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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510260893.1
    一种半导体器件包括在第一方向上延伸的第一鳍图案、在第一鳍图案上的源极/漏极图案、在第二方向上延伸的栅电极、与第一鳍图案接触的绝缘结构、在第三方向上与绝缘结构重叠的下导电图案和上导电图案、以及延伸穿过绝缘结构并且电连接下导电图案和上导电图案的...
    2026-04-29
  • 半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备
    半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202410865884.0
    本申请的实施例提供了一种半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于减少晶体管器件和贯穿触点短接的现象。该半导体器件包括：衬底、多个晶体管单元、接触部和隔离层。多个晶体管单元设置于衬底上。接触部设置于衬底上，至少部分接...
    2026-04-29
  • 源漏极对称的垂直型全栅MOSFET及其三维集成电路，以及它们的制备方法
    源漏极对称的垂直型全栅MOSFET及其三维集成电路，以及它们的制备方法_北京理工大学_202511460502.7
    传统的垂直型GAA(VGAA)MOSFET由于自下而上的半导体工艺，导致VGAA MOSFET的源漏极不对称，限制了其在集成电路中的应用。本发明提出了一种源漏极对称的VGAA MOSFET的新结构及其三维集成电路、以及它们的制备方法，有望构...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390087.2
    器件包括衬底上方的多个纳米片、邻近多个纳米片的源极/漏极部件，以及设置在多个纳米片上方且位于相邻纳米片之间的栅极结构。栅极间隔件设置在栅极结构顶部的相对侧的侧壁上方。内部间隔件在第一方向上介于多个纳米片中相邻纳米片的横向端部之间，并在第二方...
    2026-04-29
  • 半导体结构
    半导体结构_联华电子股份有限公司_202410924843.4
    本发明公开一种半导体结构，其中该半导体结构包含基底，具有多个鳍片；第一阱和第二阱，设置在基底中，多个鳍片与第一阱部分重叠并且与第二阱部分重叠；外延源极区，设置在第一阱内的多个鳍片上；外延漏极区，设置在第二阱内的多个鳍片上；栅极，设置在外延源...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390085.3
    在相同衬底上方形成互补场效应晶体管(CFET)和纳米结构场效应晶体管(NSFET)以形成半导体器件。CFET通过将晶体管垂直堆叠在一起实现高晶体管集成密度，并且可以适合于实施先进逻辑电路。NSFET实现高驱动电流，并且可以适合于高性能单元和...
    2026-04-29
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511927061.7
    本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括形成于所述衬底上的栅极和形成于所述栅极的侧壁的栅极侧墙；于所述栅极侧墙的远离所述栅极一侧的所述衬底内形成第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层中远...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511926555.3
    本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供基底，于基底上形成初始栅极结构；初始栅极结构包括栅极和初始侧墙；于基底裸露于相邻初始栅极结构之间间隔内的表面形成金属硅化物层；对初始侧墙执行至少一次刻蚀清洗工艺，以获得厚度符合...
    2026-04-29
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511923252.6
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构的制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构和侧墙结构，所述侧墙结构位于所述栅极结构的两侧，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源漏区；对所述源漏区进行湿法预刻蚀，形...
    2026-04-29
  • 具有金属栅极的半导体器件及其形成方法
    具有金属栅极的半导体器件及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511893346.3
    本发明提供一种具有金属栅极的半导体器件及其形成方法，伪栅结构具有大于目标关键尺寸的第一关键尺寸；氧化伪栅结构的两侧侧壁形成氧化层，一侧氧化层的第二关键尺寸为第一关键尺寸与目标关键尺寸之差的一半；氮化伪栅结构的侧壁的氧化层形成氮氧化层，氮氧化...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511588007.4
    本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。所述制作方法中，形成具有不同横截面面积的栅极凹槽，在横截面面积较小的第一栅极凹槽中形成较低沉积温度的第一金属层，在横截面面积较大的第二栅极凹槽中先形成第一金属层，再形成较高沉积温度的第二金属层，第二金属...
