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最新专利技术
  • 一种用于MALDI-TOF MS宽质量范围离子最佳分辨率的参数优化方法
    一种用于MALDI-TOF MS宽质量范围离子最佳分辨率的参数优化方法_中国科学院大连化学物理研究所_202511574182.8
    本发明涉及质谱技术领域，具体涉及一种用于MALDI‑TOF MS宽质量范围离子最佳分辨率的参数优化方法，通过数学聚合方法对宽质量范围内各质量数点的分辨率值进行算术平均或加权求和的方式，引入综合分辨率指标，实现了对宽质量范围离子分辨率的量化评...
    2026-03-20
  • 一种微生物与环境因子关联建模方法及系统
    一种微生物与环境因子关联建模方法及系统_安徽中医药大学_202511540085.7
    本发明涉及智能医学技术领域，揭露了一种微生物与环境因子关联建模方法及系统，所述方法包括：根据标准化数据集中特征的分布数据，确定特征的信息熵值；筛选出特征熵值集合中特征权重高于预设阈值的特征，得到关键特征集；以关键特征集为节点，以相互作用关系...
    2026-03-20
  • 基于双通道层次交互学习的蛋白配体结合亲和力预测方法
    基于双通道层次交互学习的蛋白配体结合亲和力预测方法_西北师范大学_202411806606.4
    本发明公开了一种基于双通道层次交互学习的蛋白配体结合亲和力预测方法，尤其涉及基于双通道层次交互学习的亲和力预测方法。步骤如下：S1：基于包含三维结构和化学数据的蛋白质‑配体复合物空间结构，构建涉及原子尺度到子结构尺度的六个化学实体相互作用图...
    2026-03-20
  • 一种内存测试设备电压校正方法及系统
    一种内存测试设备电压校正方法及系统_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511961631.4
    本发明涉及电压校正技术领域，公开了一种内存测试设备电压校正方法及系统，方法包括：系统初始化建立基础运行环境；响应多条件触发机制的校准请求，按预设优先级启动校准任务；采集实际电压值并通过自适应PID控制算法计算基础补偿量；结合实时温度数据与温...
    2026-03-20
  • 固态硬盘的优化方法及电子设备
    固态硬盘的优化方法及电子设备_苏州元脑智能科技有限公司_202511959590.5
    本发明公开了一种固态硬盘的优化方法及电子设备，涉及电数字数据处理技术领域，可以针对存在问题的固态硬盘进行多次数据读取，并将读取的数据分别存储至对应的存储区间，并基于全量测试测量，在单次改变一个变量的情况下，对存储区间中的任意数量的比特位置进...
    2026-03-20
  • 存储器模块测试方法与测试系统
    存储器模块测试方法与测试系统_深圳宏芯宇电子股份有限公司_202511524024.1
    本发明提供一种存储器模块测试方法与测试系统。所述方法包括：对多个存储器模块中的第一存储器模块执行第一测试操作；在执行第一测试操作后，记录对应于第一存储器模块的第一测试进度信息；在停止第一测试操作后，根据第一测试进度信息，将第一存储器模块分组...
    2026-03-20
  • 一种面向温度变化的闪存可靠性预测方法及装置
    一种面向温度变化的闪存可靠性预测方法及装置_华中科技大学_202511409888.9
    本发明公开了一种面向温度变化的闪存可靠性预测方法及装置，属于闪存可靠性测试领域。闪存可靠性预测方法包括：恒温闪存可靠性测试，获取足量恒温下闪存的可靠性参数样本，用于搭建模型；变温闪存可靠性测试，获取变温下闪存的可靠性参数样本，用于模型的泛化...
    2026-03-20
  • 存储设备的测试方法、测试装置、计算机可读存储介质
    存储设备的测试方法、测试装置、计算机可读存储介质_深圳市江波龙电子股份有限公司_202410996060.7
    本申请公开了存储设备的测试方法、测试装置、计算机可读存储介质。应用于测试装置，测试装置与存储设备通信连接，用于对存储设备进行测试，方法包括：根据预置编码规则对待写入数据进行压缩编码，得到第一基准编码数据；将第一基准编码数据存储至测试装置的存...
    2026-03-20
  • 一种自动检测Flash颗粒类型的方法、数据读取装置、电子设备及介质
    一种自动检测Flash颗粒类型的方法、数据读取装置、电子设备及介质_青芯科技(无锡)有限公司_202511502476.X
    本发明公开一种自动检测Flash颗粒类型的方法，其在开始上电后，Flash上电自检状态机切换至第一QSPI控制器配置类型，并读取Flash颗粒中的固定值，将读取到的值与预设值比较，若一致，则读取Flash颗粒的数据，上电启动，若不一致，Fl...
    2026-03-20
  • 内存测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质
    内存测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511961258.2
    本申请提供了一种内存测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，属于内存测试技术领域。该方法包括：获取应用核数量，对各个应用核进行标号；获取待测内存的内存测试范围，根据内存测试范围和应用核数量为各应用核分配多个待测块，对各应用核被分配的各...
