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最新专利技术
  • 一种聚合物纳米纤维制备方法及液压管道微泄漏检测方法
    一种聚合物纳米纤维制备方法及液压管道微泄漏检测方法_西安交通大学_202511355125.0
    本发明公开了一种聚合物纳米纤维制备方法及液压管道微泄漏检测方法，涉及材料科学与传感器工程技术领域。该方法包括：将离子单体、电子单体、导电添加剂及溶剂按比例混合，得到纺丝液；其中，所述离子单体与所述电子单体的摩尔比为1 : 1至10 : 1，...
    2026-03-02
  • 一种二次偏心结构的微流体控制纺丝头、纺丝装置及纺丝方法
    一种二次偏心结构的微流体控制纺丝头、纺丝装置及纺丝方法_浙江理工大学_202511332809.9
    本发明涉及纳米纤维制备技术领域，具体是一种二次偏心结构的微流体控制纺丝头、纺丝装置及纺丝方法。纺丝头包括第一纺丝管、第二纺丝管和第三纺丝管，第一纺丝管、第二纺丝管和第三纺丝管的前部依次嵌套设置；第二纺丝管在第一纺丝管内偏心布置，第三纺丝管在...
    2026-03-02
  • 定向排列蚕丝纤维的静电纺丝工艺控制方法
    定向排列蚕丝纤维的静电纺丝工艺控制方法_浙江嘉欣金三塔丝绸服饰有限公司_202511164630.7
    本申请涉及蚕丝纺丝技术的领域，尤其是涉及定向排列蚕丝纤维的静电纺丝工艺控制方法，具体包括以下步骤，配置内含蚕丝蛋白的纺丝溶液；将纺丝溶液注入注射器内，并开启注射泵；向金属针头施加频率为20‑60kHz的超声波振动；调整纺丝溶液流速、电压和接...
    2026-03-02
  • 一种纤维成型平衡系统及纤维成型方法
    一种纤维成型平衡系统及纤维成型方法_山东玻纤集团股份有限公司_202511538095.7
    本发明适用于纤维成型设备技术领域，提供了一种纤维成型平衡系统及纤维成型方法，包括：出丝模块，包括漏板和出丝组件，出丝组件转动连接于漏板的底部并且通过出丝组件转动控制出丝组件的出丝尺寸，漏板的顶部设有若干与出丝组件对应设置的通道；拉丝模块，拉...
    2026-03-02
  • 一种籽棉异性纤维逐级清理装置及方法
    一种籽棉异性纤维逐级清理装置及方法_石河子大学_202511719017.7
    本发明公开了一种籽棉异性纤维逐级清理装置及方法，涉及农业机械技术领域，包括缠绕清理部、开松清理部、气流清理部以及静电清理部，缠绕清理部设有第一通道，第一通道内自上向下依次设置有若干排辊组，任意一排辊组均包括若干个缠绕辊；开松清理部能够对第一...
    2026-03-02
  • 一种羊毛原料自动化清洁输送装置
    一种羊毛原料自动化清洁输送装置_西藏伟苒文化传媒有限公司_202511389780.8
    本发明公开了一种羊毛原料自动化清洁输送装置，涉及羊毛加工技术领域；包括上方安装有拆分箱的清洗池，所述清洗池一侧固定连接有连接架，连接架另一端固定连接有冲洗支架，冲洗支架内侧固定连接有多个电动滚筒；本发明通过挤压组件在挤压电机驱动下，通过偏心...
    2026-03-02
  • 一种激光晶体异质键合方法及光学元件
    一种激光晶体异质键合方法及光学元件_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511223190.8
    本申请提供一种激光晶体异质键合方法及光学元件，及激光技术领域，该方法包括：基于激光晶体和异质材料，分别所述激光晶体和异质材料的待键合表面进行超精密表面处理；在表面处理后的两所述待键合表面上，通过物理或化学沉积方法分别沉积至少一层过渡层；并确...
    2026-03-02
  • 一种钛石膏半水硫酸钙晶须及其制备方法
    一种钛石膏半水硫酸钙晶须及其制备方法_河南理工大学_202511146716.7
    本发明属于钛石膏的处理技术领域，具体涉及一种钛石膏半水硫酸钙晶须及其制备方法。本发明的钛石膏半水硫酸钙晶须的制备方法包括下述步骤：(1)向二水钛石膏中加入水和氯化镧，混合均匀，得到钛石膏浆体；(2)使所述钛石膏浆体进行水热反应；(3)水热反...
    2026-03-02
  • 一种大尺寸高导率异质衬底结构及其制备方法
    一种大尺寸高导率异质衬底结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511207631.5
    一种大尺寸高导率异质衬底结构及其制备方法，涉及分子束外延生长技术领域，该结构包括：异质衬底层；生长在所述异质衬底层上的碲化锌层；生长在所述碲化锌层上的金属铜层；生长在所述金属铜层上的碲化镉层；生长在所述碲化镉层上的ZnTe/CdTe超晶格层...
    2026-03-02
  • 一种汞源端口用装配件及分子束外延方法
    一种汞源端口用装配件及分子束外延方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511170382.7
    一种汞源端口用装配件及分子束外延方法，涉及晶体生长技术领域；该装配件包括：压差平衡部，配置为空心圆柱体，其侧壁开设多个均匀分布的圆形通孔；用于平衡喷口侧与腔室侧压差；定位卡槽，凸置于压差平衡部端部；用于实现装配件机械锁固；束流扩散部，包括多...
