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最新专利技术
  • 具有半导体管芯层的半导体封装
    具有半导体管芯层的半导体封装_闪迪技术公司_202411613722.4
    本公开提供了一种用于半导体封装的半导体管芯层，该半导体管芯层包括第一半导体管芯和与该第一半导体管芯相邻的第二半导体管芯。该第一半导体管芯和该第二半导体管芯通过位于这些管芯之间的填充材料接合在一起。第一RDL和第二RDL设置在该半导体管芯层的...
    2026-02-03
  • 具有集成温度传感器的分立半导体器件封装
    具有集成温度传感器的分立半导体器件封装_力特半导体(无锡)有限公司_202410768625.6
    提供了一种半导体封装。半导体封装可以包括壳体；半导体芯片，该半导体芯片设置在壳体内；顶部连接器，该顶部连接器连接到半导体芯片；引线框，该引线框耦合到顶部连接器；以及温度传感器芯片，该温度传感器芯片设置在顶部连接器上。
    2026-02-03
  • 一种陶瓷封装基座组合板
    一种陶瓷封装基座组合板_德阳三环科技有限公司_202511083012.X
    本申请公开了一种陶瓷封装基座组合板，包括基座单元和连接单元，基座单元有若干个且依次阵列连接，基座单元包括第一绝缘基板、第二绝缘基板和第三绝缘基板，第二绝缘基板上设有上部焊盘和下部焊盘，同一基座单元的上部焊盘与下部焊盘电绝缘，上部焊盘与第三绝...
    2026-02-03
  • 封装结构
    封装结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511162084.3
    根据本公开的封装结构包括：封装衬底；接合至封装衬底且包括多个管芯的封装组件；设置在封装组件和封装衬底上方的盖；以及夹在封装组件和盖之间的热界面材料(TIM)层。盖包括多个从盖的底面延伸至TIM层中的散热器图案。
    2026-02-03
  • 半导体装置及半导体元件
    半导体装置及半导体元件_三菱电机株式会社_202511671907.5
    本发明涉及半导体装置及半导体元件。提供即使在由于由温度循环引起的应力而使半导体元件从封装树脂承受到应力的情况下，也对半导体元件表面的保护膜的剥离进行了抑制的半导体装置。具有：基板；半导体元件，其与基板接合；以及封装树脂，其对基板的至少一部分...
    2026-02-03
  • 一种封装晶圆的分切方法、器件
    一种封装晶圆的分切方法、器件_南昌大学_202511272314.1
    本发明公开了一种封装晶圆的分切方法、器件，分切方法包括：从玻璃盖板正面对玻璃盖板进行激光隐切，在晶圆背面生成切割定位标记，从晶圆背面沿着切割定位标记对晶圆进行砂轮切割，砂轮切割的深度延伸至玻璃盖板靠近晶圆一侧，通过砂轮施加于玻璃盖板的机械应...
    2026-02-03
  • 导电结构及其制造方法
    导电结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511288035.4
    一种导电结构，其包括基板、至少一堆叠层、导电特征、导电通道及保护层。导电特征设置于基板中。至少一堆叠层设置于基板上。导电通道延伸通过至少一堆叠层并电性连接导电特征。保护层环绕导电通道的上外缘部。保护层的设置能避免导电通道产生弓形轮廓，进而提...
    2026-02-03
  • 半导体器件的后道工艺方法及器件产品
    半导体器件的后道工艺方法及器件产品_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511223882.2
    本申请公开了一种半导体器件的后道工艺方法及器件产品，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件，半导体器件上形成有金属互连结构，金属互连结构用于将半导体器件的电极引出，金属互连结构中的金属层以及接触孔包含金属铜；在金属互连结构上形成刻蚀...
    2026-02-03
  • 互连结构及其制作方法
    互连结构及其制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202511067127.X
    本发明提供一种互连结构及其制作方法，包括：提供一基底，所述基底包括依次层叠的衬底和介电层，所述介电层中形成有沟槽；在所述沟槽的内表面形成籽晶层；通过兆声波辅助电镀工艺在所述籽晶层上形成第一金属化层；形成位于所述沟槽内及所述介电层之上的第二金...
    2026-02-03
  • 宏微跨尺度一体化集成器件及其制备方法
    宏微跨尺度一体化集成器件及其制备方法_乾元国家实验室_202511048291.6
    本申请涉及跨尺度激光增材制造技术领域，公开一种宏微跨尺度一体化集成器件及其制备方法。其中，宏微跨尺度一体化集成器件包括基体、第一电极组、半导体层和第二电极。第一电极组设置于基体上，第一电极组包括两个第一电极，两个第一电极之间具有间隙。半导体...
