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  • 本发明提供一种退火机台健康度的监控方法,该退火机台健康度的监控方法包括以下步骤:提供一待退火的衬底晶圆,并于衬底晶圆的上表层形成非晶层;形成覆盖非晶层的显露上表面的阻挡层,并量测非晶层与阻挡层的初厚度;将衬底晶圆置于退火系统的退火机台中进行...
  • 本发明提供基于偏振光成像的半导体晶圆应力分布测量系统,应用于芯片设计和制程优化领域,系统包括偏振光源模块、晶圆处理模块、多通道光学系统、偏振相位处理模块、数据采集和处理模块及结果可视化模块,其核心创新在于将微分几何理论应用于偏振相位信息处理...
  • 本申请涉及一种硅通孔衬底噪声的测试结构,该测试结构中第一激励硅通孔和第二激励硅通孔均内嵌于测试晶圆衬底正面,第一激励硅通孔和第二激励硅通孔通过电学连接形成激励硅通孔对;各测试接触区制备在激励硅通孔周边;对激励硅通孔对施加脉冲信号,通过测量各...
  • 本发明公开了一种晶圆的检测治具及检测装置,涉及半导体制造技术领域,包括基座,还包括负压吸附腔,其设于基座内部,所述基座承载面上环形分布有若干个与负压吸附腔相连通的吸附孔,防偏保护机构,其弹性安装于基座边缘,用于在晶圆装卸时提供保护,限位检测...
  • 本发明涉及集成电路制造技术领域,公开了一种等离子体刻蚀终点检测系统及刻蚀终点检测方法,其中,一种等离子体刻蚀终点检测系统,包括:遮覆机构,用于覆盖等离子体刻蚀机的观察窗口;移动式光源发射机构;数据获取机构,数据获取机构用于获取移动式光源发射...
  • 本发明提供了一种版图图形的刻蚀偏差确定方法、介质、产品及设备。其中上述方法包括:确定版图图形中待补偿刻蚀偏差的目标多边形,并获取刻蚀偏差表,刻蚀偏差表用于记录多组预先设定的设计参数节点对应的刻蚀偏差;对目标多边形进行测量,得到目标多边形的目...
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供了一种清洗机TDH检测系统及检测方法,所述清洗机TDH检测系统,包括:机台外壳、清洗槽以及进风单元;所述机台外壳具有内腔,所述清洗槽设置于所述机台外壳的内腔中用于清洗基片;所述机台外壳上设置有进风口和排风口;所...
  • 本发明提供一种半导体分立器生产用检测装置,属于半导体检测装置技术领域,该半导体分立器生产用检测装置包括检测箱和箱盖,所述检测箱的内部通过轴承安装有转盘,所述转盘的上表面安装有支架,所述支架的顶部安装有储料组件,所述箱盖固定安装在支板的下表面...
  • 本发明公开一种硅片检测机,包括上料部分、AOI检测部分和IV检测部分;上料部分包括上料顶升机构、上料输入导轨和上料横移行走臂,上料横移行走臂横向移动在上料顶升机构与上料输入导轨之间;AOI检测部分包括四工位转盘机构、背面检测机构和正面检测机...
  • 本公开的是一种系统和方法,用于对晶片的3D结构元素进行计量,通过在所述3D结构元素的子集上以预定对角角度投射聚焦离子束(FIB),从而在每个子集区域中生成对角切割,使用扫描电子显微镜(SEM)扫描每个对角切割,基于所述SEM影像生成一或多个...
  • 本公开涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种晶圆完整性检测方法、装置和晶圆处理腔设备。根据本公开的晶圆完整性检测方法包括:在控制待检测晶圆通过预定空间区域期间,发射检测光信号,以照射待检测晶圆的表面;接收待检测晶圆通过预定空间区域期间的反射光信...
  • 本发明公开了一种离子注入热波监控片及重复利用方法,包括:提供同批使用的多个监控片;测量各监控片的第一热波前值;当各第一热波前值满足一致性要求时,对多个监控片进行掺杂第一气体元素的第一离子注入,并获取各监控片的第一热波后值;对获取第一热波后值...
  • 本发明提供了一种商用器件Cu引线键合可靠性改进及验证方法,包括以下步骤:S1、采用等离子体和超声波清洗商用器件Al键合区焊盘表面;S2、采用真空溅射系统将由Ti、NiV、Ag组成的复合金属层沉积在Al键合区焊盘表面;S3、采用热超声引线键合...
  • 本发明涉及一种半导体封装方法,尤其是一种全自动焊线机的垂直线弧形成方法及形成装置。该方法包括以下步骤:放线尾以形成线尾、用固定的激光器在线材上形成烧蚀缺口、收线以形成烧球线尾;烧球以形成金属焊球;焊接植球以使金属焊球焊接固定在基板焊点上;拉...
  • 本发明公开了一种凸点定位植柱方法,包括步骤一:在待植柱器件1的焊盘上沉积焊料,回流后形成凸点;步骤二:在凸点上刷涂助焊剂后装入焊柱定位工装上;步骤三:通过固定支撑将旋帽拧入,直至压紧待植柱器件;步骤四:将焊柱通过转移装置装入定位孔中;步骤五...
  • 本发明公开了一种裸片和晶圆的混合键合方法和半导体芯片的制备方法,其中,键合方法包括:将待切割晶圆切割成多个裸片;裸片包括第一表面和与第一表面相对的第二表面,裸片的第一表面设置有第一键合层;从裸片的第二表面同时抓取全部裸片,并以全部裸片的第一...
  • 半导体器件和制造具有载体的高级小芯片桥接管芯的方法。使用半导体晶片形成半导体器件。在半导体晶片上方形成桥接管芯,其包括在桥接管芯的第一表面上的第一接触焊盘和在桥接管芯的与第一表面相对的第二表面上的第二接触焊盘。半导体晶片附接到第一载体。半导...
  • 本发明公开了一种存储芯片的封装结构及固化封装设备,属于芯片封装技术领域。该装置包括机壳,所述机壳的内部设置有送料盘,所述送料盘的顶部边沿固定连接有若干个用于放置芯片的放置件,所述送料盘的下方设置有用于驱动送料盘转动的驱动件,所述送料盘的上方...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,公开了一种用于板级封装基板的微盲孔加工方法及板级封装基板,包括:步骤S100:准备芯板,在所述芯板的一面或两面设置分离层,所述分离层上设有第一图形线路层;步骤S200:在所述第一图形线路层上贴设若干个封装芯片并进...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,公开了一种可分离式板级扇出型封装方法及其结构,包括:步骤S100:准备第一芯板和第二芯板,通过在所述第一芯板与所述第二芯板之间设置分板层连接所述第一芯板和所述第二芯板形成双面作业载板;步骤S200:在所述第一芯板...
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