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最新专利技术
  • 测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法
    测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511834420.4
    本申请提供了一种测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法，测试结构包括：静态随机存取存储器单元，包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；量测单元，包括连接第一位线的第一量测晶体管和连接第二位线的第二量测晶体管；其中，第一量测晶体管用于在第...
    2026-02-16
  • 一种漏电检测方法以及电子设备
    一种漏电检测方法以及电子设备_新存科技(武汉)有限责任公司_202511298954.X
    本申请公开了一种漏电检测方法以及电子设备，存储器包括若干条第一导电线、若干条第二导电线和若干存储单元，每条第一导电线耦接至少一个存储单元，每条第二导电线耦接至少一个存储单元，每个存储单元分别耦接一条第一导电线和一条第二导电线。方法包括：确定...
    2026-02-16
  • 存储器装置及测试该存储器装置的方法
    存储器装置及测试该存储器装置的方法_三星电子株式会社_202510321488.6
    提供了一种存储器装置，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片包括第一正常区域和第一测试区域，第一正常区域包括位于第一表面上且被配置为被提供有在存储单元的操作期间所使用的信号的多个第一正常连接件，第一测试区域包括位于第一表面上且彼此电连接的多个第一...
    2026-02-16
  • 存储器装置及存储单元的失效状态的检测方法
    存储器装置及存储单元的失效状态的检测方法_旺宏电子股份有限公司_202410951039.5
    本公开提供了一种存储器装置及存储单元的失效状态的检测方法。存储器装置例如为三维与非门闪存电路，且提供高性能以及高容量的储存介质。检测方法包括：检索页缓冲器中储存的多个状态数据，查找出存储单元中的设定状态存储单元，获得设定状态数据；储存状态数...
    2026-02-16
  • 一种基于单元损坏趋势识别的DRAM动态修复方法
    一种基于单元损坏趋势识别的DRAM动态修复方法_碳芯微电子科技(深圳)有限公司_202511467284.X
    本发明涉及DRAM动态修复技术领域，具体为一种基于单元损坏趋势识别的DRAM动态修复方法。本发明接收CPU发出的逻辑地址请求，向DRAM发送读取命令并获取返回数据及ECC校验数据进行比较；当检测到单比特错误时，根据ECC校验数据纠正错误并返...
    2026-02-16
  • 错误记录装置、存储器装置、存储系统及其操作方法
    错误记录装置、存储器装置、存储系统及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510062786.8
    本公开涉及错误记录装置、存储器装置、存储系统及其操作方法。一种存储器装置包括：存储单元阵列，其包括耦接到多个行的存储单元；故障检测电路，其被配置为根据针对多个行中的每一行的错误检查操作的结果生成第一故障地址至第三故障地址，以及与故障输入信号...
    2026-02-16
  • 系统单芯片、测试系统单芯片的测试装置及测试方法
    系统单芯片、测试系统单芯片的测试装置及测试方法_信骅科技股份有限公司_202410886468.9
    本发明提供一种系统单芯片、用于测试系统单芯片的测试装置以及用于测试系统单芯片的测试方法。系统单芯片包括功能寄存器、一次性可程序化(one‑time programmable，OTP)内存以及处理器。功能寄存器包括多个功能位。系统单芯片依据所...
    2026-02-16
  • 移位寄存器
    移位寄存器_爱思开海力士有限公司_202510830016.3
    本公开涉及一种移位寄存器，该移位寄存器包括：前置级，被配置为基于时钟信号和复位信号输出预电压信号；以及“N”个移位级，被配置为接收时钟信号，并分别输出“N”个输出信号。前置级和“N”个移位级以菊花链形式联接。“N”个移位级之中的奇数移位级利...
    2026-02-16
  • 存储阵列的管理系统及其方法、动态熔断存储器及装置
    存储阵列的管理系统及其方法、动态熔断存储器及装置_济南迈威智能科技有限公司_202511357314.1
    本申请公开了一种存储阵列的管理系统及其方法、动态熔断存储器及装置，涉及电子技术领域，通过设置不同的存储阵列的存储区域以针对数据进行隔离，然后在不同的运行模式下，主控制器控制切换熔断模块开放运行模式对应的存储区域，并关闭其余的存储区域，从而，...
