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最新专利技术
  • 一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件
    一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511499025.5
    本申请涉及光伏组件技术领域，具体涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件，太阳能电池的制备方法包括：对硅基底进行双面制绒；对硅基底进行硼扩，在硅基底的正面和背面均生成硼扩散层和硼硅玻璃层；硅基底的正面具有第一接触区和第一非接触区，...
    2026-01-25
  • 一种电池串制备、检测及排版方法
    一种电池串制备、检测及排版方法_陕西众森电能科技有限公司_202511462314.8
    一种电池串制备、检测及排版方法，属于太阳电池制备领域，其特征在于：通过AB双轨串焊机制备出A、B两组电池串；将电池串传入串检排版一体化设备，并在传入过程中对电池串进行外观和质量检测，将检测结果反馈给串焊机；根据反馈结果调整后续电池串制串逻辑...
    2026-01-25
  • 一种无主栅电池组件及其制备方法
    一种无主栅电池组件及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511430502.2
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种无主栅电池组件及其制备方法，该方法包括：在无主栅电池电极焊接点印刷锡膏并半烘干保留部分锡膏助剂；搭接互联条后低温加热预固定并形成电池串；排版后差异化敷设胶膜；敷设盖板、背板制待层压件，热层压制得组件。...
    2026-01-25
  • 太阳能电池及其效率提升方法、光伏组件
    太阳能电池及其效率提升方法、光伏组件_横店集团东磁股份有限公司_202511428568.8
    本发明涉及一种太阳能电池及其效率提升方法、光伏组件，效率提升方法步骤如下：对初始效率为26%‑27%的成品太阳能电池的受光面进行紫外光照射，所述紫外光的波长为360nm‑370nm，所述紫外光的强度为15W/m22‑25W/m22，所述紫外...
    2026-01-25
  • 一种对照式光耦及其封装方法
    一种对照式光耦及其封装方法_佛山市国星光电股份有限公司_202511421329.X
    本发明的目的是提供一种对照式光耦及其封装方法，通过在对装发射芯片和接收芯片时进行一定偏量的错位，在注入外层封装胶时采用改进的封胶模具，制备出外层封装胶致密均匀且与内层封装胶均匀浸润的超薄型光耦器件。该封胶模具通过将容置发射芯片和接收芯片的型...
    2026-01-25
  • 一种CsCu2I3/多孔GaN异质结及其制备方法和应用
    一种CsCu2I3/多孔GaN异质结及其制备方法和应用_太原理工大学建筑设计研究院有限公司_202511398239.3
    本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种CsCu22I33/多孔GaN异质结及其制备方法和应用。在蓝宝石衬底上依次生长GaN缓冲层，u‑GaN层，n‑GaN层，得到基底；将所述基底在氢气和惰性气体的混合气氛中进行高温分解，得到多孔GaN；...
    2026-01-25
  • 势垒型锑化物红外探测器的制备方法及红外探测器
    势垒型锑化物红外探测器的制备方法及红外探测器_中国空间技术研究院_202511379629.6
    本发明提供了一种势垒型锑化物红外探测器的制备方法，选用锑化镓衬底；在衬底上依次通过分子束外延方法外延生长锑化镓缓冲层、砷化铟重掺杂层、II类超晶格吸收层和铝砷锑势垒层；机械剥离六方氮化硼二维材料，将剥离后的六方氮化硼转移到所述铝砷锑势垒层上...
    2026-01-25
  • 一种多分片高速串焊机装置
    一种多分片高速串焊机装置_无锡江松科技股份有限公司_202511377566.0
    本发明提供了一种多分片高速串焊机装置，包括整机，还包括整机首段的输入部，输入部内设置有绕带部，整机的中段设置有焊接部，焊接部包括设于绕带部一侧的硅片传输单元、硅片衔接单元、压网输入单元、压网本体、注胶单元、压网回流单元、焊接单元和制带单元，...
    2026-01-25
  • 一种光伏管式反应室及光伏管式反应设备
    一种光伏管式反应室及光伏管式反应设备_黔西市贸通科技有限公司_202511332870.3
    本发明涉及电池制造设备技术领域，具体涉及一种光伏管式反应室及光伏管式反应设备，包括反应室本体和密封组件，所述密封组件设置有两个，并位于所述反应室本体的两侧，其特征在于，还包括冲洗组件；所述冲洗组件包括两个密封板阀、固定管、供气管路、喷气座、...
    2026-01-25
  • 一种太阳能电池片的多分片的制备方法
    一种太阳能电池片的多分片的制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202511328421.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种太阳能电池片的多分片的制备方法，包括：在太阳能电池片半成品正面形成多个激光凹槽，激光凹槽贯穿PN结，并深入硅基底内部；形成第一钝化层，第一钝化层还覆盖激光凹槽的内壁；形成电极并进行金属化退火烧结工艺，形成...
