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最新专利技术
  • 一种恢复层状氧化物正极材料性能的处理方法
    一种恢复层状氧化物正极材料性能的处理方法_格林美(无锡)能源材料有限公司_202511633082.8
    本发明属于电池材料技术领域，具体涉及一种恢复层状氧化物正极材料性能的处理方法。本发明提供了一种恢复层状氧化物正极材料性能的处理方法，包括如下步骤：测试层状氧化物正极材料残碱；测得残碱＜4.0wt%，将层状氧化物正极材料850‑900℃回烧；...
    2026-01-28
  • 一种基于干法电极工艺制备的锂锰扣式电池正极环及其制备方法和应用
    一种基于干法电极工艺制备的锂锰扣式电池正极环及其制备方法和应用_北京石墨烯研究院_202511604902.0
    本发明提供一种基于干法电极工艺制备的锂锰扣式电池正极环及其制备方法和应用。所述方法包括：将电解二氧化锰(EMD)粉末、导电剂、低熔点聚四氟乙烯(PTFE)纤维在低温环境下进行预混合；将预混合后的物料进行高速剪切，形成具有自支撑能力的干电极毛...
    2026-01-28
  • 一种提升复合焦磷酸铁钠匀浆浆料稳定性的方法
    一种提升复合焦磷酸铁钠匀浆浆料稳定性的方法_江苏吉厚智能科技有限公司_202511201580.5
    本发明提供了一种提升复合焦磷酸铁钠匀浆浆料稳定性的方法，涉及复合焦磷酸铁钠电池制程领域。通过分步投料+梯度转速+粘度补控的协同作用，实现抑制颗粒团聚维持组分均匀分布。从而显著提升浆料稳定性，导电物质CNT和SP形成连续且均匀的导电网络，避免...
    2026-01-28
  • 发光基板、显示面板和显示装置
    发光基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410693855.0
    本公开提供一种发光基板、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括依次层叠设置的驱动基板、键合层和发光元件层；其中，所述发光元件层包括阵列设置的无机发光二极管，所述无机发光二极管具有半导体层；所述半导体层靠近所述驱动基板的表面和远...
    2026-01-28
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410718344.X
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：在半导体衬底上形成复合介质层；刻蚀所述介质层以及半导体衬底至形成深沟槽，所述深沟槽的侧壁具有交替排布的若干尖角和凹部；采用离子束刻蚀工艺，调整刻蚀离子的入射角，使所述刻蚀离...
    2026-01-28
  • 金属硅化物层的电阻的测试结构、制造方法和测试方法
    金属硅化物层的电阻的测试结构、制造方法和测试方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511608040.9
    一种金属硅化物层的电阻的测试结构、制造方法和测试方法，测试结构包括衬底、外延层和金属硅化物层，所述外延层设置于所述衬底上，所述金属硅化物层设置于所述外延层上。本申请从结构上消除了离子注入干扰，确保获取金属硅化物层的真实电阻特性，进而可精准反...
    2026-01-28
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202411702180.8
    本发明涉及半导体测试装置及其制造方法。根据本发明的一实施例的半导体测试装置，其特征为，夹设于半导体存储器之间或者半导体存储器与插入件(Interposer)之间，用于测试电连接。
    2026-01-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410728216.3
    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成阻挡层，阻挡层中形成有贯穿阻挡层且露出基底顶部的开口；在阻挡层上形成标记层，标记层中形成有第一标记凹槽和第二标记凹槽，第一标记凹槽环绕第二标记凹槽，且在纵向上，第一标记凹槽的投...
    2026-01-28
  • 半导体测试单元及其形成方法以及半导体测试结构
    半导体测试单元及其形成方法以及半导体测试结构_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202410725896.3
    一种半导体测试单元及其形成方法以及半导体测试结构，其中半导体测试单元包括：衬底，所述衬底具有至少四个第一有源区，所述第一有源区在所述衬底上的投影形状为碟状；第一隔离区，呈“十”字相交的将相邻的四个第一有源区进行隔离；栅极，位于所述衬底上，且...
    2026-01-28
  • 封装结构及封装方法
    封装结构及封装方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410728176.2
    一种封装结构及封装方法，封装方法包括：提供桥接芯片晶圆，包括多个相连的互连芯片；对桥接芯片晶圆进行第一塑封处理，形成覆盖桥接芯片晶圆一面的第一塑封层；进行第一塑封处理后，将桥接芯片晶圆和第一塑封层分割为多个互连芯片、以及覆盖互连芯片一面的第...
