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  • 本申请涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种金属半导体接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件。该金属半导体接触结构包括相互接触的金属电极和掺杂多晶硅层,二者接触区域包括第一接触区和第二接触区;第一接触区中掺杂多晶硅层表面为平面结构,第一接触区...
  • 本申请实施例提供了一种太阳电池及包含该太阳电池的光伏组件,其中太阳电池包括硅基底,硅基底的正面包括层叠设置的第一掺杂层、第一钝化层、减反射层和正面电极,正面电极包括正面主栅和正面副栅,正面副栅与第一掺杂层导电连接;第一玻璃相层,第一玻璃相层...
  • 本申请实施例涉及光伏技术领域,提供一种太阳能电池,至少有利于提高太阳能电池的效率。太阳能电池包括:电池本体,电池本体包括相对的第一面和第二面,第一面包括沿第一方向交替排列的金属区和非金属区,金属区上用于形成电极;其中,位于电池本体在沿第一方...
  • 本发明提供一种光电探测器及其制备方法,通过设置自P电极接触层表面向内延伸至吸收层内部的微纳孔,以减少光电探测器的结体积,降低结电容,从而在不改变吸收层厚度的情况下有效提升光电探测器的RC限制带宽,保证光电探测器在保持高响应度的同时提升光响应...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,其中太阳电池包括硅衬底,硅衬底的背面包括平面区域和绒面区域;平面区域包括第一平面子区域和第二平面子区域,第二平面子区域位于第一平面子区域和绒面区域之间;在第一平面子区域,硅衬底的背面包括掺杂内...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法,该太阳电池包括硅基底、第一掺杂硅层和第二掺杂硅层,第一掺杂硅层和第二掺杂硅层均设于硅基底的背面,硅基底的背面具有分隔区,第二掺杂硅层位于分隔区内,第二掺杂硅层的两侧均通过分隔区与第一掺杂硅层相间隔;至少...
  • 本申请涉及太阳电池领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括硅基底,硅基底具有背光面和受光面;间隔设置在背光面的导电类型不同的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层,且第一掺杂硅层与第二掺杂硅层之间通过隔离区隔开;对应于第一掺杂硅...
  • 本申请涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。太阳电池包括:基底,基底的表面具有第一区域和位于第一区域之外的第二区域;图形化的掺杂层,掺杂层位于基底上,且掺杂层的位置与第一区域相对应;其中,掺杂层背离基底的表面与位...
  • 本申请涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、叠层太阳电池、光伏组件。该太阳电池包括:硅基底;图形化的掺杂硅层,设于硅基底的背光面;钝化层,设于硅基底的背光面,且掺杂硅层位于硅基底与钝化层之间;其中,背光面包括第一区域以及位...
  • 本公开提供一种硅片及其切割工艺、太阳能电池片,涉及硅片切割技术领域,包括由至少四条棱线围合形成的第一端面,其特征在于,所述第一端面上规律排布若干第一构造部,沿所述第一构造部的排布方向,靠近所述棱线的所述第一构造部的排布密度,大于远离所述棱线...
  • 本发明提供了一种金属空气桥互联结构及其制备方法。金属空气桥互联结构包括:衬底上的支撑层、包覆层和金属桥体。具体地,衬底上的支撑层具有呈连续光滑弯曲轮廓的表面。支撑层上的包覆层用于包覆支撑层。包覆层上的金属桥体沿着支撑层的表面延伸从而呈拱形,...
  • 本申请涉及异质结电池的技术领域,具体而言,涉及一种铜互联异质结电池的电极制备方法,包括:步骤S10,制备铜种子层;步骤S20,对铜种子层进行包边;步骤S30,涂布感光胶形成感光胶膜;步骤S40,激光打印栅线图形,并去除感光胶膜感光的区域;步...
  • 本申请公开一种晶硅异质结太阳电池的制备方法,涉及光伏电池技术领域。晶硅异质结太阳电池的制备方法包括如下步骤:提供切割硅片;在切割硅片的正面进行激光预图形化处理;对经激光预图形化后的切割硅片进行制绒刻蚀处理,获得制绒硅片;在制绒硅片的正面和背...
  • 本发明涉及电池技术领域,尤其涉及一种类背抛绒面异质结电池返工片的处理方法及其应用。处理方法包括以下步骤:步骤S1、若返工片表面存在透明导电氧化物膜层,则采用酸洗去除透明导电氧化物膜层;步骤S2、对经步骤S1处理后的返工片进行碱性微腐蚀二次制...
  • 本发明涉及电池技术领域,尤其涉及一种具有差异化绒面结构的异质结太阳能电池返工片的处理方法及其应用。处理方法通过S1‑S5五步工艺,先对返工片背面进行可控绒面圆化腐蚀,反射率提升0.5%‑5%,再沉积背面掩膜层,仅对正面实施碱性制绒重建金字塔...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种低划伤背接触电池及其制备方法,包括如下步骤:S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层;S3、背面进行刻蚀开口,形成第二半导体开口区;S4、制绒清洗;S5、在硅片正面依次形成第三半导体层和牺牲层;...
  • 本发明公开了太阳能电池边缘处理方法及太阳能电池的制备方法,涉及光伏技术领域。本发明创造性地采用叠片的方式进行边缘处理,并在顶部和底部设置阻隔片,处理过程中边缘处理溶液不会与中间位置接触,不会影响感光胶层、铜种子层,不会造成电池效率下降,也不...
  • 本申请涉及一种太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池。本申请的太阳能电池的制备方法包括以下步骤:提供一基底;在基底两侧分别形成第一钝化层和第二钝化层;在第一钝化层和第二钝化层上分别形成n型掺杂层和p型掺杂层;在n型掺杂层和p型掺杂层上分别形...
  • 本发明公开一种三结柔性太阳电池及其制备方法,包括在GaAs衬底上生长倒装三结太阳电池的外延层,所述外延层从衬底起依次包括GaInP顶电池、GaAs中电池和InGaAs底电池;然后在InGaAs底电池表面蒸镀AZO膜,在AZO膜上交替沉积多对...
  • 本发明属于远红外折射率探测器技术领域,特别涉及一种基于薄型超表面的远红外折射率探测器及其制备方法。提供极性电介质衬底与高折射率材料,通过椭偏测试获取两者的介电函数,将所得参数作为输入进行全波数值模拟,构建超表面物理模型,测试待测介质的透射率...
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