    2026-01-25
  • 制串设备及制串方法
    制串设备及制串方法_隆基绿能科技股份有限公司_202511316237.5
    本发明公开了一种制串设备及制串方法，制串设备包括叠片模块和叠串模块；叠片模块用于搬运多个电池片并使相邻电池片交叠形成叠片组；叠串模块用于将多个叠片组交叠排布成对应一个电池串的电池组；叠片模块包括搬运组件，搬运组件用于搬运电池片，搬运组件包括...
    2026-01-25
  • 一种基于ReS2/Si异质结的光电双向位置探测器及其制备方法和应用
    一种基于ReS2/Si异质结的光电双向位置探测器及其制备方法和应用_江南大学_202511226176.3
    本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种基于ReS22/Si异质结的光电双向位置探测器及其制备方法和应用。制备方法如下：使用光刻和电感耦合等离子体(ICP)系统干法刻蚀技术在50nm SiO22/Si衬底表面构筑3mm×3mm×350nm的正...
    2026-01-25
  • 复合钝化层及其制备方法和应用
    复合钝化层及其制备方法和应用_横店集团东磁股份有限公司_202511226072.2
    本发明涉及一种复合钝化层及其制备方法和应用，所述制备方法包括多个外循环，每个外循环均包括依次进行的第一次沉积和第二次沉积，其中，所述第一次沉积包括至少内循环一次的铝源沉积，所述第二次沉积包括至少内循环一次的钛源沉积。本发明所述的制备方法可以...
    2026-01-25
  • 一种TOPCon电池及其制备方法和应用
    一种TOPCon电池及其制备方法和应用_天津中环光伏科技有限公司_202511203628.6
    本发明涉及光伏电池技术领域，具体为一种TOPCon电池及其制备方法和应用，制备方法包括步骤：将N型硅片进行制绒；将制绒的硅片进行硼扩，形成PN结和硼硅玻璃层；将硅片正面非金属化区域的硼硅玻璃层进行激光改性，得到激光开膜区域；将背面的硼硅玻璃...
    2026-01-25
  • 太阳能电池的制备方法
    太阳能电池的制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202410885295.9
    一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅基体正面的栅线区域进行激光开槽；在硅基体背面的栅线区域进行激光开槽；采用碱液清洗，去除开槽内的损伤层；在正面的开槽内形成正面电极；在背面的开槽内形成背面电极。本发明在激光开槽后，通过碱液清洗，去除...
    2026-01-25
  • 一种TOPCon电池的热处理方法及制备方法
    一种TOPCon电池的热处理方法及制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202410861688.6
    本发明涉及一种TOPCon电池的热处理方法及制备方法，属于太阳能电池制备技术领域。所述的热处理方法是将TOPCon电池半成品置于不高于830℃的炉中进行降温退火处理，其中TOPCon电池半成品包括硅片、位于硅片正面的发射极层、位于硅片背面的...
    2026-01-25
  • 光学生理检测探针芯片及其制备和使用方法
    光学生理检测探针芯片及其制备和使用方法_中国科学院半导体研究所_202511388266.2
    本发明提供了一种光学生理检测探针芯片，可应用于光电芯片技术领域。该芯片包括：衬底；发光单元，设置于衬底上；光探测单元，设置于衬底上，且光探测单元与发光单元在衬底上间隔分布；光学介质层，覆盖于光探测单元远离衬底的一侧表面和侧面；第一电极，设置...
    2026-01-25
  • 一种对照式光耦
    一种对照式光耦_佛山市国星光电股份有限公司_202511421339.3
    本发明提供一种对照式光耦，属于芯片封装技术领域，该对照式光耦包括：发射端和接收端，发射端与接收端对装；发射端，包括第一发射基岛和第二发射基岛；第一发射基岛上固定第一发射芯片，第一发射芯片电极处的键合线与第二发射基岛的焊接区电连接；所述第二发...
    2026-01-25
  • 一种光电共封结构及制作方法
    一种光电共封结构及制作方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202410901275.6
    本发明属于芯片封装技术领域，包括一种光电共封结构及制作方法，将电芯片和光芯片直接互连接触，然后光芯片通过凸点焊球直接与封装基板互连接触，无需使用硅转接板，降低了转接板带来的封装难度，并且光芯片‑电芯片‑封装基板直接互连获得更小的互连损耗；另...
    2026-01-25
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511854097.7
    本申请公开了图像传感器及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体层中形成相互连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的中部具有较大的开口尺寸；在相互连通的第一沟槽和第二沟槽中形成隔离介质层，至少位于所述第一沟槽的隔离介质层中形成有气隙；以及去除...
    2026-01-25
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