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最新专利技术
  • 设计辅助系统、设计辅助方法及设计辅助程序
    设计辅助系统、设计辅助方法及设计辅助程序_株式会社力森诺科_202480035763.1
    在利用升华法制造SiC单晶的工艺中，对制造条件的设计进行辅助。设计辅助系统对制造条件的设计进行辅助，适用于利用升华法制造SiC单晶的工艺，具有：第1存储部，存储对使用第一学习用数据进行学习而得到的第一学习完成模型，第一学习用数据包括输入到对...
    2026-01-12
  • 用于单晶制造装置中的杂质移除的非对称热场
    用于单晶制造装置中的杂质移除的非对称热场_美国西门子医疗系统股份有限公司_202480027421.5
    本文公开了一种生长高温氧化物晶体的炉和方法。该炉包括圆筒形炉壁、被设置在圆筒形炉壁内的感应线圈、被设置在感应线圈内的石英管、被设置在石英管内的耐火衬套以及被设置在耐火衬套内的坩埚，该坩埚在其中包括熔体。盖被放置在坩埚上。坩埚、耐火衬套、石英...
    2026-01-12
  • 层叠基板
    层叠基板_日本碍子株式会社_202480029272.6
    本发明以低成本提供具备热传导性优异的散热器材料的器件用的层叠基板。该层叠基板具备3层结构，该3层结构由器件用基板、器件用基板上的金属层、以及金属层上的金刚石层构成，该器件用基板由选自由Si、SiC、GaN、AlN、BN、Ga2O3、Cr2O...
    2026-01-12
  • 基座组件以及化学气相沉积装置
    基座组件以及化学气相沉积装置_TES股份有限公司_202580002744.3
    本发明涉及基座组件以及化学气相沉积装置，更详细地涉及当在基板沉积碳化硅(SiC)膜等时能够减小基板的温度偏差的基座组件以及化学气相沉积装置。
    2026-01-12
  • 包括可调节的晶体提拉组件以促进快速生产的晶体生长站
    包括可调节的晶体提拉组件以促进快速生产的晶体生长站_美国西门子医疗系统股份有限公司_202480033894.6
    一种晶体生长站，所述晶体生长站包括实施调节组件和联接至所述调节组件的运动头的可调节的晶体提拉系统。所述晶体生长站进一步包括可移动熔炉腔室，所述可移动熔炉腔室被配置为相对于所述可调节的晶体提拉系统的对接区域位移。所述调节组件调节所述运动头相对...
    2026-01-12
  • 包含自动夹具的拉锭设备
    包含自动夹具的拉锭设备_环球晶圆股份有限公司_202480036074.2
    一种拉锭设备包含：壳体，其界定生长室及生长室出口；隔离阀，其具有连接到所述生长室出口的第一阀端，及第二阀端；锭接纳容器，其界定锭接纳室及在接纳容器端处的接纳室入口；夹具，其包含连接到所述第二阀端的夹具基底；及控制器。所述夹具包含用以将所述接...
    2026-01-12
  • 罐用钢板
    罐用钢板_杰富意钢铁株式会社_202480035578.2
    本发明提供涂料密合性和表面外观优良的罐用钢板(1)。罐用钢板(1)中，在钢板(2)的表面从钢板(2)侧起依次具有金属铬层(3)和铬水合氧化物层(4)。金属铬层(3)的附着量为50～200mg/m2，铬水合氧化物层(4)的铬换算的附着量为3～...
    2026-01-12
  • 用于传感器中的铜表面的保护性涂层
    用于传感器中的铜表面的保护性涂层_德州仪器公司_202480036885.2
    本发明提供一种微电子装置(100)，其包含在电子组件(104)上方的铜结构(106)。所述铜结构(106)包含具有大于1微米的平均晶粒尺寸的铜。所述铜结构(106)具有腐蚀阻隔层(114)，所述腐蚀阻隔层(114)主要包含直接在所述铜上的氧...
    2026-01-12
  • 电镀装置以及使用所述电镀装置生产电镀铜箔的方法
    电镀装置以及使用所述电镀装置生产电镀铜箔的方法_铜箔卢森堡公司_202480035460.X
    本发明涉及一种生产电解铜箔的方法，包括以下步骤：在包括具有铜电解液的槽、由钛或钛合金制成的旋转阴极鼓和阳极的电镀槽中形成铜箔，其中，所述铜箔在所述阴极上连续形成并从其上移除，还包括处理步骤，其中，在所述铜箔的生产期间将等离子体射流施加到所述...
    2026-01-12
  • 用于生产碱金属的方法和反应器
    用于生产碱金属的方法和反应器_电气全球能源解决方案有限公司_202480036916.4
    本公开涉及用于由含有碱金属氢氧化物的进料液体生产碱金属的方法和反应器。该方法包括将进料液体进料到电解池中，该电解池包括容纳阳极和阳极电解液的阳极区、容纳阴极和阴极电解液的阴极区以及分隔该阳极区和该阴极的屏障，该阴极电解液包含有机溶剂中的基于...
