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最新专利技术
  • 正电极和可再充电锂电池
    正电极和可再充电锂电池_三星SDI株式会社_202510596481.5
    公开了一种正电极和包括该正电极的可再充电锂电池。正电极可以包括正电极集流体、设置在正电极集流体上并包括第一正电极活性物质的第一正电极活性物质层、以及设置在第一正电极活性物质层上并包括第二正电极活性物质的第二正电极活性物质层，其中，第一正电极...
    2025-12-03
  • 一种锂金属负极及其制备方法、锂电池
    一种锂金属负极及其制备方法、锂电池_天府绛溪实验室_202511482121.9
    本发明涉及锂电池技术领域，特别涉及一种锂金属负极及其制备方法、锂电池。所述锂金属负极制备方法，其先采用对苯二甲酸二甲酯与脂肪族二醇进行混合，加入催化剂并控制其反应环境氛围、气压以及调节温度，制备获得交联聚合物前驱体；再将其交联聚合物前驱体处...
    2025-12-03
  • 含预埋电解质盐的干法极片及其制备方法、应用
    含预埋电解质盐的干法极片及其制备方法、应用_湖南高瑞电源材料有限公司_202511447221.8
    本发明提供了一种含预埋电解质盐的干法极片及其制备方法、应用，涉及干法电极工艺的技术领域，该干法极片的自支撑膜中分布有电解质盐；电解质盐为锂盐或钠盐；其中，锂盐包括LiPF6、LiFSI、LiBOB、LiTFSI、LiBF4、LiDFOB以及...
    2025-12-03
  • 一种电极片整体结构及包含其的电池和制作工艺
    一种电极片整体结构及包含其的电池和制作工艺_惠州赣锋锂电科技有限公司_202511109749.4
    本发明公开了一种电极片整体结构及包含其的电池和制作工艺，属于电池技术领域，其包括电极片及隔膜，电极片包括集流体、设置在集流体上固态底涂层及设置在固态底涂层上的活性涂层，固态底涂层的长度大于活性涂层的长度，电极片的头部的固态底涂层及部分活性涂...
    2025-12-03
  • 负极片及其制备方法、电池、电池组、用电设备
    负极片及其制备方法、电池、电池组、用电设备_比亚迪股份有限公司_202510903456.7
    本发明提供一种负极片及其制备方法、电池、电池组、用电设备。负极片包括负极集流体以及位于负极集流体至少一侧的负极活性层；负极活性层包括连续型金属骨架。本发明提供的负极片兼具较高的能量密度、导电能力，以提升电池的快充性能。
    2025-12-03
  • 用于可再充电锂电池的复合基板和包括该复合基板的可再充电锂电池
    用于可再充电锂电池的复合基板和包括该复合基板的可再充电锂电池_三星SDI株式会社_202510500680.1
    公开了复合基板和包括复合基板的可再充电锂电池。复合基板包括包含添加剂的支撑层、在支撑层的顶表面上的第一金属层和在支撑层的底表面上的第二金属层。添加剂包括陶瓷颗粒和灭火液体胶囊中的至少一种。相对于支撑层的总重量，添加剂的量为约1wt%至约20...
    2025-12-03
  • 电极极片、二次电池和用电装置
    电极极片、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410579470.1
    本申请提供了一种电极极片、二次电池和用电装置。该电极极片包括集流体以及位于集流体至少一个表面上的膜层，膜层具有远离集流体的第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面，膜层的厚度记为H，从膜层的第二表面至0.3H的厚度范围内的区域记为膜层的第一...
    2025-12-03
  • 电极极片、二次电池和用电装置
    电极极片、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410578234.8
    本申请提供了一种电极极片、二次电池和用电装置。该电极极片包括集流体以及位于集流体至少一个表面上的膜层，膜层具有远离集流体的第一表面以及与第一表面相对的第二表面，膜层的厚度记为H，从膜层的第二表面至0.3H的厚度范围内的区域记为膜层的第一区域...
    2025-12-03
  • 负极极片及其制备方法、二次电池和用电装置
    负极极片及其制备方法、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410571332.9
    本申请涉及一种负极极片及其制备方法、二次电池和用电装置，负极极片包括负极活性物质层，负极活性物质层包含添加剂，添加剂包括含有碳碳双键以及磺酸锂基团或磺酸钠基团的化合物。在电池负极浆料的制备过程中，加入含有碳碳双键以及硅酸锂或硅酸钠的添加剂，...
    2025-12-03
  • 一种干法极片及其制备方法、电池
    一种干法极片及其制备方法、电池_南通市懋略科技有限公司_202410570560.4
    为解决现有电池极片在干法工艺下不能兼容较小粒径(D50≤5μm)活性材料的问题，本发明提供了一种干法极片及其制备方法、电池，干法极片包括集流体和复合在所述集流体上的活性物质层，所述活性物质层包括活性物质、导电剂和粘接剂，所述导电剂包括一维导...
