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最新专利技术
  • 基于区域选择性原子层沉积的图形制备方法
    基于区域选择性原子层沉积的图形制备方法_中国科学院光电技术研究所_202511400116.9
    本公开提供一种基于区域选择性原子层沉积的图形制备方法，包括：在衬底上形成第一金属增强层；在第一金属增强层上形成具有光敏性的自组装单分子层；在具有光敏性的自组装单分子层上形成第二金属增强层；利用深紫外光对具有光敏性的自组装单分子层进行曝光并显...
    2026-03-01
  • 立式炉管
    立式炉管_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410783591.8
    本申请提出的立式炉管，包括：工艺管，底部内侧设有基座；多个气体喷射器，包括流体连通的进气管和喷射管，所述进气管的一端与工艺气体的供应源连接，另一端水平插设在所述基座内；所述喷射管设置在所述工艺管内部，且竖直插设在所述基座内；所述喷射管靠近底...
    2026-03-01
  • 一种带有多层纳米涂层的刀具及其制备方法
    一种带有多层纳米涂层的刀具及其制备方法_湖南科技大学_202511725586.2
    本发明公开了一种带有多层纳米涂层的刀具及其制备方法，刀具包括刀具基体和设置在刀具基体表面的多层纳米涂层，所述多层纳米涂层从内向外依次包括过渡层、功能层和保护层；所述功能层包括交替设置的耐磨层和润滑层，所述功能层中的最上层和最下层为耐磨层。制...
    2026-03-01
  • 一种在石墨基体上实现快速CVD碳化硅涂层的方法
    一种在石墨基体上实现快速CVD碳化硅涂层的方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511110754.7
    本发明涉及材料表面改性技术领域，且公开了一种在石墨基体上实现快速CVD碳化硅涂层的方法，该在石墨基体上实现快速CVD碳化硅涂层的方法，包括以下步骤：S1、石墨基体预处理，对石墨基体进行表面粗糙化处理，依次包括混合酸蚀刻和低温等离子体活化；S...
    2026-03-01
  • 一种铜催化辅助制备二维转角WS2的方法
    一种铜催化辅助制备二维转角WS2的方法_许昌学院_202511080975.4
    本发明公开了一种铜催化辅助制备二维转角WS2的方法，属于无机纳米半导体材料领域，包括：将装载硫粉的第一刚玉舟放在多温区管式炉的上游低温区；将氧化钨粉与铜粉混合后的混合粉末放在第二刚玉舟内的前端，将沉积衬底放在第二刚玉舟内的末端，第二刚玉舟入...
    2026-03-01
  • 一种针对金属、陶瓷的光学遮光圈内孔的消光方法
    一种针对金属、陶瓷的光学遮光圈内孔的消光方法_苏州五强光学科技有限公司_202511292948.3
    本发明涉及光学元件处理技术领域，具体公开了一种针对金属、陶瓷的光学遮光圈内孔的消光方法，先采用超声波清洗，内孔区域辅以旋转式喷淋清洗；再用去离子水进行内外高压冲洗，最后在烘箱中烘干；将经过表面预处理的遮光圈放入VCD反应炉内；通入碳源气体，...
    2026-03-01
  • 一种中空玻璃镀膜装置及镀膜工艺
    一种中空玻璃镀膜装置及镀膜工艺_山东星冠玻璃科技有限公司_202511705597.4
    本发明提供一种中空玻璃镀膜装置及镀膜工艺，涉及玻璃镀膜技术领域，包括：支架用于承载待镀膜玻璃；镀膜机构包括移动组件、固定架、更换组件和底座；支架与底座转动连接，更换组件与固定架滑动连接，更换组件与移动组件固定连接；送料机构安装在支架上，用于...
    2026-03-01
  • 一种镜片镀膜夹装系统
    一种镜片镀膜夹装系统_江西宏信光学科技有限公司_202511408423.1
    本发明公开一种镜片镀膜夹装系统，涉及镜片镀膜加工技术领域；包括镀膜箱，镀膜箱的顶部设置有抽真空设备，在镀膜箱的外侧设置料口，且在料口处设置有支架；在镀膜箱的外侧设置有用于运输镜片的运输设备，支架上设置有转移组件，用于将镜片运输设备上转移至镀...
    2026-03-01
  • 一种稳定抗震光学镜片真空镀膜架
    一种稳定抗震光学镜片真空镀膜架_苏州镭云海创光电科技有限公司_202511399493.5
    本发明提供一种稳定抗震光学镜片真空镀膜架，涉及真空镀膜架技术领域，包括支架本体，所述支架本体的内部固定安装有承托板，所述承托板的顶端固定安装有多个辅助架，每个所述辅助架的内部均滑动安装有导轨移板，每个所述导轨移板的顶端均固定安装有水平悬架，...
    2026-03-01
  • 一种具备翻转夹持功能的汽车配件用镀铝工装
    一种具备翻转夹持功能的汽车配件用镀铝工装_东台瀚森智能科技有限公司_202511370756.X
    本发明公开了一种具备翻转夹持功能的汽车配件用镀铝工装，涉及镀膜工装技术领域，包括：驱动组件、固定外框和若干翻转夹持组件，所述翻转夹持组件包含：偏转连杆、伸缩杆、工件夹头和导向套杆；驱动组件升降时，通过第一铰接轴带动偏转连杆偏转，迫使伸缩杆沿...
