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最新专利技术
  • 一种降低电磁干扰的半导体器件及其制备方法
    一种降低电磁干扰的半导体器件及其制备方法_嘉兴斯达微电子有限公司_202511452086.6
    本发明提供一种降低电磁干扰的半导体器件及其制备方法，两个阱区形成于外延层之上，各阱区中形成源极区；复合JFET区包括彼此接触且均为第一导电类型的第一JFET区和第二JFET区，第一JFET区位于两阱区之间，第二JFET区在第一JFET区之下...
    2026-01-26
  • 超结MOSFET器件及其制备方法
    超结MOSFET器件及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202511300391.3
    本申请涉及一种超结MOSFET器件，包括：第一柱结构和第二柱结构，位于衬底的同一侧，且在平行于衬底的表面的同一个方向上依次排列；第一柱结构与第二柱结构的相对的表面相接触，第一柱结构与第二柱结构的掺杂类型不同；多个岛结构，均与第一柱结构位于衬...
    2026-01-26
  • N型晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法
    N型晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410886697.0
    本发明提供了一种N型晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法。在N型晶体管中，通过在沟槽隔离结构靠近P型阱区的位置内额外设置P型注入区，以利用P型注入区补偿P型阱区在边缘位置产生的离子缺失，确保P型阱区在边缘位置的离子浓度，进而可改善N型...
    2026-01-26
  • 一种具有极化调制层的抗单粒子加固GaN HEMT
    一种具有极化调制层的抗单粒子加固GaN HEMT_重庆邮电大学_202511681031.2
    本发明涉及一种具有极化调制层的抗单粒子加固GaN HEMT，属于微电子器件技术领域。旨在解决现有技术中抗单粒子烧毁能力与基本电学性能难以兼顾的难题。技术方案核心是在栅极下方的势垒层中嵌入新型极化调制层，通过铝组分渐变分布诱导产生二维空穴气，...
    2026-01-26
  • 一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
    一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法_江南大学_202511632350.4
    本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，通过在p‑GaN/AlGaN界面插入AlScN层，避免栅极刻蚀出现欠刻蚀或过刻蚀现象，同时提高极化效应、增强二维电子气浓度。并且AlScN层促进表面钝化工艺的进行，提高器件的可靠性...
    2026-01-26
  • 一种HEMT器件
    一种HEMT器件_厦门市三安集成电路有限公司_202511625734.3
    本发明公开了一种HEMT器件，包括衬底以及设置于衬底上的外延层，所述外延层上间隔设置有源极和漏极，所述源极和所述漏极之间设置有栅极，所述外延层上还设置有位于所述栅极至少一侧的导热件，所述衬底背离所述外延层的一侧设置有接地金属层，在器件的有源...
    2026-01-26
  • 一种阶梯状刻蚀多通道P-GaN栅控常关型氮化镓功率器件及制备方法
    一种阶梯状刻蚀多通道P-GaN栅控常关型氮化镓功率器件及制备方法_西安电子科技大学_202511505497.7
    本发明涉及一种阶梯状刻蚀多通道P‑GaN栅控常关型氮化镓功率器件及制备方法，属于氮化镓半导体器件技术领域。该阶梯状刻蚀多通道P‑GaN栅控常关型氮化镓功率器件，从下至上依次设置有衬底层、缓冲层、第一组异质结层、第二组异质结层……第n组异质结...
    2026-01-26
  • 氮化镓双向器件及其制作方法
    氮化镓双向器件及其制作方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511428127.8
    本申请提供了一种氮化镓双向器件，包括外延结构、形成在所述外延结构上的第一源极、第二源极、第一栅极以及第二栅极；所述第一源极和所述第二源极位于所述第一栅极和所述第二栅极的外侧，所述第一栅极位于所述第一源极和第二栅极之间；所述第一源极包括第一源...
    2026-01-26
  • 一种分布式散热的GaN HEMT器件及其制备方法
    一种分布式散热的GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511426054.9
    本发明公开了一种分布式散热的GaN HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层与势垒层叠层结构、以及钝化层；源极和漏极，分别位于钝化层和沟道层与势垒层叠层结构的两侧，且延伸至缓冲层；栅极，...
    2026-01-26
  • 一种集成高K介质的分裂栅金刚石MOSFET结构及其制备方法
    一种集成高K介质的分裂栅金刚石MOSFET结构及其制备方法_复旦大学_202511391439.6
    本发明公开一种集成高K介质的分裂栅金刚石MOSFET结构及其制备方法。该MOSFET结构包括：P++型掺杂的金刚石衬底；P‑‑漂移层，形成在P++型掺杂的金刚石衬底上；N型阻挡层，形成在P‑‑漂移层上；沟槽，其贯穿N型阻挡层，延伸至P‑‑漂...