    2026-04-29
  • 一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法
    一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法_中晶新源(上海)半导体有限公司_202511533883.7
    本发明公开了一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件，包括MOS外延层、MOS沟槽栅、体区、源区、隔离层和接触孔；接触孔包括SBR结构区和金属柱；SBR结构区包括底部介质层、SBR金属栅极和SBR栅介质层；体区通过体接触区与金属柱形成欧姆接...
    2026-04-29
  • 一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法
    一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法_中晶新源(上海)半导体有限公司_202511533878.6
    本发明公开了一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件，包括MOS外延层、MOS沟槽栅、体区、源区、隔离层、接触孔和接触岛区；接触孔包括SBR结构区和金属柱；SBR结构区包括SBR外延层和SBR栅介质层；体区通过体接触区与金属柱形成欧姆接触，...
    2026-04-29
  • 一种基于射频数模混合的多模芯片制备方法
    一种基于射频数模混合的多模芯片制备方法_北京瑞迪时空信息技术有限公司_202511492906.4
    本发明提供一种基于射频数模混合的多模芯片制备方法，涉及集成电路制造工艺技术领域，所述方法包括：在P型硅衬底上外延生长III‑Ⅴ族化合物层形成高迁移率沟道，同步在射频与数字电路交界区刻蚀1.5微米深槽隔离沟槽并构建双阱结构，输出总噪声隔离值≥...
    2026-04-29
  • BCD工艺中制备CFP场板的方法
    BCD工艺中制备CFP场板的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511414963.0
    本发明公开了一种BCD工艺中制备CFP场板的方法，包含：步骤一，在半导体衬底上形成多个浅槽隔离结构以隔离出LDMOS区以及逻辑区；在所述半导体衬底中形成阱区、漂移区，形成LDMOS区以及逻辑区的栅极结构，然后淀积一层侧墙介质层；步骤二，以光...
    2026-04-29
  • 一种离子注入方法
    一种离子注入方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406443.5
    本申请公开了一种离子注入方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在位于所述NMOS区域的衬底上形成光阻层，使得所述PMOS区域露出；以所述光阻层为掩膜，进行源漏区离子注入工艺，以在所述衬底中形成PMOS器件的源区和漏...
    2026-04-29
  • 一种半导体结构、形成方法及相关器件
    一种半导体结构、形成方法及相关器件_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410925807.X
    本申请实施例提供了一种半导体结构、形成方法及相关器件，其中，所述方法，包括：提供包括衬底和形成在所述衬底上的第一氧化层的基底；在所述基底上形成多个相互间隔的隔离沟槽，以隔离沟槽间的基底为隔离基底；在隔离沟槽中形成包括形成在沟槽侧壁和底部的第...
    2026-04-29
  • 形成半导体结构的方法、以及半导体器件
    形成半导体结构的方法、以及半导体器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401231.8
    一种方法，包括：在衬底上方形成下部源极/漏极区；在下部源极/漏极区的旁边形成栅极堆叠件；在下部源极/漏极区上方形成上部源极/漏极区；实施背面薄化工艺，以薄化衬底并且暴露出牺牲区；去除牺牲区以暴露出下部源极/漏极区；以及形成背面接触插塞以电连...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401214.4
    本公开提供了半导体结构及其形成方法，该方法包括：在衬底上方形成包括第一和第二半导体层的堆叠件，其中第一和第二半导体层具有不同组成且彼此交替；图案化堆叠件以形成有源区域；形成围绕有源区域的隔离结构；在隔离结构上形成硬掩模；在堆叠件上方形成伪栅...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401203.6
    方法包括：形成包括衬底上方的下部多层堆叠件、下部多层堆叠件上方的介电蚀刻停止层和介电蚀刻停止层上方的上部多层堆叠件的多层堆叠件。方法还包括：蚀刻多层堆叠件以形成对准标记沟槽；对上部多层堆叠件实施第一蚀刻工艺以形成上部多层堆叠件部分；以及基于...
    2026-04-29
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