    2025-12-03
  • 一种碱性电池负极材料及其制备方法
    一种碱性电池负极材料及其制备方法_郁南虎头电源科技有限公司_202511091981.X
    本发明公开了一种碱性电池负极材料及其制备方法，包括以下步骤：S1锌粉预处理：锌粉经超临界二氧化碳清洗后，通入含硼气体进行气相包覆钝化；S2制备复合表面活性剂母液：制备聚醚改性硅氧烷等组成的复合表面活性剂母液；S3真空湿拌锌膏：锌粉与表面活性...
    2025-12-03
  • 一种电池石墨负极材料的制备方法
    一种电池石墨负极材料的制备方法_青岛泰达华云新能源科技有限公司_202511480978.7
    本发明属于二次电池材料领域，公开了一种电池石墨负极材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将天然石墨通过两段式升温热处理后冷却破碎，得到球形石墨颗粒；S2、将处理后的球形石墨颗粒通入含氟、含氮和含硫的前驱体，形成F、N、S原子梯度掺杂石墨颗粒；...
    2025-12-03
  • 一种基于DNA复合材料包覆的集流体及其制备方法与应用
    一种基于DNA复合材料包覆的集流体及其制备方法与应用_成都工业学院_202511460987.X
    本发明涉及一种基于DNA复合材料包覆的集流体及其制备方法与应用，属于电化学储能技术领域。本发明提供的集流体的制备方法包括以下步骤：(1)将秋葵裁切去籽后加入水中，0‑10℃放置24‑36 h后，加入酶解液反应，固液分离得到提取液；(2)向提...
    2025-12-03
  • 一种锂离子电池石墨负极材料及其制备方法
    一种锂离子电池石墨负极材料及其制备方法_青岛泰达华云新能源科技有限公司_202511448083.5
    本发明属于二次电池材料领域，公开了一种锂离子电池石墨负极材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、将天然石墨进行热处理；S2通过惰性气体携带石墨烯量子点前驱体，在石墨颗粒表面发生碳热还原反应形成厚石墨烯量子点包覆层；S3、将石墨烯量子点...
    2025-12-03
  • 极组、电芯及电池包
    极组、电芯及电池包_蜂巢能源科技股份有限公司_202511111707.4
    本申请涉及电池技术领域，公开了一种极组、电芯及电池包，包括沿第一方向依次堆叠设置的第一极片和第二极片，第一方向为极组的厚度方向。第一极片和第二极片之间设置有隔膜，第一极片和第二极片中的一者为正极极片，另一者为负极极片。第一极片在第二方向上的...
    2025-12-03
  • 一种发光基板
    一种发光基板_合肥京东方瑞晟科技有限公司_202410563798.4
    本公开提供一种发光基板，属于显示技术领域。该发光基板包括依次层叠设置的衬底基板、驱动层、封装层和元件层；驱动层上具有至少一个焊盘组，焊盘组包括至少相邻设置的焊盘；封装层具有各个焊盘组一一对应的绑定开口，以及具有与焊盘组一一对应的垫高结构；绑...
    2025-12-03
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_湖北星辰技术有限公司_202511468706.5
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：沿第一方向堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括：第一键合层，以及位于第一键合层中的第一导电结构；第二半导体结构包括：第二键合层，以及位于第二键合层中...
    2025-12-03
  • 半导体封装结构及其制备方法、电子设备
    半导体封装结构及其制备方法、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410571316.X
    本申请公开了一种半导体封装结构及其制备方法、电子设备。该半导体封装结构包括：导电层，包括第一部分以及与所述第一部分沿第一方向间隔分布的第二部分；电子元器件，沿第二方向位于所述第一部分的至少一侧并与所述第一部分连接；以及静电引出件，与所述第二...
    2025-12-03
  • 半导体结构及半导体测试方法
    半导体结构及半导体测试方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511090725.9
    本申请提供了一种半导体结构及半导体测试方法，包括衬底，衬底具有测试区和正常单元区；被测试绝缘层及接触孔场板，分别位于测试区和正常单元区的衬底上；介质层，位于衬底上，并覆盖被测试绝缘层及接触孔场板；第一测试插塞及接触插塞，分别位于测试区和正常...
    2025-12-03
  • 半导体装置和用于监测半导体装置的方法
    半导体装置和用于监测半导体装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510581068.1
    本公开涉及半导体装置和用于监测半导体装置的方法。公开了一种半导体装置和一种用于操作半导体装置的方法。半导体装置包括：多个半导体主体(11，12，1n)；壳体(3)，所述多个半导体主体(11，12)被布置在所述壳体中；和传感器电路(2)，包括...
    2025-12-03
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