    2026-01-26
  • 一种高质量氮化镓外延层及其生长方法
    一种高质量氮化镓外延层及其生长方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202511297616.4
    本发明涉及一种高质量氮化镓外延层及其生长方法。其中高质量氮化镓外延层由下至上依次包括衬底；形成于所述衬底上的纳米锥阵列；形成于所述纳米锥阵列上和未覆盖纳米锥阵列的衬底上的BN/石墨烯层；形成于所述BN/石墨烯层上的AlN量子点成核层；形成于...
    2026-01-26
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410909907.3
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的金刚石衬底、SiC中间层以及器件层；其中，金刚石衬底靠近SiC中间层一侧包括多个间隔分布的第一凹槽，SiC中间层靠近金刚石衬底一侧包括多个间隔分布的第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽...
    2026-01-26
  • 氮化镓基增强型功率器件及其制备方法
    氮化镓基增强型功率器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410879903.5
    本申请提出一种氮化镓基增强型功率器件及其制备方法，该氮化镓基增强型功率器件可以包括衬底；异质结构，异质结构包括在衬底上沿远离衬底的方向依次形成的氮化镓缓冲层、Al(In，Ga)N势垒层及(In)GaN欧姆接触层；Al(In，Ga)N势垒层的...
    2026-01-26
  • 一种氮化镓器件、制备方法和芯片
    一种氮化镓器件、制备方法和芯片_中兴通讯股份有限公司_202410872681.4
    本申请实施例提供了一种氮化镓器件、制备方法和芯片，氮化镓器件包括外延层和形成于外延层上的源极、漏极和栅极；漏极与外延层形成肖特基接触和阵列化间隔分布的欧姆接触，改善了漏极一侧的电场分布并降低了氮化镓器件的输出电容，提高了氮化镓器件的击穿电压...
    2026-01-26
  • 一种半导体器件及制造方法
    一种半导体器件及制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861595.4
    本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请发现在较长的多晶硅沟道上形成凹槽结构后，针对凹槽结构两侧的侧壁氧化层的回刻工艺会在凹槽结构的肩部区域形成深宽比极高的高深宽比区域，该高深宽比区域的深宽比远超高密度等离子体氧化物沉...
    2026-01-26
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511850942.3
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括提供衬底，所述衬底上具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成侧墙氧化层；在所述侧墙氧化层上形成应力记忆层并进行第一退火工艺；去除所述应力记忆层及部分厚度的所述侧墙氧化层；对剩余的所述侧墙氧化层进...
    2026-01-26
  • 高压半导体器件及其制造方法
    高压半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511834633.7
    本发明提供一种高压半导体器件及其制造方法，通过在传统有源区刻蚀步骤中同步于漂移区内刻蚀出场板条形槽，并在后续工艺中于槽内填充掺杂多晶硅形成嵌入式场板结构。与现有技术相比，彻底解决了大尺寸接触孔导致的工艺可靠性问题，且在提升器件性能的同时大幅...
    2026-01-26
  • 一种半导体工艺方法及半导体器件
    一种半导体工艺方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511676182.9
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体器件，方法包括：第一、第二阻挡层依次覆盖半导体结构表面，第一阻挡层薄于第二阻挡层；形成侧壁的第二阻挡层得到栅极结构侧壁及第二阻挡层底部的第一阻挡层；去除第二阻挡层；LDD离子注入形成阶梯型浅掺杂分布；漏极...
    2026-01-26
  • 一种材料级的正向抗辐照加固氧化镓MOSFET及制备方法
    一种材料级的正向抗辐照加固氧化镓MOSFET及制备方法_西安电子科技大学_202511474369.0
    本发明公开了一种材料级的正向抗辐照加固氧化镓MOSFET及制备方法，包括：在铁掺氧化镓半绝缘衬底层上生长氧化镓缓冲层和沟道层；对其进行电离辐射调控，生成优化的β‑Ga22O33外延材料；在氧化镓沟道层两端制备源极和漏极电极；在斜鳍栅区域沿栅...
    2026-01-26
  • 一种基于TMD纳米管的高迁移率电学器件及其制备方法
    一种基于TMD纳米管的高迁移率电学器件及其制备方法_西北工业大学_202511474349.3
    本发明提供了一种基于TMD纳米管的高迁移率电学器件及其制备方法，该电学器件采用高度掺杂Si/SiO22衬底结构，以SiO22作为全局底栅，Si作为栅介质，制备时通过机械剥离结合PMMA支撑层，将结构完整、表面洁净的纳米管阵列转移至SiO22...
    2026-01-26
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