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最新专利技术
  • 一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构
    一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构_粤芯半导体技术股份有限公司_202511478389.5
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构。目前VDMOS器件的沟槽深宽比过大使得在屏蔽栅多晶硅间隙填充过程中，容易出现底填充孔隙及贯穿沟槽的缝隙，该缝隙导致在后续刻蚀工艺中，屏蔽栅多晶硅顶部常...
    2026-04-29
  • 应用于SGT器件制作中的工艺方法
    应用于SGT器件制作中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406447.3
    本申请公开了一种应用于SGT器件制作中的工艺方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有深沟槽，衬底和深沟槽表面形成有第一氧化物层，深沟槽的深度和宽度的比值大于6；在第一氧化物层上形成第一多晶硅层，第一多晶硅层填充深沟槽；进行各向同性刻蚀，去除深沟...
    2026-04-29
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406372.9
    本申请提供一种LDMOS器件及其制备方法，其中在制备方法中，通过在在第一导电类型的主外延层中的沟槽中依次形成第一内芯结构、第一子外延层、第二内芯结构、第二子外延层、第N内芯结构和第N子外延层直至填充满整个沟槽，其中，N为大于等于2的整数。本...
    2026-04-29
  • 一种集成高热导介质的碳化硅场效应晶体管及其制备方法
    一种集成高热导介质的碳化硅场效应晶体管及其制备方法_复旦大学_202511391446.6
    本发明公开一种集成高热导介质的碳化硅场效应晶体管及其制备方法。该集成高热导介质碳化硅场效应晶体管包括：碳化硅外延片；第二掺杂类型阱区，形成在碳化硅外延层的上部；第一掺杂类型JFET区，形成在第二掺杂类型阱区下方；第一掺杂类型源区和形成在第一...
    2026-04-29
  • 具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法
    具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511352078.4
    本申请提供一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法，其中在制造方法中，在屏蔽栅上的隔离介质层表面以及沟槽上半部分侧壁上形成TEOS层，然后进行热退火处理，接着通过湿法刻蚀工艺去除沟槽侧壁上的TEOS层和隔离介质层上靠近沟槽中间的TEO...
    2026-04-29
  • 一种SiC开关器件及制备方法
    一种SiC开关器件及制备方法_深圳方正微电子有限公司_202511335703.4
    本申请提供一种SiC开关器件及制备方法，该制备方法包括提供一衬底层；在衬底层上设置外延层；在外延层上采用中温工艺制备过渡膜层，在过渡膜层上设置掩蔽层，掩蔽层暴露出部分过渡膜层；其中，中温工艺制备过渡膜层的制备温度为300℃至800℃；在掩蔽...
    2026-04-29
  • 一种增强型半导体功率器件的制造方法
    一种增强型半导体功率器件的制造方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511324500.5
    本申请提供了一种增强型半导体功率器件的制造方法，包括以下步骤：在外延结构上依次沉积P‑GaN层、栅金属以及牺牲介质层；进行栅金属刻蚀，在栅金属刻蚀后，沉积Spacer介质层；在Spacer介质层沉积后，对Spacer介质层刻蚀，从而在不需要...
    2026-04-29
  • 环栅堆叠半导体器件及其制备方法
    环栅堆叠半导体器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511270866.9
    本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种环栅堆叠半导体器件及其制备方法。该器件通过增加光刻、选择性刻蚀与生长步骤，在漏端和沟道交叠区域形成与沟道同类型、与源漏相反类型的重掺杂，由此抑制漏端掺杂向沟道扩散同时抑制该区域隧穿漏电。通过该方法，...
    2026-04-29
  • 竖直异质结双极晶体管
    竖直异质结双极晶体管_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510632609.9
    本公开涉及半导体结构，更具体地涉及竖直异质结双极晶体管及制造方法。该结构包括：集电极区，其位于半导体衬底上方；基极区，其位于集电极区上方；发射极区，其邻近基极区；以及底切结构，其位于半导体衬底上方并邻近集电极区。
    2026-04-29
  • 一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法
    一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法_广微集成技术(深圳)有限公司_202511637323.6
    本发明公开一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法，涉及功率半导体器件领域，包括：N‑‑漂移层；阳极金属，形成于N‑‑漂移层之上并与N‑‑漂移层形成肖特基接触；第一沟槽，设置于阳极金属下方的N‑‑漂移层中；第二沟槽，设置于阳极金属下方的N...
