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最新专利技术
  • 不停电换表计量箱及其更换电表方法
    不停电换表计量箱及其更换电表方法_国网湖南省电力有限公司_202511734952.0
    本发明公开一种不停电换表计量箱及其更换电表方法，其中，所述不停电换表计量箱包括箱体、接线装置和短接装置；箱体内设有电表位；接线装置包括设于电表位内并用于安装电表的电表连接端子，电表连接端子包括多个膨胀端子；短接装置包括安装于箱体上的驱动组件...
    2026-02-10
  • 一种基站用对中式防雷接地避雷针
    一种基站用对中式防雷接地避雷针_紫金智信智控(厦门)科技有限公司_202511771081.X
    本发明涉及防雷接地避雷针技术领域，公开了一种基站用对中式防雷接地避雷针，适用于GNSS基站及类似通信基站的防雷保护，该装置包括立杆、避雷针、等电位连接板、GNSS基站、控制箱、垂直接地体、下引线、底引线及多级撑固和压注结构，避雷针通过等电位...
    2026-02-10
  • 一种火花塞以及含有该火花塞的氢氧助燃系统
    一种火花塞以及含有该火花塞的氢氧助燃系统_南昌智能新能源汽车研究院_202511336986.4
    本发明提供一种火花塞以及含有该火花塞的氢氧助燃系统，其中火花塞包括打火组件、高压接头结构、火花塞外壳结构以及电解水产氢组件；在火花塞外壳结构内部设置有输入端连接在电解水产氢组件集气腔上的混合气腔以及连接在混合气腔输出端的储气腔、连接在打火组...
    2026-02-10
  • 火花塞电极和火花塞
    火花塞电极和火花塞_辉门点火系统有限公司_202510835335.3
    本申请公开了一种火花塞，该火花塞具有附接到陶瓷导电接合面的点火尖端，该点火尖端可帮助促进火花间隙处的导热性。火花塞电极包括具有导电焊接区的导电芯以及至少部分地围绕该导电芯延伸并具有火花部分的陶瓷护套。该陶瓷护套和该导电芯在该火花部分处形成陶...
    2026-02-10
  • 激光器外延片
    激光器外延片_湖北九峰山实验室_202511736677.6
    本发明提供了一种激光器外延片，包括依次叠设的：Si衬底、AlxGa1‑xAs种子层、GaAs缓冲层、第一重叠层、n型GaAs接触层、n型AlzGa1‑zAs波导层、第二重叠层、p型AlgGa1‑gAs波导层以及p型GaAs接触层。本发明通过...
    2026-02-10
  • 一种激光器结构及其制备方法
    一种激光器结构及其制备方法_苏州镓锐芯光科技有限公司_202410005334.1
    本发明涉及半导体激光器制作技术领域，公开了一种激光器结构及其制备方法，所述激光器结构包括：外延层；第一导电层，设置于外延层的第一表面；第二导电层，设置于第一导电层远离外延层的一侧表面；第一导电层为非晶导电层；第二导电层为多晶导电层。本发明提...
    2026-02-10
  • 一种自旋注入激光器
    一种自旋注入激光器_安徽格恩半导体有限公司_202511242532.0
    本发明涉及激光器技术领域，公开了一种自旋注入激光器，包括：衬底层，选用半绝缘GaAs衬底，表面经机械拋光和化学腐蚀处理；n型半导体层，位于衬底层上，由Si掺杂的GaAs材料构成，通过分子束外延生长形成晶格匹配的连接；有源区，位于n型半导体层...
    2026-02-10
  • 一种面发射OAM激光器及无线通信系统
    一种面发射OAM激光器及无线通信系统_南京大学_202511398025.6
    本发明公开一种面发射OAM激光器及光通信系统，该系统包括一种新型面发射OAM激光器，其中沿激光器的高度方向依次设有ITO电流扩展层、p型限制层、p波导层量子阱有源层、n型波导层、n型限制层及衬底，并在这些层中刻蚀有光栅以产生特定阶数的OAM...
    2026-02-10
  • 垂直腔面发射激光器及其制备方法
    垂直腔面发射激光器及其制备方法_华辰芯光(无锡)半导体有限公司_202511758621.0
    本发明涉及激光器技术领域，公开了垂直腔面发射激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底层；在衬底层上依次堆叠第一反射镜层、第一限制层、有源层和第二限制层；在第二限制层的部分表面形成环形的氮化势垒层，中部区域形成第一光孔；在氮化势垒层上形成第...
    2026-02-10
  • 激光设备
    激光设备_度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司_202511757980.4
    本发明提供了一种激光设备，激光设备包括第一波导、第二波导组和激光器，第二波导组包括分别设置于第一波导两侧的第三波导和第四波导；激光器包括：第一脊结构和第二脊结构；施加驱动电流至第一脊结构，第一脊结构的第一脊条发生激射，激光器的激射模式为单瓣...