    2026-01-12
  • 氧发生用电极及其制造方法
    氧发生用电极及其制造方法_德诺拉工业有限公司_202480035553.2
    本发明提供通过有效地消耗用作活性元素的铱从而能够长期地用于电解的氧发生用电极。氧发生用电极(10)，其包括：用钛或钛合金形成的基材(2)；在基材(2)上配置的、用包含钛和钽的第一混合金属氧化物形成的第一中间层(4)；和在第一中间层(4)之上...
    2026-01-12
  • 用于进行电解的设备与方法及用于此设备的电极单元
    用于进行电解的设备与方法及用于此设备的电极单元_德国艾托特克有限两合公司_202480027602.8
    一种用于进行电解过程的设备包括：容器(2；53)，其具有用于容纳至少一种电解质的容器内部(3；54)；隔开的第一电极(5a、b、6a到d；38a、b、42；56a、b、57a到f；78a、b)的阵列(26；77)，其布置于所述容器(2；53...
    2026-01-12
  • 用于制备电化学电池的催化剂涂布膜的方法及相应制备的电解池
    用于制备电化学电池的催化剂涂布膜的方法及相应制备的电解池_西门子能源国际公司_202480035668.1
    本文提出了一种用于制备电化学电池(25)的催化剂涂布的膜(25)的方法。在该方法中，首先在步骤(S1)中提供粉末状磺化无氟聚合物(1)。在该方法的另一步骤(S2)中，将磺化无氟聚合物(1)分散在无水溶剂(3)中，形成塑溶胶(5)。随后，在步...
    2026-01-12
  • 涂覆的切削工具
    涂覆的切削工具_山特维克科洛曼特公司_202480035342.9
    本发明涉及一种涂覆的切削工具(1)，包含：硬质合金的基体(5)、和涂层(6)，其中所述硬质合金包含WC晶粒和η相晶粒以及金属粘结剂，其中所述金属粘结剂包含Co和Cr，所述硬质合金中Co含量为6‑18 wt%，所述硬质合金中Cr/Co重量比为...
    2026-01-12
  • 涂覆的切削工具
    涂覆的切削工具_瓦尔特公开股份有限公司_202480035287.3
    本发明涉及一种涂覆的切削工具，包含：硬质合金的基体、和涂层，其中所述硬质合金包含WC晶粒和η相晶粒以及金属粘结剂，其中所述金属粘结剂包含Co、Cr和Ti，其中所述硬质合金中所述η相含量为1‑10 vol%，所述η相晶粒的平均晶粒尺寸为0.5...
    2026-01-12
  • 化学气相沉积装置
    化学气相沉积装置_TES股份有限公司_202580002741.X
    本发明涉及一种化学气相沉积装置，更详细地涉及一种当在基板沉积碳化硅(Sic)膜等时，不仅在基板的下方进行加热，还在基板的上方进行加热，进而通过划分配置有基板的处理空间并加热，能够对基板的产生温度偏差的区域进行温度校正，从而能够减少基板的温度...
    2026-01-12
  • 高纯度含4族过渡金属薄膜形成用前驱体及其制造方法
    高纯度含4族过渡金属薄膜形成用前驱体及其制造方法_思科特利肯股份有限公司_202480034755.5
    本发明涉及一种高纯度含4族过渡金属薄膜形成用前驱体及其制造方法，所述制造方法，包括：将4族过渡金属化合物在热处理温度下进行热处理的步骤；所述高纯度含4族过渡金属薄膜形成用前驱体，可以通过减少杂质的含量而制造出高质量的含4族过渡金属薄膜。
    2026-01-12
  • 形成互连结构的方法
    形成互连结构的方法_应用材料公司_202480026709.0
    描述了借由将基板表面暴露于卤化物前驱物和有机硅烷反应物来沉积金属膜的方法。该卤化物前驱物包含通式(I)的化合物：MQzRm，其中M为金属，Q为选自Cl、Br、F或I的卤素，z为1至6，R选自烷基、CO、和环戊二烯基，并且m为0至6。该铝反应...
    2026-01-12
  • 磁性材料靶材和磁性材料靶材组装件
    磁性材料靶材和磁性材料靶材组装件_JX金属株式会社_202480004335.2
    一种磁性材料靶材，包含：Pt、B、Ti以及Si中的任一种以上；Gd、Ge、Sn、Te以及Hf中的任一种以上；以及氧化物，其余部分为Co以及任选地包含的杂质，Co与Pt的浓度的合计为50at％以上，B、Ti以及Si的浓度的合计为10at％以上...
    2026-01-12
  • 沉积设备及沉积系统
    沉积设备及沉积系统_雅世电子科技有限公司_202480036348.8
    一种沉积设备，其用于在基板上制造各个具有并排结构的多个子像素，可以包括蒸发源装置，其位于基板的下方，朝向基板排出沉积材料。蒸发源装置可以包括点源或线源。与线源相比，点源可以位于从基板至少四倍以上的距离处。
    2026-01-12
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