    2026-03-01
  • 一种用于刀具前刀面的复合润滑减摩涂层的制备方法
    一种用于刀具前刀面的复合润滑减摩涂层的制备方法_斯锐德精密刀具(浙江)有限公司_202511236971.0
    本发明提供一种用于刀具前刀面的复合润滑减摩涂层的制备方法，包括以下步骤：将预处理的刀具基体置于真空室的基片架上；加热刀具基体至预设沉积温度；采用非平衡磁控共溅射工艺，同时溅射至少一个硬质相靶材和至少一个润滑相复合靶材以沉积涂层；通过对刀具基...
    2026-03-01
  • 一种管道内壁阻氢涂层及其制备方法
    一种管道内壁阻氢涂层及其制备方法_核工业西南物理研究院_202511408479.7
    本发明公开了一种管道内壁阻氢涂层及其制备方法，涉及管道涂层技术领域，制备方法包括以下步骤：(1)对待处理工件进行清洗、烘烤后安装入炉并抽真空加热、保温；(2)开启金属靶材的磁控溅射镀膜电源，在真空室中产生等离子体，外接负压电源，金属靶材接正...
    2026-03-01
  • 一种复合涂层、其制备方法及其在玻璃模压模具中的应用
    一种复合涂层、其制备方法及其在玻璃模压模具中的应用_辽宁科技大学_202511307549.X
    本发明公开了一种复合涂层、其制备方法及其在玻璃模压模具中的应用。沿厚度方向，该复合涂层依次包括Cr层和C‑Pt纳米复合层；通过在基体表面依次沉积Cr层，在Cr层表面沉积C‑Pt纳米复合层，制得复合涂层。本发明显著弱化甚至消除了复合涂层中团簇...
    2026-03-01
  • 一种带有波浪环的磁控溅射靶装置
    一种带有波浪环的磁控溅射靶装置_沈阳工业大学_202511302603.1
    本发明涉及磁控技术，尤其涉及一种带有波浪环的磁控溅射靶装置。包括相互隔离的调节室和隔离室、励磁装置。所述励磁装置通过基础永磁体与分散式永磁体阵列形成约束电子的磁势阱。通过位于所述隔离室内的微动电机经一传动系统，带动位于所述调节室内的波浪环产...
    2026-03-01
  • 靶材混合溅射方法及系统
    靶材混合溅射方法及系统_浙江日久新材料科技有限公司_202511253195.5
    本发明公开了一种靶材混合溅射方法及系统，其中溅射方法，包括匹配于待溅射膜层的合金成分，为同一靶位配置若干第一靶材：依据第一靶材对应的物质在合金中的含量，匹配第一靶材的输出功率；和/或依据第一靶材对应的物质在合金中的含量，调整第一靶材的磁控角...
    2026-03-01
  • 类金刚石基复合涂层及制备方法
    类金刚石基复合涂层及制备方法_上海海立电器有限公司_202511212995.2
    本发明提供了一种类金刚石基复合涂层及制备方法，所述复合涂层形成于不锈钢基体或铸铁基体上，所述复合涂层包括依次层叠设置的过渡层、耐磨层和抗咬合层；所述过渡层包括第一Me层、MeN层、Me(W)N层以及MeWN层；所述耐磨层包括WC‑DLC复合...
    2026-03-01
  • 一种磁控溅射镀膜工艺用偏压系统
    一种磁控溅射镀膜工艺用偏压系统_新疆丝路新能源开发有限公司_202511105186.1
    本发明涉及真空镀膜领域，尤其是一种磁控溅射镀膜工艺用偏压系统，包括偏压电源；磁控溅射镀膜机包括真空室以及设置于真空室内的基板和磁铁，基板和磁铁相近一侧分别连接有溅射靶材和基板，基板上安装有电池片；偏压电源的正极通过绝缘导线连接至基板，电池片...
    2026-03-01
  • 工艺腔室及半导体工艺设备
    工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410796733.4
    本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种工艺腔室，包括：腔体、进气组件、第一加热组件和隔热组件；所述进气组件设于所述腔体，用于向所述腔体内通入工艺气体；所述第一加热组件设于所述腔体内，并连接于所述进气组件的边缘区域，用...
    2026-03-01
  • 一种方舱辐射屏蔽涂层及制备方法
    一种方舱辐射屏蔽涂层及制备方法_宁波欧佰胜特能装备制造有限公司_202511493468.3
    本发明涉及辐射屏蔽涂层制备技术领域，公开了一种方舱辐射屏蔽涂层及制备方法，包括在恒定物理溅射环境中，通过周期性地脉冲注入反应气体，在涂层生长界面原位触发选择性化学反应，生成硬质相与纳米韧化相交替的微观结构，并利用电源谐波反馈对生成过程进行闭...
    2026-03-01
  • 金属钇靶材及其制备方法
    金属钇靶材及其制备方法_湖南高创稀土新材料有限责任公司_202511299889.2
    本申请提供了一种金属钇靶材及其制备方法，属于溅射靶材技术领域，更广范围地属于电子专用材料领域。该金属钇靶材的制备方法，包括如下步骤：将金属钇置于悬浮炉中，抽真空至≤10‑2Pa，通入保护性气体并升温至1500℃～1700℃熔炼，待金属钇充分...
    2026-03-01
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