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  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统,太阳能电池包括电池本体;电池本体包括相对的背光面和向光面;背光面设有若干细栅;向光面设有保护层;保护层设有若干胶条,相邻两个胶条的线间距为0.75mm‑6...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种光伏电池及其制造方法以及光伏组件,可以提高光伏电池的光电转换效率。光伏电池包括:位于电池片的侧面的钝化层,钝化层的材料包括金属氧化物;钝化层包括第一子钝化层、第二子钝化层和第三子钝化层,第一子钝化层位于侧面...
  • 本发明属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种多结太阳能电池抗反射膜层及其制备方法。本发明提供的多结太阳能电池抗反射膜层包括依次层叠设置的低折射率非晶碳层、中折射率非晶碳层和高折射率非晶碳层;所述低折射率非晶碳层的折射率为1.7~1.9,光学厚...
  • 本公开的实施例提供了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件,涉及太阳能电池领域,背接触电池包括:硅基体;第一载流子收集层,具有第一导电类型;第二载流子收集层,具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型;钝化减反层,设在所述硅基体的正面和侧面;和...
  • 本发明提供TOPCon电池的层结构、钝化膜结构及其制备方法,涉及TOPCon电池制备技术领域,包括硅基底,所述碳基底的上表面设置有正面硼扩散层,所述正面硼扩散层的上表面设置有正面氧化硅钝化层,所述正面氧化硅钝化层的上表面设置有正面氧化铝层,...
  • 本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种具有钛层与金属线电流导出结构的太阳能电池及制造,包括:S1、提供包括半导体区和在半导体区外设置导电膜层的电池片,并提供表面设置若干条平行排布的金属线的高分子薄膜;S2、在电池片的半导体区及其导电膜层...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种光伏组件,包括:构成电池串组的沿第一方向相邻的两个电池串,电池串包括多个电池片,分别位于电池串的两端部的两电池片为端部电池片;多个焊带;焊带包括:第一焊带和第二焊带,第一焊带电性连接端部电池片,第二焊带电性...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种背接触电池、背接触叠层电池、光伏组件,背接触电池包括:电池基片,包括沿第一方向上延伸的至少一隔离区和位于隔离区相对的两侧的两单元区;单元区包括相互间隔的第一、二掺杂区;沿第二方向相邻两个单元区中,一单元区的...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种背接触光伏组件,包括:电池基板,背面设置有多个主栅、副栅,主栅包括沿第二方向交替排布的第一、二主栅,副栅包括沿第一方向交替排布的第一、二副栅;多个导电块,单个导电块位于第一副栅的断开处且连接第二主栅或位于第...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池片及其制作方法、光伏组件,其中,太阳能电池片包括:基底,基底包括相对的正面及背面,背面包括第一区、第二区以及间隔区,第一区与正面之间的间距大于第二区与正面之间的间距,基底还包括:第一区连接至间隔区...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括:硅基底;设置于所述硅基底上的电极,所述电极包括收集栅线和汇流栅线,所述收集栅线沿第一方向延伸;所述汇流栅线包括沿第二方向延伸的多个第一部分、以及沿所述第一方向延伸的至少一个第二...
  • 本申请提供了一种电极接触结构、测试装置、测试系统和光伏电池,光伏电池的第一表面具有多个电极,第一电极和第三电极与第一极性的第一栅线导通、第二电极和第四电极与第二极性的第二栅线导通;电极接触结构包括多个接触区和多个电极接触件,第一接触区中的第...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件,该太阳能电池包括:硅基底,包括相对设置的第一表面和第二表面,第一表面包括沿第一方向交替排布的第一区域和第二区域,第二区域包括沿第二方向排布第一子区域和第二子区域;...
  • 本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:半导体基底,包括相对的第一表面和第二表面;第一掺杂层,设于第一表面的第一区域,第一区域上第一掺杂层背离半导体基底的表面和第一表面中未设置第一掺杂层的区域形成第一台阶结构...
  • 本发明涉及半导体材料制造领域,具体是一种分子束外延异质基HgCdTe材料及其制备方法。本发明针对现有异质基HgCdTe分子束外延技术中的位错密度较高与Se原子扩散失控的双重缺陷,通过设计HgSe超晶格结构触发位错反应并进一步构建As掺杂Hg...
  • 本申请提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件,背接触太阳能电池包括:半导体衬底的第二表面设置有交替排布的第一导电区域和第二导电区域,在第一导电区域内层叠设有第一钝化层、第二钝化层和第一透明导电层,第一钝化层与半导体衬底的...
  • 本发明提供一种太阳能电池的钝化方法、制备方法、光伏组件及光伏系统,钝化方法包括:在所述P型掺杂层表面沉积钝化层;加热所述太阳能电池至第一预设温;在所述钝化层表面沉积减反射层;在所述减反射层形成后,加热所述太阳能电池至第二预设温度进行退火,其...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,具体提供了一种砷化铟/锑化铝超晶格应变补偿生长方法及超晶格结构,该方法包括:在目标衬底上依次生长第一厚度的砷化铟层、第二厚度的InAs1‑1‑xxSbxx应变补偿层、第三厚度的锑化铝势垒层、上述InAs1‑x1...
  • 本发明公开了一种电池芯片背电极钝化方法,涉及电池芯片技术领域,包括将电池芯片置于反应腔内,控制反应腔温度和背压,脉冲注入由三甲基铝与叔丁胺配位反应制备的位阻型缓释前驱体溶液,进行化学吸附,吹扫后通入双频共振级联工作气,开启高频射频电源进行处...
  • 本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件,属于光伏技术领域,太阳能电池的制备方法包括:提供基底,基底的第一表面具有金字塔结构,在第一表面形成掺杂导电区,在掺杂导电区远离第一表面的一侧形成硅玻璃层,对第一表面的第一区部分进行激...
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