    2026-02-10
  • 一种垂直腔面发射激光器
    一种垂直腔面发射激光器_深圳博升光电科技有限公司_202511247348.5
    本申请公开了一种垂直腔面发射激光器，通过光栅层上形成未贯通其厚度的光栅槽，这样使得光栅层沿其厚度方向包括刻蚀部分和未刻蚀部分，刻蚀部分设有光栅槽。在激光器工作时，刻蚀部分对应的温度高于未刻蚀部分对应的温度，这样刻蚀部分上的热量传递至未刻蚀部...
    2026-02-10
  • 基于两不同光栅且相位间隔λ/2平面金属光栅激光器
    基于两不同光栅且相位间隔λ/2平面金属光栅激光器_集芯(苏州)光电子科技有限公司_202511082403.X
    本发明属于光电子器件技术领域，特别涉及基于两不同光栅且相位间隔λ/2平面金属光栅激光器，包括 : 增益芯片、增益芯片光波导、光波导衬底、脊背光波导、环形谐振光波导以及平面金属光栅。本发明采用独特的外腔结构，通过两个光栅常数相近且相位差λ/2...
    2026-02-10
  • 基于两不同光栅且相位间隔λ/2金属光栅的激光器
    基于两不同光栅且相位间隔λ/2金属光栅的激光器_集芯(苏州)光电子科技有限公司_202511082401.0
    本发明涉及光电子器件技术领域，尤其是基于两不同光栅且相位间隔λ/2金属光栅的激光器，包括 : 增益芯片、增益芯片光波导、光波导衬底、光波导、环形谐振光波导以及金属BRAGG反射光栅。采用独特的外腔结构，摒弃传统夹层半导体光栅，采用顶部金属光...
    2026-02-10
  • 一种具有双层光栅结构的分布反馈式激光器
    一种具有双层光栅结构的分布反馈式激光器_芯辰半导体(苏州)有限公司_202511786579.3
    本申请提供了一种具有双层光栅结构的分布反馈式激光器，涉及激光器技术技术领域，该激光器在n型InP衬底上依次形成InGaAlAs多量子阱有源区、上层取样光栅层和下层相移光栅层，上层光栅层基于重构等效啁啾技术设计，沿谐振腔轴向具有两段取样周期呈...
    2026-02-10
  • 光集成激光元件
    光集成激光元件_住友电工光电子器件创新株式会社_202510846683.0
    本发明提供一种光集成激光元件，能够提高所输出的激光的强度且减少跳模的产生。光集成激光元件具备分布反馈型激光部、半导体光放大部及高反射膜。分布反馈型激光部设置在InP衬底上且具有第一光波导。第一光波导为激光的有源区域。半导体光放大部设置在In...
    2026-02-10
  • 光调制器集成半导体激光器、光模块、多值强度调制收发装置以及光线路终端装置
    光调制器集成半导体激光器、光模块、多值强度调制收发装置以及光线路终端装置_三菱电机株式会社_202510648605.X
    本公开的光调制器集成半导体激光器(500)具备：形成于半绝缘性基板(1)上的半导体激光器部(101)、第一连接波导部(102)、第一EA调制器部(103)、第二连接波导部(104)、第二EA调制器部(105)、以及将设置于第一EA调制器部(...
    2026-02-10
  • 激光器热管理装置及其控制方法
    激光器热管理装置及其控制方法_长春理工大学_202511774223.8
    本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种激光器热管理装置及其控制方法，激光器热管理装置包括：冷却基板，冷却基板内具有微通道，微通道包括主通道和支路通道，主通道用于流通冷却水；冷却基板具有检测控制区，检测控制区位于支路通道与主通道的连接处，检测...
    2026-02-10
  • 光器件和激光器
    光器件和激光器_光为科技(广州)有限公司_202511205555.4
    本发明公开了一种光器件和激光器，光器件包括基板、激光发射模块、准直透镜以及超窄带吸收器，激光发射模块设置在基板上，准直透镜设置在激光发射模块发射激光光束的前端，超窄带吸收器设置在准直透镜的光路上，激光发射模块用于发射激光光束，准直透镜用于将...
    2026-02-10
  • 光电子器件及其制备方法和电子设备
    光电子器件及其制备方法和电子设备_深圳博升光电科技有限公司_202511318437.4
    本申请公开了一种光电子器件及其制备方法和电子设备。光电子器件包括衬底，以及设置在衬底第一面的垂直腔面发射激光器或光探测器；光电子器件还包括第一超透镜或第二超透镜，第一超透镜和第二超透镜各自分别包括阵列排布的多个亚波长纳米结构，第一超透镜或第...
    2026-02-10
  • 一种基于谐波注入锁定光电振荡器的宽带倍频装置及实现方法
    一种基于谐波注入锁定光电振荡器的宽带倍频装置及实现方法_电子科技大学_202511316289.2
    本发明属于光电技术领域，具体涉及一种基于谐波注入锁定光电振荡器的宽带倍频装置及实现方法。本发明利用电光强度调制器的抑制载波双边带调制模式产生±1阶光边带，并经过光电探测器拍频后产生初始的二阶谐波注入信号。当注入信号的频率与光电振荡器环腔内的...
    2026-02-10
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