    2026-03-02
  • 二维TMDC单晶外延衬底、其制备方法及应用
    二维TMDC单晶外延衬底、其制备方法及应用_苏州实验室_202511145440.0
    本发明公开了一种二维TMDC单晶外延衬底、其制备方法及应用，所述二维TMDC单晶外延衬底包括蓝宝石衬底及位于蓝宝石衬底表面的镧系金属氧化物单分子钝化层。本发明提出了一种具有镧系金属氧化物单分子钝化层的蓝宝石衬底，均匀地改变了表面结构，有效降...
    2026-03-02
  • 一种通过多孔GaN微米金字塔结构生长高质量GaN晶体的方法
    一种通过多孔GaN微米金字塔结构生长高质量GaN晶体的方法_山东大学_202511258877.5
    本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种通过多孔GaN微米金字塔结构生长高质量GaN晶体的方法。该方法包括如下步骤：提供GaN衬底，并在GaN衬底表面设置具有规则周期性图案的掩膜，获得图案衬底；其中，规则周期性图案为若干孔隙形成的阵列，所...
    2026-03-02
  • 一种基于高静氮压与活性氮调控的氮化硅晶体及其生长方法
    一种基于高静氮压与活性氮调控的氮化硅晶体及其生长方法_浙大宁波理工学院_202511167751.7
    本发明涉及一种基于高静氮压与活性氮调控的氮化硅晶体及其生长方法。所述氮化硅晶体通过该成长方法制得，所述方法采用物理气相传输工艺，具体包括：通过向高纯β‑Si3N4与多晶硅混合构成的源粉中引入高静压氮气(1–3 bar)及微量NH3/N2混合...
    2026-03-02
  • 一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法
    一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511696955.X
    本发明公开了一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法，所述外延片包括外延层、SiC衬底和调控层，调控层位于衬底背面外部或衬底背面内部，外延层位于衬底正面；其中，所述调控层和衬底之间的晶格失配度与外延层和衬底之间的晶格失配度符号相同，但是绝对值...
    2026-03-02
  • 短b轴等级孔ZSM-5纳米薄片分子筛单晶衍生物及其合成方法、应用
    短b轴等级孔ZSM-5纳米薄片分子筛单晶衍生物及其合成方法、应用_武汉理工大学_202511273688.5
    本发明涉及一系列短b轴等级孔ZSM‑5纳米薄片分子筛单晶衍生物及其合成方法、应用。在不添加介孔模板剂、无后处理的情况下，本发明选用廉价易得、环境友好的尿素作为生长修饰剂，利用尿素在高温晶化过程中分解产生的氨气作用于ZSM‑5分子筛的[010...
    2026-03-02
  • 一种获得大面积柔性自支撑四方相BiFeO3薄膜的方法
    一种获得大面积柔性自支撑四方相BiFeO3薄膜的方法_华南师范大学_202511057279.1
    本发明提供一种获得大面积柔性自支撑四方相BiFeO3薄膜的方法，包括以下步骤：在衬底上依次制备牺牲层和底电极层；在底电极层上制备BiFeO3层；向底电极层注入He离子，使BiFeO3晶格发生转变形成超四方相；将衬底和牺牲层剥离，得到自支撑四...
    2026-03-02
  • 温梯法生长氧化镓晶体的设备及其生长方法
    温梯法生长氧化镓晶体的设备及其生长方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511033980.X
    本发明公开一种温梯法生长氧化镓晶体的设备及氧化镓晶体的生长方法，所述设备包括炉体和位于炉体内部的可密封的生长装置，生长装置包括：支撑机构；设置在支撑机构上的坩埚；升降机构；设置在升降机构上的隔离腔室，隔离腔室包括隔离腔室侧壁，隔离腔室通过升...
    2026-03-02
  • 一种厘米尺寸针状碘化铅的制备方法
    一种厘米尺寸针状碘化铅的制备方法_河南大学_202511350781.1
    本发明公开了一种厘米尺寸针状碘化铅的制备方法，包括以下步骤，将碘单质和铅单质放置在石英玻璃管内的一端；将石英玻璃管抽真空并封结；将封结好的石英玻璃管放置在管式炉内，同时将没有原料的的一端悬置在外部；进行第一热处理，使石英管内的碘单质和铅单质...
    2026-03-02
  • 一种导电聚晶金刚石复合片
    一种导电聚晶金刚石复合片_河南四方达超硬材料股份有限公司_202511290853.8
    本发明属于超硬材料技术领域，具体涉及一种导电聚晶金刚石复合片。本发明提供的导电聚晶金刚石复合片，制备方法包括以下步骤：将金刚石微粉、导电结合剂和高分子聚合物于溶剂中混合后去除溶剂得到混合料，将混合料压制成坯体并与硬质合金基体组装，经过热处理...
    2026-03-02
  • 碲化镉多晶的制备方法
    碲化镉多晶的制备方法_广东晶智光电科技有限公司_202511314764.2
    一种碲化镉多晶的制备方法包括步骤：按照摩尔比1 : (1.021‑1.043)称取5N碲块和镉块；S2，将碲块装入石英管的底部，将镉块装入侧壁有锥度的石英舟内，再将石英舟装入石英管内并置于碲块上方，石英舟装入后保持石英管竖直放置，石英舟的径...
    2026-03-02
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