    2026-04-29
  • 一种肖特基二极管及其制备方法
    一种肖特基二极管及其制备方法_广微集成技术(深圳)有限公司_202511627721.X
    本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括重掺杂N型衬底层及形成于其上表面的轻掺杂N型外延层，轻掺杂N型外延层的上部设有沟槽结构，沟槽结构内填充有掺杂多晶硅，掺杂多晶硅为掺杂P型杂质的多晶硅，掺杂多晶硅作为固相扩散源，通过对掺...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511572915.4
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧，外延层具有第一掺杂类型；多个第一掺杂区，间隔的位于外延层中，第一掺杂区具有背离衬底的第一表面和靠近衬底的第二表面，第一表面包括第一曲面，且...
    2026-04-29
  • 一种集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管及其制备方法
    一种集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管及其制备方法_复旦大学_202511391454.0
    本发明公开一种集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管及其制备方法。其中，该集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管包括：碳化硅衬底，其为第一掺杂类型；碳化硅漂移层，形成在碳化硅衬底上，其为第一掺杂类型；多个结终端结构，其为第二掺杂类型，间隔分布于碳化...
    2026-04-29
  • 半导体结构和半导体结构的形成方法
    半导体结构和半导体结构的形成方法_广州增芯科技有限公司_202511609148.X
    一种半导体结构和半导体结构的形成方法，结构包括：基底，基底包括第一有源区、第二有源区和齐纳二极管掺杂区，第一有源区包括有效区、以及环绕有效区的边缘区，齐纳二极管掺杂区位于有效区下方，第二有源区位于第一有源区的两侧；浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离...
    2026-04-29
  • 导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法
    导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法_重庆万国半导体科技有限公司_202511574002.6
    本发明公开了一种导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法，制作方法包括：在所述N型衬底上外延生长第一N型外延层；在所述第一N型外延层的表面注入形成间隔分布的多个P型逆转区；在所述第一N型外延层上外延生长第二N型外延层；完成器件的后续制作工...
    2026-04-29
  • 基于基底温度精密调控微波整流用氮化镓肖特基二极管势垒高度的方法
    基于基底温度精密调控微波整流用氮化镓肖特基二极管势垒高度的方法_江南大学_202511558356.1
    本发明公开了一种基于基底温度精密调控微波整流用氮化镓肖特基二极管势垒高度的方法，所述方法为利用磁控溅射法制备氮化镓肖特基二极管的肖特基阳极，通过连续调控磁控溅射时的基底温度来调控氮化镓肖特基二极管的势垒高度，基底温度调整的温度间隔为25~1...
    2026-04-29
  • 一种用于高压亚纳秒脉冲电源的SPDS器件与制造方法
    一种用于高压亚纳秒脉冲电源的SPDS器件与制造方法_芯派科技股份有限公司_202511410545.4
    本发明涉及脉冲功率技术半导体换路开关技术领域，公开了一种用于高压亚纳秒脉冲电源的SPDS器件与制造方法，制造方法包括以下步骤：以P或N型硅为衬底，在衬底两侧均进行扩散处理形成第一中间件，第一中间件的两侧可分为打标侧和非打标侧；在非打标侧对第...
    2026-04-29
  • n型氮化镓肖特基界面处理方法及n型氮化镓肖特基二极管的制备方法
    n型氮化镓肖特基界面处理方法及n型氮化镓肖特基二极管的制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202410939429.0
    本发明公开了一种n型氮化镓肖特基界面处理方法及n型氮化镓肖特基二极管的制备方法。n型氮化镓肖特基界面处理方法包括：以第一氨水稀释溶液对n型氮化镓的肖特基界面进行清洁处理；在真空环境中，以氮等离子体对n型氮化镓的肖特基界面进行反应修复处理；以...
    2026-04-29
  • 高压二极管及其制备方法
    高压二极管及其制备方法_青岛惠科微电子有限公司_202511333786.3
    本申请公开了一种高压二极管及其制备方法，所述高压二极管包括衬底、外延层、主结沟槽、多晶硅场板、阳极层和侧阻隔部，所述外延层远离所述衬底的一侧设有主结区和至少一个环绕所述主结区设置的分压环区，所述主结沟槽设置在所述主结区，且所述主结沟槽的深度...
    2026-04-29
  • 高压二极管及其制备方法
    高压二极管及其制备方法_青岛惠科微电子有限公司_202511333778.9
    本申请公开了一种高压二极管及其制备方法，所述高压二极管包括衬底、外延层、至少一个加强组件和钝化层，所述外延层上设有主结区和至少一个环绕所述主结区设置的分压环；所述加强组件包括浅沟槽、电荷吸附件和绝缘隔离件，所述浅沟槽与所述分压环相邻设置；所...
    2026-04-29
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