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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202311844856.2
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：提供半导体结构；所述半导体结构包括阵列区和至少部分围绕所述阵列区的虚设区，所述阵列区包括第一堆叠结构，所述虚设区包括第一填充层；在所述第一堆叠结构上形成多条第一导电线且在所述第一填充...
    2026-02-07
  • 一种高密度三维垂直结构存储器及其制备方法
    一种高密度三维垂直结构存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511170399.2
    本发明提供了一种高密度三维垂直结构存储器及其制备方法，包括如下步骤：在衬底上的堆叠结构中形成字线结构；填充绝缘介质，在字线结构两侧的绝缘介质中形成通孔结构；在通孔结构中形成存储介质层；在通孔结构内形成顶电极层。本发明针对叠层孔刻蚀工艺瓶颈，...
    2026-02-07
  • 存储器及其制作方法、操作方法、电子设备
    存储器及其制作方法、操作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411018190.X
    本公开涉及一种存储器及其制作方法、操作方法、电子设备，存储器包括：多个存储单元，沿平行于衬底的第一方向、第二方向以及垂直于衬底的第三方向阵列，每个存储单元包括第一电极、铁电层及第二电极，铁电层环绕第二电极，第一电极环绕铁电层；多个选通线，沿...
    2026-02-07
  • 一种三维铁电存储器及其制备方法
    一种三维铁电存储器及其制备方法_北京超弦存储器研究院_202511818676.6
    本发明公开一种三维铁电存储器及其制备方法，属于半导体存储器领域。本发明通过将相邻层的位线设计为正交结构，将其从大面积的平行板减小为垂直方向的交叉点区域，从而将层间寄生电容降低约一倍。本发明可直接减小RC延迟，使得读写信号的建立速度更快，从而...
    2026-02-07
  • 基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法
    基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法_材料科学姑苏实验室_202511999604.6
    本申请实施例涉及一种基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法，包括采用等离子体增强原子层沉积(PE‑ALD)工艺生长异质多层薄膜(包括铁电层)。采用PE‑ALD工艺外延生长的铁电薄膜晶体管，铁电层的极化状态直接改变晶体管的阈值电压，铁电...
    2026-02-07
  • 一种FLASH器件及基于FLASH器件的快速擦除方法
    一种FLASH器件及基于FLASH器件的快速擦除方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511486153.6
    本发明公开了一种FLASH器件及基于FLASH器件的快速擦除方法，FLASH器件包括两个FLASH器件控制栅引出端。方法包括分别在第二FLASH器件控制栅引出端3和第一FLASH器件控制栅引出端2施加电压，使FLASH器件控制栅1中产生电流...
    2026-02-07
  • 包括外延多晶硅源极触点的电子装置及相关系统及方法
    包括外延多晶硅源极触点的电子装置及相关系统及方法_美光科技公司_202511022407.9
    公开包括外延多晶硅源极触点的电子装置及相关系统及方法。一种电子装置包括：源极堆叠，其包括一或多种导电材料；源极触点，其邻近于所述源极堆叠；交替导电材料及介电材料的层级，其邻近于所述源极触点；及支柱，其延伸穿过所述层级及所述源极触点而到所述源...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411004401.4
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括堆叠结构、选择栅切线结构和第一沟道结构，所述选择栅切线结构沿第一方向位于所述堆叠结构的至少一部分的一侧，所述第一沟道结构沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构，所述第一沟道结构包括沟道...
    2026-02-07
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411002049.0
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构、选择栅切线结构和第一沟道结构。选择栅切线结构位于堆叠结构在第一方向上的一侧。第一沟道结构位于选择栅切线结构在第二方向上的一侧且沿第一方向延伸并贯穿堆叠结构。第一方向...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411000935.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括堆叠结构、第一栅线隔离结构和第二栅线隔离结构，堆叠结构包括栅极层以及与栅极层同层设置的第一介质层，第一栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构，第二栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411009387.7
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：位于绝缘层中的第一通孔；第一晶体管，位于所述第一通孔内；所述第一晶体管包括沿远离所述第一通孔的内壁的方向依次设置在所述第一通孔的内壁上的第一外膜层、第一栅极绝缘层...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001900.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，属于半导体技术领域，半导体器件包括设置在衬底上的第一种子层，以及设置在所述第一种子层上的一个或多个晶体管；所述晶体管包括：设置在所述第一种子层上的半导体层，所述半导体层设置有孔洞，所述孔洞暴露所述半导体...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001602.9
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备。所述半导体器件包括基底以及位于所述基底上的至少一个晶体管；所述至少一个晶体管包括第一源漏极、第二源漏极、沟道区域以及至少一个栅极，所述沟道区域沿着垂直于所述基底所在平面的方向延伸，且所述第一源漏极和所述...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001510.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：位于衬底上的存储单元，所述存储单元包括晶体管；所述晶体管包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的第二半导体层、位于所述第二半导体层的侧壁上的栅...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001503.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：位于衬底上的至少一个存储单元，所述存储单元包括：晶体管，包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的半导体层、栅电极和支撑层；所述半导体层具有内壁...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001501.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：多个存储单元阵列，分布于不同层、沿着垂直于衬底的方向堆叠且周期性分布；每个所述存储单元阵列包括位于同一层、沿平行于所述衬底的行方向和列方向间隔并阵列分布的多个存储...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001447.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：位于衬底上的逻辑单元，逻辑单元包括沿平行于衬底的行方向分布的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管包括第一半导体层和第一金属栅电极；第一半导体层与第一金属栅电极之间具...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001143.4
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，该半导体器件的制造方法包括：在衬底的一侧依次形成第一介质层、第一导电层、第二介质层、第二导电层和第三介质层；第一过孔贯穿第三介质层、第二导电层和第二介质层，在第一过孔内沉积第一非晶半导...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001001.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，属于半导体技术领域，半导体器件包括包括至少一个存储单元，所述存储单元包括设置在衬底上的第一晶体管层，以及设置在所述第一晶体管层远离所述衬底一侧的第二晶体管层；所述第一晶体管层包括设置在所述衬底上的多个下...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411000973.5
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层、沿着垂直于衬底的方向堆叠分布；每层包括沿平行于衬底的行方向和列方向间隔分布的多个存储单元；存储单元包括晶体管，晶体管包括半导体层、第一...
    2026-02-07
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