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最新专利技术
  • MIS基板的ECP封装方法及其封装结构
    MIS基板的ECP封装方法及其封装结构_华天科技(南京)有限公司_202511355011.6
    本发明提供了MIS基板的ECP封装方法，其优化空间布局重新利用基板内部空间，从而使得单位空间内封装的元器件数量增加，扩展了产品设计的功能性。其特征在于：将原本需要封装的芯片或者元器件预埋在基板内部，使用塑封料充当基板的芯材，并把芯片或者元器...
    2026-01-15
  • 一种基板及其封装方法、芯片封装结构及其封装方法
    一种基板及其封装方法、芯片封装结构及其封装方法_苏州通富超威半导体有限公司_202511324252.4
    本公开实施例提供一种基板及其封装方法、芯片封装结构及其封装方法，基板封装方法包括：提供基板，基板的背面设置有多个焊点；在基板的背面粘贴第一保护膜，以保护多个所述焊点；在基板的各侧面粘贴第二保护膜。通过在基板的背面和各侧面分别粘贴第一保护膜和...
    2026-01-15
  • 功率器件嵌埋结构及其制作方法
    功率器件嵌埋结构及其制作方法_珠海越亚半导体股份有限公司_202511726569.0
    本公开提供一种功率器件嵌埋结构及其制作方法。功率器件嵌埋结构包括金属框架、纳米导电浆料层和功率单元；纳米导电浆料层设置于金属框架上，功率单元贴装烧结在纳米导电浆料层上；功率单元包括功率器件和在功率器件上方的重新布线层；重新布线层位于功率器件...
    2026-01-15
  • 一种集成电路叠层封装方法
    一种集成电路叠层封装方法_西安君信电子科技有限责任公司_202511381724.X
    本发明提供了一种集成电路叠层封装方法，包括如下步骤：步骤1：叠层；步骤2：单颗进行切割；步骤3：电镀；步骤4：刻蚀；步骤5：BGA植球；该集成电路叠层封装方法，将多个同型号集成电路叠层封装的方式，在并行使用多个相同集成电路时，仅需焊接一次，...
    2026-01-15
  • 一种碳化硅陶瓷覆铜基板制备方法及结构
    一种碳化硅陶瓷覆铜基板制备方法及结构_重庆伟特森电子科技有限公司_202511522870.X
    本发明属于功率电子器件封装技术领域，公开了一种碳化硅陶瓷覆铜基板制备方法及结构，方法包括：S1，在碳化硅陶瓷基板正面和背面分别沉积第一金属层和第二金属层；S2，在第一金属层和第二金属层上分别形成第一合金层和第二合金层；S3，去除金属层上未进...
    2026-01-15
  • 一种塑封QFN封装侧面铜框架引线切口裸露部位保护方法
    一种塑封QFN封装侧面铜框架引线切口裸露部位保护方法_合肥圣达电子科技实业有限公司_202511376886.4
    本发明属于电子元器件封装技术领域，具体涉及一种塑封QFN封装侧面铜框架引线切口裸露部位保护方法。方法包括除油、活化、水洗的前处理步骤，以及化学镀锡步骤和清洗、风干步骤。本申请通过采用化学镀锡的方法，在塑封QFN封装周围侧边引线切口处均匀的镀...
    2026-01-15
  • 一种凸块封装结构及封装方法
    一种凸块封装结构及封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202511355248.4
    本发明公开了一种凸块封装结构及封装方法，该封装方法包括以下步骤：步骤一：在晶圆表面溅射种子层；步骤二：在晶圆表面制作光刻胶开口；步骤三：在光刻胶开口内制作至少两层金属层，使Pad连接出来；步骤四：去除晶圆表面的种子层，使凸点直接各自独立，避...
    2026-01-15
  • 封装基板的制法
    封装基板的制法_芯爱科技(南京)有限公司_202511047946.8
    一种封装基板的制法，包括使用一预制基板作为核心板体及另一预制基板作为弯翘抵消件，以整平因增层引起的翘曲，且该预制基板的使用有利于缩短封装基板的工艺。
    2026-01-15
  • 封装基板的制法
    封装基板的制法_芯爱科技(南京)有限公司_202511046771.9
    一种封装基板的制法，将核心板体设于支撑件的开槽中，再将包覆层填入该开槽中，使该包覆层包覆该核心板体，之后于该支撑件上形成布线结构，故借由该支撑件的设计，以确保高良率的需求。
    2026-01-15
  • 形成半导体封装的方法
    形成半导体封装的方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410892694.8
    本发明公开一种形成半导体封装的方法，其包括以下步骤。在第一支撑台上形成第一导电层，其中第一导电层包括第一框架以及与第一框架连接且位于由第一框架所界定的第一空间内的第一配线图案。在第二支撑台上形成支撑层，其中支撑层包括支撑框架。在第三支撑台上...