    2026-02-16
  • 存储器装置上的可选修整设置
    存储器装置上的可选修整设置_美光科技公司_202511598724.5
    本发明涉及与存储器装置上的可选修整设置相关的设备及方法。实例设备可存储数个修整设置组且基于存储器单元阵列的所要操作特性来选择所述数个修整设置组中的特定修整设置组。
    2026-02-16
  • 一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置
    一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置_深圳市惠存半导体有限公司_202511558373.5
    本发明公开了一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置，属于计算机数据存储技术领域，其包括获取待写入数据和设备工作负载参数，生成动态地址序列并结合存储器历史写操作数据计算倒序编程顺序，生成自适应倒序地址序列；获取实时电源状态信息，并基...
    2026-02-16
  • NORD闪存耐久性拖尾位的筛选方法
    NORD闪存耐久性拖尾位的筛选方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511247694.3
    本发明公开了一种NORD闪存耐久性拖尾位的筛选方法，包括：步骤一、对选定位进行编程擦除循环操作。各编程操作中，非选定位的第一编程电压根据循环次数进行设置，第一编程电压为初始编程电压加上第一偏移电压，第一偏移电压用以补偿所述非选定位的第一阈值...
    2026-02-16
  • 存储器装置和执行存储器装置的编程操作的方法
    存储器装置和执行存储器装置的编程操作的方法_爱思开海力士有限公司_202510909271.7
    本公开涉及一种存储器装置和执行存储器装置的编程操作的方法。存储器装置包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括联接到选择的字线的多个存储器单元。外围电路执行包括多个编程循环的编程操作，编程循环包括编程脉冲施加操作和验证操作，...
    2026-02-16
  • 存储器的操作方法、存储器以及存储系统
    存储器的操作方法、存储器以及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410881902.4
    本申请公开了一种存储器的操作方法、存储器以及存储系统，属于存储技术领域。该方法通过在对待擦除的存储块执行预编程操作的过程中，若接收到用于暂停预编程操作的暂停命令，在预编程操作还没有执行一定时长的情况下，不立即暂停预编程操作，而是当预编程操作...
    2026-02-16
  • 存储器的操作方法、存储器以及存储系统
    存储器的操作方法、存储器以及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410881763.5
    本申请公开了一种存储器的操作方法、存储器以及存储系统，属于存储技术领域。该方法通过在恢复存储块擦除操作的过程中，若擦除操作处于擦除脉冲阶段，响应于擦除操作在擦除脉冲阶段被暂停的次数大于或等于阈值，提前释放存储块连接的特定字线的电压，使得特定...
    2026-02-16
  • 用于eFuse读模块的参考单元及其参考电阻设置方法
    用于eFuse读模块的参考单元及其参考电阻设置方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511396896.4
    本发明涉及一种用于eFuse读模块的参考单元及其参考电阻设置方法，针对采用AA熔丝的efuse，由于AA熔丝利用扩散层及其金属硅化物层作为熔丝介质，和其他材质熔丝不同，AA熔丝在efuse编程过程中以电迁移为主，其熔断前和熔断后电阻值都具有...
    2026-02-16
  • 存储器装置和存储器装置的信息数据读取方法
    存储器装置和存储器装置的信息数据读取方法_三星电子株式会社_202510766237.9
    公开了存储器装置和存储器装置的信息数据读取方法，所述存储器装置包括：第一位线，连接到第一单元串；第二位线，连接到第二单元串并且与第一位线邻近；以及位线预充电控制器，被配置为在信息数据读取操作期间控制第一位线和第二位线的电压电平，以读取存储在...
    2026-02-16
  • 只读存储器阵列及其只读存储器
    只读存储器阵列及其只读存储器_亿而得微电子股份有限公司_202411031360.8
    本发明公开了一种只读存储器阵列及其只读存储器，涉及存储器领域，只读存储器阵列包括多条共源线、多条字符位元线与多个子存储器阵列，共源线垂直交会字符位元线。共源线包括第一共源线与第二共源线，字符位元线包括第一字符位元线与第二字符位元线。每一子存...
    2026-02-16
  • 存储器装置及其读取电压的设定方法
    存储器装置及其读取电压的设定方法_旺宏电子股份有限公司_202410963331.9
    本发明提供一种存储器装置及其读取电压的设定方法。存储器装置例如为三维与非式闪存，且提供高性能以及高容量的储存媒介。读取电压的设定方法包括：根据多个第一读取电压区间对多个存储单元执行读取验证操作，并获得多个第一通过存储单元数量；偏移各第一读取...
    2026-02-16
  • 用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术
    用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术_美光科技公司_202511480021.2
    本申请案涉及用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术。存储器图块可包含使用行解码器及列解码器可寻址的多个自选存储器单元。存储器控制器可使用对所述存储器图块的第一自选存储器单元具有第一极性的第一脉冲来存取所述第一自选存储器单元。所述存储器控制...
    2026-02-16
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