    2026-03-20
  • 一种固态存储器后端回环测试方法
    一种固态存储器后端回环测试方法_山东华芯半导体有限公司_202511685595.3
    本发明涉及固态存储领域，具体是一种固态存储器后端回环测试方法。本方法将回环测试接口的实现与上层主要业务逻辑分离，使得在保留后端处理流程架构的基础上，仅适当修改初始化步骤并替换闪存控制器相关寄存器操作的回调函数就可以从正常固件运行模式切换到回...
    2026-03-20
  • 一种存储设备异常掉电重建数据的方法、设备及介质
    一种存储设备异常掉电重建数据的方法、设备及介质_珠海妙存科技有限公司_202511249961.0
    本申请公开一种存储设备异常掉电重建数据的方法、设备及介质，首先获取存储设备中待重建的、含多个物理块的虚拟数据块；再将物理块中相同物理位置的字线组成同步编程字线组，每条字线含多个闪存页；接着按闪存页的页数顺序从后往前的顺序读取闪存页。若读取当...
    2026-03-20
  • 在单元阵列结构中包括反熔丝单元阵列的存储器装置
    在单元阵列结构中包括反熔丝单元阵列的存储器装置_三星电子株式会社_202510565212.2
    提供了一种在单元阵列结构中包括反熔丝单元阵列的存储器装置。该存储器装置包括：核心外围电路结构，其包括第一接合金属焊盘；以及单元阵列结构，其布置在核心外围电路结构上方并且包括与第一接合金属焊盘接触的第二接合金属焊盘。单元阵列结构包括多个存储器...
    2026-03-20
  • 跟踪字线电压的参考电流产生电路和非易失存储器
    跟踪字线电压的参考电流产生电路和非易失存储器_南京优存科技有限公司_202511959364.7
    本公开提供了一种跟踪字线电压的参考电流产生电路和非易失存储器。该参考电流产生电路包括电压钳位电路，以及与电压钳位电路电连接的矫正电压调整电路、读操作电流产生电路和电流镜电路；矫正电压调整电路用于接入输入电压，并在输入电压的驱动下产生矫正电压...
    2026-03-20
  • 非易失存储器及其参考电流产生电路
    非易失存储器及其参考电流产生电路_南京优存科技有限公司_202511959298.3
    本公开提供了一种非易失存储器及其参考电流产生电路。该参考电流产生电路包括依次电连接的电压采样电路、跟踪电流产生电路、第一电流镜电路和第二电流镜电路；电压采样电路用于接入非易失存储器中的存储单元的读操作电压，并在读操作电压的驱动下生成采样电压...
    2026-03-20
  • 跟踪位线电压的参考电流产生电路和非易失存储器
    跟踪位线电压的参考电流产生电路和非易失存储器_南京优存科技有限公司_202511959256.X
    本公开提供了一种跟踪位线电压的参考电流产生电路和非易失存储器，非易失存储器包括位线钳位电路，位线钳位电路用于在读操作前将位线电压设置为预设电压值，参考电流产生电路包括电连接的跟踪电流产生电路和恒定电流产生电路；恒定电流产生电路用于基于接入的...
    2026-03-20
  • 存储器及操作方法
    存储器及操作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511575267.8
    本申请公开了一种存储器及操作方法，该存储器包括存储单元、温度检测电路以及校验参数调整电路，校验参数调整电路与温度检测电路连接，通过检测存储器的工作温度，根据工作温度生成用于调整存储单元的阈值电压的校验参数，来增加读电压与阈值电压和/或校验电...
    2026-03-20
  • 一种存储器及其操作方法
    一种存储器及其操作方法_兆易创新科技集团股份有限公司_202410993352.5
    本申请公开了存储器及其操作方法，所述存储器包括多条全局译码连接线以及多条位线，所述操作方法包括：将所述多条位线中包括连接选定存储单元的目标位线以及与所述目标位线相邻的m‑1条位线在内的选定位线组中的m条位线，分别连接至m条全局译码连接线，m...
    2026-03-20
  • 存储块的擦除方法及存储器
    存储块的擦除方法及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202410986569.3
    本申请公开了一种存储块的擦除方法及存储器。该擦除方法包括：基于擦除指令对存储块执行擦除操作；对擦除操作完成后的中间数据字线进行擦除验证操作；响应于中间数据字线未通过擦除验证操作，擦除操作的循环次数加一，并调整擦除操作的擦除电压，返回再次执行...
    2026-03-20
  • 一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用
    一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用_浙江大学_202511951196.7
    本发明公开一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用，是在带有分裂栅的非易失性闪存存储器中，选择栅MG和存储节点MS开启下施加正源极电压、正漏极电压与负存储栅电压，以在沟道内产生高能沟道热电子；通过沟道热电子的碰撞...
    2026-03-20
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