    2026-01-28
  • 一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层
    一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层_杭州富芯半导体有限公司_202511580177.8
    本申请公开了一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层，该半导体芯片包括半导体衬底，半导体衬底上形成有若干器件结构；金属互连层，金属互连层位于半导体衬底上方，用于连接若干器件结构，其中，金属互连层至少包括：位于半导体衬底上方的第一钛层...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410728163.5
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成多个第一金属层，多个第一金属层沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，第一方向与第二方向相垂直；在基底上形成覆盖第一金属层侧壁的牺牲层，牺牲层露出第一金属层顶面；形成覆盖第一金属层和牺...
    2026-01-28
  • 一种高长径比的异质电子载运片叠构及其制造方法
    一种高长径比的异质电子载运片叠构及其制造方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511604008.3
    本发明公开了一种高长径比的异质电子载运片叠构及其制造方法，涉及基板制造技术领域。包括：上板，其最下层设有金属导电柱；下板，其内部设有贯穿的第一通孔；介电层，介电层设有预钻孔；其中，上板的线宽线距、线路厚度和焊垫厚度小于下板的线宽线距、线路厚...
    2026-01-28
  • 一种高可靠三维集成直接变频软件无线电架构射频微系统
    一种高可靠三维集成直接变频软件无线电架构射频微系统_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202510921385.3
    本发明公开了一种高可靠三维集成直接变频软件无线电架构射频微系统，属于射频微系统技术领域，基于直接变频软件无线电系统架构、陶瓷基板和铜基围框五层堆叠封装架构，结合双GaN转接板的混合堆叠集成、化合物基芯粒和硅基芯粒的异构集成、射频TSV转接板...
    2026-01-28
  • 一种高可靠三维集成片上系统软件无线电架构射频微系统
    一种高可靠三维集成片上系统软件无线电架构射频微系统_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202510921384.9
    本发明公开了一种高可靠三维集成片上系统软件无线电架构射频微系统，属于射频微系统技术领域，基于片上系统软件无线电系统架构、陶瓷基板和铜基围框多层堆叠封装架构，结合SiC转接板的复合热沉结构，化合物基芯粒和硅基芯粒的单芯粒Fan‑out封装，射...
    2026-01-28
  • 功率器件及功率模块
    功率器件及功率模块_瑞能微恩半导体(上海)有限公司_202511613416.5
    本申请公开了一种功率器件及功率模块，功率器件包括第一桥臂组件、第二桥臂组件和连接件。第一桥臂组件包括第一基板和第一芯片组，第一基板设有与第一芯片组相连的第四导电部和第五导电部。第二桥臂组件包括第二基板和第二芯片组，第二基板设有与第二芯片组相...
    2026-01-28
  • 功率模块及其应用
    功率模块及其应用_海信家电集团股份有限公司_202511241891.4
    本申请公开了一种功率模块及其应用，用于提高电控板的集成度。包括：驱动侧引脚框架和功率侧引脚框架在宽度方向上设置在基板两侧；基板包括沿长度方向间隔排列的PFC焊盘区域和整流桥焊盘区域；多个功率侧引脚包括在基板上沿长度方向间隔设置的多个PFC功...
    2026-01-28
  • 一种低感均流功率器件封装结构
    一种低感均流功率器件封装结构_中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)_202511228433.7
    本发明提供的一种低感均流功率器件封装结构；包括陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板的上层设有铜层，铜层通过刻蚀形成两个左右相对的孤岛A和孤岛B；孤岛A和孤岛B上分别固定有上桥功率器件组和下桥功率器件组，陶瓷基板的下端面通过底部覆铜固定在底板上，通过创新的...
    2026-01-28
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_住友电气工业株式会社_202510611251.1
    本公开提供一种能提高安装的自由度的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：导电性基材，具有第一主面；半导体芯片，设于所述第一主面，具备第一电极；第一绝缘层，设于所述第一主面，覆盖所述半导体芯片；第一布线层，设于所述第一绝缘层之上，...
    2026-01-28
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510114778.3
    本发明提供一种能够更恰当地形成线的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备多个垫、凸块及多个线。凸块设置在相邻2个垫的其中一个垫上。多个线设置在相邻2个垫的另一个垫及凸块上。线具有球部及线部。球部与相邻2个垫的另一个垫或凸块接合。...
    2026-01-28
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