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最新专利技术
  • 具有次接触掺杂的X射线探测器
    具有次接触掺杂的X射线探测器_西门子医疗股份公司_202510662198.8
    本发明涉及具有次接触掺杂的X射线探测器。应该改进X射线探测器或计算机断层造影探测器的质量、尤其是稳定性。为此提供一种X射线探测器，其具有由Cd(1‑x)ZnxTe制成的半导体块(1)，其中，x位于0％至50％的范围内；半导体块(1)处的由第...
    2025-11-30
  • 一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用
    一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用_北京大学_202511546499.0
    本发明提供一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。该异质光电晶体管包括底栅衬底、底栅介质层以及依次堆叠于其上的异质结构，所述异质结构由铁电半导体铋氧硒层、亚硒酸氧铋介质层和铁电半导体α相硒化铟...
    2025-11-30
  • 一种基于透明衬底的量子阱光电探测器及其制造方法
    一种基于透明衬底的量子阱光电探测器及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511167527.8
    本申请属于光电探测技术领域，公开了一种基于透明衬底的量子阱光电探测器及其制造方法，包括：底部电极、顶部电极和读出电路，以及依次叠加的受主透明衬底、硅层、本征硅吸收层、本征硅层、量子阱吸收层、锗层和钝化层；以及多个形状相同，并以预设间隔分布的...
    2025-11-30
  • 一种基于1T-CoTe2/PdSe2异质结的高性能室温紫外-红外偏振探测器及其制备方法
    一种基于1T-CoTe2/PdSe2异质结的高性能室温紫外-红外偏振探测器及其制备方法_天津大学_202511162122.5
    本发明提出了一种基于1T‑CoTe2/PdSe2异质结的高性能室温紫外‑红外偏振探测器及其制备方法，属于光电探测器的技术领域。本发明紫外‑红外偏振探测器包括衬底，所述衬底上间隔分布有两个金属电极，两个金属电极之间的沟道处设有1T‑CoTe2...
    2025-11-30
  • 一种量子阱光探测器及其制造方法
    一种量子阱光探测器及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511167528.2
    本申请属于光电探测技术领域，公开了一种量子阱光探测器及其制造方法，包括：底部电极、顶部电极和读出电路；以及依次叠加的受主高阻值硅衬底、氧化铝层、第一锗层、量子阱吸收层、第二锗层和钝化层；以及多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽；矩形凹槽...
    2025-11-30
  • 一种柔性薄膜太阳电池及互联结构和制备工艺
    一种柔性薄膜太阳电池及互联结构和制备工艺_意诚新能(苏州)科技有限公司_202511537663.1
    本发明涉及柔性薄膜太阳电池及互联结构和制备工艺，其电池包括底部向顶部依次布局的基底层、第一电极层、器件层、第二电极层、汇流层、互联连接层。本发明一方面基于非导电柔性基底薄膜太阳电池的低内损、高柔性互联的方案，能够有效避免电极层之间导通短路或...
    2025-11-30
  • 柔性薄膜太阳电池叠瓦互联结构及制备工艺和组件
    柔性薄膜太阳电池叠瓦互联结构及制备工艺和组件_意诚新能(苏州)科技有限公司_202511537656.1
    本发明涉及柔性薄膜太阳电池叠瓦互联结构及制备工艺和组件，其结构包括多个子电池，各子电池包括衬底层、第一电极层、器件层、第二电极层、汇流层、互联连接层。本发明一方面针对非导电柔性基底薄膜太阳电池的低内损、高转化效率的叠瓦互联，不仅避免了电极层...
    2025-11-30
  • 电池组件及光伏系统
    电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511359294.1
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种电池组件及光伏系统，该电池组件包括：背接触电池，包括第一极性栅线和第二极性栅线；若干第一焊带和若干第二焊带，分别连接第一极性栅线和第二极性栅线；绝缘条，设于第一焊带和第二焊带背离背接触电池的一侧，绝...
    2025-11-30
  • IBC电池及其制备方法、光伏组件和发电装置
    IBC电池及其制备方法、光伏组件和发电装置_通威太阳能(成都)有限公司_202411341428.2
    本申请提供了一种IBC电池及其制备方法、光伏组件和发电装置，IBC电池包括硅衬底、第一掺杂层、第二掺杂层和漏电导通结构；其中，第一掺杂层和第二掺杂层间隔设于硅衬底的背面，第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同，第一掺杂层与第二掺杂层之间通过隔...