    2026-02-03
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202510734151.8
    本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够提高生产率。基板处理方法包括工序(a)和工序(b)。在工序(a)中，通过第一单体与第二单体的沉积聚合反应，来提供具有埋入有含脲键的聚合物材料的凹部的基板。在工序(b)中，将基板加热到使聚合物材料...
    2026-02-03
  • 应用于半导体制作中的工艺方法
    应用于半导体制作中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511233557.4
    本申请公开了一种应用于半导体制作中的工艺方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有硬掩模层；通过光刻工艺进行刻蚀，在衬底中形成凹槽，沿横向方向，刻蚀后硬掩模层的宽度小于凹槽之间的宽度，横向方向是半导体器件源极至漏极的方向；形成第一线形氧化层，第一...
    2026-02-03
  • 一种晶圆喷淋蚀刻机及其使用方法
    一种晶圆喷淋蚀刻机及其使用方法_南京华瑞微集成电路有限公司_202511340300.9
    本申请公开了一种晶圆喷淋蚀刻机及其使用方法，涉及半导体处理技术领域，通过对现有技术中的晶圆喷淋蚀刻机的晶圆载具的结构进行优化改进，利用三根能够按需调整彼此之间间距的圆杆实现对晶圆的限位，三根圆杆的侧壁为软质材质且侧壁上设有一排环状的凹槽；三...
    2026-02-03
  • 托盘子系统、旋转支撑部件、加热系统及加热方法
    托盘子系统、旋转支撑部件、加热系统及加热方法_中晟半导体(上海)有限公司_202511314825.5
    本申请提供了一种托盘子系统、旋转支撑部件、加热系统及加热方法，该托盘子系统包括：承载件包括设置在其中心的第一凹部；第一限位结构围绕第一凹部的外缘设置；第一限位结构所围绕的区域配置为放置待加热物品；在放置待加热物品，且需要对待加热物品加热的情...
    2026-02-03
  • 带密封表面的静电卡盘
    带密封表面的静电卡盘_朗姆研究公司_202511049064.5
    提供了用于基座的设备和系统。示例性的基座可以具有主体，所述主体具有上环形密封表面，所述密封表面是平坦的、垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度；下凹部表面，其从所述上环形密封表面偏移；以及从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA)，...
    2026-02-03
  • 用于制造半导体晶片的方法
    用于制造半导体晶片的方法_株式会社电装_202510781564.1
    用于制造半导体晶片的方法，包括以下步骤：准备剥离对象，该剥离对象包括半导体的单晶体，该单晶体具有包括正表面和背表面的成对主表面，剥离对象具有沿着该主表面中的至少一者设置的剥离层；向剥离对象施加拉伸应力以使第一主表面和第二主表面彼此分离；在剥...
    2026-02-03
  • 一种用于光伏电池片与掩模版的光刻对准方法和系统
    一种用于光伏电池片与掩模版的光刻对准方法和系统_苏州皓申智能科技有限公司_202511407004.6
    本发明涉及一种用于光伏电池片与掩模版的光刻对准方法和系统，其中，方法包括：将载物台的中心放置待光刻的光伏电池片，移动所述载物台至掩膜版下方，通过第一相机拍摄掩膜板的边缘和光伏电池片的边缘；根据第一相机拍摄掩膜板的边缘和光伏电池片的边缘信息，...
    2026-02-03
  • 一种晶圆精密打标设备用定位装置
    一种晶圆精密打标设备用定位装置_镭神泰克科技(苏州)有限公司_202511372186.8
    本发明公开了一种晶圆精密打标设备用定位装置，涉及晶圆加工生产技术领域，该晶圆精密打标设备用定位装置，包括底座框，底座框的顶部固定连接有固定框，固定框的内部开设有吸力槽，底座框的内部设置有调节晶圆位置的主体圆板与圆形框，固定框的内部设置有推动...
    2026-02-03
  • 一种待测目标角度调整方法、装置、设备及介质
    一种待测目标角度调整方法、装置、设备及介质_深圳中科飞测科技股份有限公司_202511358425.4
    本申请提供一种待测目标角度调整方法、装置、设备及介质，从晶圆确定待测目标，以及待测目标的起始点，在待测目标中，基于起始点，确定待测点；在待测目标中，确定以待测点为中心的n个数据检测点的三维坐标，n个数据检测点用于构成包围待测点的四边形，在n...
    2026-02-03
  • 一种待测目标角度调整方法、装置、设备及介质
    一种待测目标角度调整方法、装置、设备及介质_深圳中科飞测科技股份有限公司_202511357755.1
    本申请提供一种待测目标角度调整方法、装置、设备及介质，从晶圆确定待测目标和待测目标的起始点，在待测目标中基于起始点确定待测点；在待测目标中，确定3个数据检测点的三维坐标，待测点位于3个数据检测点围成的三角形区域中；通过三角函数关系基于第一数...
    2026-02-03
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