电路封装散热技术领域，公开了一种适用于三维集成电路(3DIC)的流动沸腾型歧管微通道散热结构，旨在解决现有技术中存在的散热效率不足、冷却分布不均及结构集成困难等问题。该结构包括冷却介质入口、冷却介质出口、三维集成电...
    2026-02-04
  • 一种连续射流微通道冷板及冷却方法
    一种连续射流微通道冷板及冷却方法_中国电子科技集团公司第十四研究所_202511377691.1
    本发明针对传统微通道冷板换热性能差、系统流阻高、温度一致性差、强化结构加工成本高昂等问题，提出了一种连续射流微通道冷板及冷却，采用盖板层+底板层的全并联立体射流结构，通过在盖板层与底板层分别加工常规微通道翅片并交错互联，形成连续射流微腔，实...
    2026-02-04
  • 一种基于双层整流结构的两相液冷散热装置及制备方法
    一种基于双层整流结构的两相液冷散热装置及制备方法_浙江大学_202512001774.7
    本发明公开了一种基于双层整流结构的两相液冷散热装置及制备方法，属于半导体散热领域，一种基于双层整流结构的两相液冷散热装置，包括：两侧分别设有入口槽和出口槽的歧管层，歧管层内具有交错设置的若干入口歧管和若干出口歧管；间隔设有若干微通道单元的微...
    2026-02-04
  • 热界面结构及其形成方法、封装结构
    热界面结构及其形成方法、封装结构_上海壁仞科技股份有限公司_202511806332.3
    本公开实施例提供一种热界面结构及其形成方法、封装结构，所述热界面结构具有被配置成与发热器件和散热构件接触的热接触表面，所述热接触表面包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面，且所述热界面结构包括：导热件，在所述第一方向上从所述第一表面延伸至...
    2026-02-04
  • 功率半导体封装结构
    功率半导体封装结构_南京能利芯科技有限公司_202511704582.6
    本发明公开了一种功率半导体新型封装结构，涉及功率器件散热与电气互联技术领域。该封装结构包括功率半导体芯片、双面金属化半绝缘碳化硅基板以及散热器。半绝缘碳化硅基板由上部导电金属层、中间半绝缘碳化硅基板和下部导电金属层构成；功率半导体芯片通过焊...
    2026-02-04
  • 一种散热基板及其制备方法、半导体功率模块
    一种散热基板及其制备方法、半导体功率模块_武汉山拓微电子有限公司_202511571616.9
    本发明公开了一种散热基板及其制备方法、半导体功率模块，其中，散热基板包括：导电层；绝缘层，绝缘层位于导电层的一侧；散热底板，散热底板位于绝缘层远离导电层的一侧；第一类金刚石层或第一金刚石层，第一类金刚石层或第一金刚石层位于散热底板远离绝缘层...
    2026-02-04
  • 具有散热细微结构的金属片及自发性循环散热系统
    具有散热细微结构的金属片及自发性循环散热系统_聚嵘科技股份有限公司_202410996614.3
    本发明公开一种具有散热细微结构的金属片及包含其的自发性循环散热系统。具有散热细微结构的金属片具有通过激光模组所产生的激光诱发而产生的散热细微结构，散热细微结构包括多个呈现周期性排列的微结构体，多个微结构体各自具有0.1μm至100μm的深度...
    2026-02-04
  • 半导体封装散热结构及其制备方法
    半导体封装散热结构及其制备方法_庆鼎精密电子(淮安)有限公司_202410995573.6
    本申请提出一种半导体封装散热结构及其制备方法。本申请通过在芯片表面和基板的焊盘上分别设置第一导热界面材料层和第二导热界面材料层，并将散热片与第一导热界面材料层和第二导热界面材料层连接，使得散热片与芯片之间的间隙以及散热片与基板之间的间隙被导...
    2026-02-04
  • 一种晶圆测温系统及其封装方法
    一种晶圆测温系统及其封装方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410993124.8
    本申请提供一种晶圆测温系统包括相互键合的第一晶圆和第二晶圆以及检测电路组件，所述第一晶圆和所述第二晶圆的键合面分别为第一键合面和第二键合面，所述第二键合面上设置有第一凹槽，所述检测电路组件包括：多个温度传感器，设置在所述第一晶圆中，用于测量...
    2026-02-04
  • 面向Chiplet架构的一体化集成散热波纹管路制造方法
    面向Chiplet架构的一体化集成散热波纹管路制造方法_上海三盛健康科技股份有限公司_202511500504.4
    本申请涉及一种面向Chiplet架构的一体化集成散热波纹管路制造方法，包括如下步骤：S1，波纹管端部平头处理；S2，连接件和接头法兰检查；S4，连接波纹管和接头法兰，还包括连接环，连接环套接于波纹管端部，连接环对接接头法兰，连接环和接头法兰...
    2026-02-04
  • 具有受控放电路径的高电压隔离
    具有受控放电路径的高电压隔离_德州仪器公司_202510914814.4
    本申请案涉及具有受控放电路径的高电压隔离。公开了一种包含电容式HV隔离组件(102)的半导体装置(100)和其制造方法。在一个实例中，所述半导体装置(100)包括：半导体衬底(101)；底电容器板(104)，其在所述半导体衬底(101)上方...
    2026-02-04
  • 半导体结构
    半导体结构_长鑫存储技术有限公司_202511612872.8
    本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：沿预设方向排列的至少一层地层和至少一层电源层，以及沿预设方向延伸的过孔结构；第一保护结构以及第二保护结构，在沿环绕过孔结构侧壁的方向上，第一保护结构和第二保护结构依次环绕过孔结构侧壁设置...
    2026-02-04
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511618885.6
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有自衬底表面向衬底内延伸的沟槽；通过液相沉积工艺在沟槽内沉积氟掺杂的硅基前驱体薄膜，氟掺杂的硅基前驱体薄膜填充沟槽的部分深度；在氟掺杂的硅基前驱体薄膜上形成隔离材料层...
    2026-02-04
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