    2025-11-30
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411068155.9
    本发明涉及一种光伏组件及其制备方法。上述光伏组件包括电池片、焊带以及粘接部件。电池片具有第一侧边，焊带设置在电池片上并从第一侧边延伸而出，以连接于相邻的电池片。粘接部件粘接电池片和焊带，粘接部件包括第一粘结点以及第二粘结点，第一粘结点在焊带...
    2025-11-30
  • 一种光伏组件及光伏组件的制备方法
    一种光伏组件及光伏组件的制备方法_成都中建材光电材料有限公司_202511208535.2
    本发明实施例提供了一种光伏组件极光伏组件的制备方法，涉及光伏建筑技术领域。光伏组件由光伏组件的制备方法制备得到，光伏组件包括背板与发电面板，背板沿厚度方向具有相对的第一侧与第二侧，第一侧设置密封件，密封件绕第一侧的周向设置于第一侧的外边缘，...
    2025-11-30
  • 一种柔性封装薄膜及其制备方法
    一种柔性封装薄膜及其制备方法_长三角太阳能光伏技术创新中心_202510923637.6
    本发明公开了一种柔性封装薄膜，所述柔性封装薄膜表面设有抗原子氧层，且所述抗原子氧层通过溶液法或真空沉积法沉积在所述柔性封装薄膜表面。本发明制备得到的柔性封装薄膜材料，可解决现有封装材料在空间环境中面临的紫外辐射老化、原子氧腐蚀、光学性能退化...
    2025-11-30
  • 光伏组件的制备方法、光伏组件及光伏封装胶膜
    光伏组件的制备方法、光伏组件及光伏封装胶膜_通威太阳能(成都)有限公司_202411571882.7
    本公开供了一种光伏组件的制备方法、光伏组件及光伏封装胶膜。该光伏组件的制备方法包括如下步骤：在第一封装板上设置第一封装胶膜，第一封装胶膜上设置有排气通槽；在第一封装胶膜上设置太阳电池片，太阳电池片具有相对的第一表面和第二表面，第一表面靠近第...
    2025-11-30
  • 太阳电池包边光固模组、包边光固装置及包边光固方法
    太阳电池包边光固模组、包边光固装置及包边光固方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411562543.2
    本申请涉及一种太阳电池包边光固模组、包边光固装置及包边光固方法，太阳电池包边光固模组包括上盖板和下盖板，下盖板设有承料台以及外露于承料台周围的第一UV曝光部，上盖板设有遮挡薄膜以及外露于遮挡薄膜周围的第二UV曝光部，上盖板用于与下盖板上下对...
    2025-11-30
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411918473.X
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池包括硅衬底，硅衬底具有相对的第一表面和第二表面，在硅衬底的第一表面依次层叠设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂硅层、TiOx层和第一透明导电层，在硅衬底的第二表面依次层叠设置有第二本征非...
    2025-11-30
  • 背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件
    背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411707589.9
    本公开提供了一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件。该背接触太阳电池包括硅衬底、第一掺杂层、第二掺杂层和导通辅助体；第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同，第一掺杂层和第二掺杂层间隔设置于硅衬底上，第一掺杂层和第二掺杂层之间具有位于硅衬底上...
    2025-11-30
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411388847.1
    本发明公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括半导体衬底；设置于半导体衬底表面的P型导电膜层和N型导电膜层；第一电极和第二电极；在半导体衬底的表面中，与P型导电膜层接触的区域设置有第一纹理结构，与N型导电膜层接触的区域设置有第...
    2025-11-30
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411388610.3
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括硅衬底、第一介质层以及第一掺杂多晶硅层。硅衬底具有相背设置的两个表面且至少一个表面上具有图形化的抛光结构以及绒面结构，在硅衬底的厚度方向上，绒面结构的平均...
    2025-11-30
  • 静电保护结构及制备方法、静电保护电路
    静电保护结构及制备方法、静电保护电路_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511534901.3
    本申请提供了一种静电保护结构及制备方法、静电保护电路。该静电保护结构包括：衬底、形成于所述衬底的具有第二掺杂类型的阱区、形成于阱区表面的栅极结构以及形成栅极结构两侧阱区中的漏极区域和源极区域；所述漏极区域至少包括具有第一掺杂类型的第一漂移区...
    2025-11-30
  • 一种单向超低压静电保护器件
    一种单向超低压静电保护器件_深圳市晶扬电子有限公司_202510880881.9
    本发明提供了一种单向超低压静电保护器件，包括TVS主器件和低电压触发单元，TVS主器件包括N型重掺杂衬底和P型外延层，所述P型外延层内设有第一P+重掺杂有源区、N+重掺杂有源区和第二P+重掺杂有源区，第一P+重掺杂有源区、N+重掺杂有源区和...
    2025-11-30
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