    2026-01-15
  • 用于将蚀刻层蚀刻的方法
    用于将蚀刻层蚀刻的方法_朗姆研究公司_202511049163.3
    提供了一种在堆叠件中蚀刻特征的方法，所述堆叠件包括在衬底上的介电材料。在步骤(a)中，由蚀刻气体产生蚀刻等离子体，将所述堆叠件暴露于所述蚀刻等离子体，并且部分地蚀刻所述堆叠件中的特征。在步骤(b)中，在步骤(a)之后提供原子层沉积工艺以在侧...
    2026-01-15
  • 用于形成沟槽的方法及包括沟槽的半导体结构
    用于形成沟槽的方法及包括沟槽的半导体结构_杭州富芯半导体有限公司_202511173366.3
    本申请涉及用于形成沟槽的方法及包括沟槽的半导体结构。该用于形成沟槽的方法包括：形成依次层叠于衬底结构的硬掩膜及抗反射层，其中，衬底结构包括依次层叠的衬底及保护结构；形成贯穿抗反射层、硬掩膜、保护结构并延伸入衬底的第一沟槽；去除抗反射层及硬掩...
    2026-01-15
  • 使用发光二极管灯蚀刻基底的方法和系统
    使用发光二极管灯蚀刻基底的方法和系统_波音公司_202510446133.X
    本申请涉及使用发光二极管灯蚀刻基底的方法和系统。一种使用发光二极管(LED)灯蚀刻基底的方法，所述方法包括：将基底放置在配备有配置成发射具有选定波长的紫外线(UV)的LED灯的蚀刻腔室中。该方法包括：将基底浸没在蚀刻腔室内的电解质溶液中，并...
    2026-01-15
  • 一种碲锌镉晶片双面化学机械抛光方法
    一种碲锌镉晶片双面化学机械抛光方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511146724.1
    本申请公开了一种碲锌镉晶片双面化学机械抛光方法，涉及半导体材料加工技术，包括：预先在抛光垫开导流槽，以基于导流槽提高抛光液在晶片上下表面的流动性，并将抛光垫粘接至抛光盘；按照设定的配比，配制包括磨料、水、增润剂、氧化剂的抛光液；选取合适材质...
    2026-01-15
  • 一种晶圆的加工方法及晶圆
    一种晶圆的加工方法及晶圆_苏州纳维科技有限公司_202511385221.X
    本发明提供了一种晶圆的加工方法及晶圆，该加工方法包括：S1、对待加工的第一晶圆的边缘进行粗加工，第一倒角部与第二倒角部为非对称倒角形状；S2、按照预设抛光参数对第一倒角部的表面、第二倒角部的表面以及过渡倒角部的表面进行抛光；S3、实时检测定...
    2026-01-15
  • 一种可控硅芯片的一次成型镓扩散工艺
    一种可控硅芯片的一次成型镓扩散工艺_扬州杰利半导体有限公司_202511422366.2
    本发明公开了一种可控硅芯片的一次成型镓扩散工艺，步骤一，石英管表面增加耐高温的氧化铝涂层；步骤二，将石英管置于炉体内；步骤三，硅片氧化；步骤四，扩散炉管内通入氮气，并将扩散炉管内温度升至790℃‑810℃；步骤五，将载有氧化镓粉的小舟预先推...
    2026-01-15
  • 衬底处理设备和方法
    衬底处理设备和方法_细美事有限公司_202510824730.1
    公开了一种处理衬底的方法，该方法包括：将具有第一流动路径和第二流动路径的喷嘴单元移动到衬底的顶部的喷嘴移动操作；在喷嘴移动操作之后通过第一流动路径将第一处理液排放到衬底的第一排放操作；以及第二排放操作，其在第一排放操作之后停止通过第一流动路...
    2026-01-15
  • 在衬底上形成结构的方法和填充凹陷特征的相关方法
    在衬底上形成结构的方法和填充凹陷特征的相关方法_ASMIP私人控股有限公司_202510804359.2
    公开了使用金属顺序渗透合成过程填充衬底上的凹陷特征的方法。所公开的方法包括在凹陷特征内形成有机层并将金属物质引入有机层中以允许形成金属晶种层。随后可由金属晶种层形成主体金属层以填充凹陷特征。
    2026-01-15
  • 脉冲型阿尔法粒子时间飞行谱仪
    脉冲型阿尔法粒子时间飞行谱仪_西安交通大学_202511344055.9
    一种脉冲型阿尔法粒子时间飞行谱仪，将固定环、铝箔、闪烁体、光导、光导光纤连接器集成在一起后与转接法兰连接，光导光纤连接器另一端固定有光纤，光纤、高压电源、示波器、信号发生器连接到MCP‑PMT8的PMT对应端口；本发明采用闪烁体探测器和门控...
    2026-01-15
  • 用于扩展质谱仪的定量动态范围的方法、系统及设备
    用于扩展质谱仪的定量动态范围的方法、系统及设备_清华大学_202511345373.7
    本申请公开了一种用于扩展质谱仪的定量动态范围的方法、系统及设备。用于扩展质谱仪的定量动态范围的方法，包括：通过质谱仪的检测器获得待检测样本离子化后的模拟信号与计数信号；根据检测器输出的质谱信号得到初级电压信号；根据初级电压信号，生成计数图谱...
    2026-01-15
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