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  • 本申请公开了一种声波元件、射频前端模块及电子设备,涉及声波元件技术领域,该声波元件包括压电衬底、叉指换能器IDT电极、电介质层和第一散热层。IDT电极设置于压电衬底的表面,电介质层覆盖IDT电极,第一散热层设置于电介质层的表面;电介质层的声...
  • 本发明公开了一种抑制横向模式的体声波谐振器,包括:基底以及设置于基底上的压电堆叠结构,压电堆叠结构包括从下到上依次层叠设置的底电极、压电材料层和顶电极;顶电极在基底上的正投影的轮廓包括至少一条由椭圆变形成的变形椭圆曲线;顶电极在基底上的正投...
  • 本申请涉及管道密封性监测技术领域,涉及一种信号调理电路及供水管网泄漏监测系统,一种信号调理电路包括依次连接的阻抗匹配模块、第一电荷放大器和频率钳制模块;阻抗匹配模块与用于采集供水管网声学振动信号的传感器通讯连接;阻抗匹配模块的输入端用于接收...
  • 本发明公开了一种高密度集成的滤波装置及电子装置,滤波装置包含:第一基体、第一至第五容性单元、第一至第三感性单元、第一和第二公共端口、第一和第二电位端、第一和第二输入输出端口;第一容性单元在第一公共端口与第一输入输出端口之间的耦合路径上,第二...
  • 一种滤波器及其形成方法、以及电子设备,滤波器包括:声学换能器,包括引出部;覆盖声学换能器和基底的温度补偿层且露出引出部的至少部分表面;覆盖温度补偿层且露出温度补偿层侧部的引出部的第一钝化层,被第一钝化层暴露的引出部表面作为引出部的互连区域;...
  • 本发明提供了一种复合衬底的制备方法、复合衬底及声表面波滤波器,所述的制备方法包括:提供第一衬底、第二衬底与压电晶圆,对第二衬底进行热氧化处理,在第二衬底的待键合面形成氧化层,随后在第二衬底靠近氧化层的一端进行离子注入处理,由离子注入层隔离形...
  • 本发明涉及新能源商用车技术领域,尤其涉及一种滤波器耐振动性提升方法。PCB组装件包括多级X电容、Y电容和PCB板,磁环组件包括铜排和磁环,滤波器耐振动性提升方法包括:S1:磁环组件中的磁环和铜排采用包塑工艺进行整体包塑;S2:磁环组件中的铜...
  • 本发明公开了一种自适应增益及带宽的运放电路,包括偏置电路、折叠式共源共栅运算放大器和源跟随器,折叠式共源共栅运算放大器中包括组成共源共栅结构的PMOS管和组成共源共栅结构的NMOS管;偏置电路的输入端用于接入控制信号,偏置电路的输出端用于输...
  • D类放大器,包括环路滤波器、脉宽调制产生器、第一多工器、第二多工器及功率级。环路滤波器根据输入信号产生正负环路滤波信号。脉宽调制产生器耦接在环路滤波器,根据正负环路滤波信号产生第一正负脉宽调制信号。第一多工器耦接在脉宽调制产生器,从包含第一...
  • 本申请提供一种功放电路及音频设备,功放电路包括第一积分器、输入耦合电容、第一电阻以及第一开关件;第一积分器用于接入第一信号,以输出第二信号;第一积分器包括第一输入端和第一输出端;输入耦合电容设置在第一输入端上;第一电阻设置在第一输入端上;第...
  • 本发明涉及音频放大器技术领域,具体为一种音频放大器电路安全保护方法及系统,包括电路安全保护方法及系统包括音频输入源和系统上电,所述音频输入源接收到音频后,将音频传送给音频功率放大模块,所述音频功率放大模块对音频功率放大后经过过流检测模块。本...
  • 本发明涉及一种用于功率放大器的高耐压过温保护电路,属于集成电路领域。该过温保护电路包括低压NMOS管NM0~NM2,低压PMOS管PM0~PM10,高压NLDMOS管NM3~NM4,高压NLPMOS管PM11,NPN三极管Q0~Q2,施密特...
  • 本发明公开了一种氮化镓功率放大器线性度控制电路,包括,级联在一起的数个GaN器件、栅极电压控制模块;栅极电压控制模块包括至少一个输出端,每个输出端从第一个GaN器件开始依次与GaN器件的栅极电路连接,栅极电压控制模块根据每个GaN器件的环境...
  • 本申请公开了一种电子管分布参数补偿方法、装置及数字激励器,涉及短波通信技术领域,方法包括建立高末电子管屏极对栅极反馈作用的射频输入数学模型,基于电子管极间电容分布参数与激励信号特征,得到描述屏极总输入信号的复数表达式;并计算生成与射频输入信...
  • 本申请公开了一种射频功率放大器和射频前端模组,通过将用于传输较大功率的射频信号的单端功率放大电路拆分成两个同向放大晶体管组,并在两个同向放大晶体管组的输入端之间并联阻抗单元,从而既能够改善射频功率放大器的散热性能,又能够衰减两个同向放大晶体...
  • 本发明提供了一种具有宽带高性能旁路的低噪声放大器和射频前端模组,所述低噪声放大器包括输入匹配模块、输入放大模块、输出匹配及旁路模块、以及输入旁路模块,该低噪声放大器的旁路可以合理的选择输出电感和电容的组合来抵消射频系统上输出端带来的寄生电容...
  • 本申请涉及非独立组网下的共享低噪声放大器控制方法、电路、芯片、计算机设备和计算机程序产品。方法包括:根据第一共享载波通路的第一接收强度数据和第一信号参考数据计算第一目标增益数据,并根据第二共享载波通路的第二接收强度数据和第二信号参考数据计算...
  • 本发明公开了一种基于新型导数叠加实现高线性度的低噪声放大器,涉及射频集成电路技术领域,该放大器包括:偏置模块、输入匹配模块、输出匹配模块、主放大模块、辅助三次谐波抵消模块;所述偏置模块包含第一偏置电路和第二偏置电路,能够独立为主放大模块和辅...
  • 本发明公开了一种高稳定性的多级低噪声放大器架构,属于射频集成电路领域;该架构包括输入匹配电路、第一级Cascode放大电路、级间匹配电路、第二级CS放大电路及输出匹配电路;所述输入匹配电路的IN端接收射频信号,并将其匹配输出至第一级Casc...
  • 本发明涉及一种高输入阻抗低噪声轨到轨放大器,由高输入阻抗低噪声的轨到轨输入放大电路、增益提升电路、轨到轨输出放大电路和频率补偿电路组成,其特征在于:轨到轨输入放大电路中的PMOS负载电流源与电源VDD正极之间、以及NMOS负载电流源与电源地...
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