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最新专利技术
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480016686.5
    提供了一种能应对微细化的光检测装置。所述光检测装置设置有：第一半导体层， 所述第一半导体层包括作为元件形成面的一个表面和作为光入射面的另一个表面， 并且包括在平面图中在行方向和列方向上排列成矩阵状的多个单元区域；沟槽分离壁， 所述沟槽分离壁...
    2025-11-06
  • 光检测装置、光检测装置的制造方法和电子设备
    光检测装置、光检测装置的制造方法和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480016408.X
    本发明提供了一种光检测装置， 在该光检测装置中， 在不使用SOI基板的情况下， 在块材基板中在晶体管的鳍片底部形成有氧化物膜。所述光检测装置包括第一基板部和第二基板部。所述第一基板部具有对入射光进行光电转换的像素。所述第二基板部接合至所述第...
    2025-11-06
  • 半导体装置和电子设备
    半导体装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480016594.7
    根据本公开一个实施方案的半导体装置(1)包括：半导体基板(11)， 其具有彼此面对的第一面(11S1)和第二面(11S2)；一个或多个第一杂质扩散层(15)， 其设置在所述半导体基板(11)的第一面(11S1)上， 并且含有扩散的1E17/...
    2025-11-06
  • 在半导体装置中的增强移动性
    在半导体装置中的增强移动性_应用材料公司_202480015573.3
    本技术包括在通道区域具有改善应力的半导体装置。所述半导体装置包括基板、源极区域、漏极区域、通道区域， 所述通道区域包括位于所述源极和所述漏极之间的至少一个通道。装置包括在n‑MOS区域中具有第一自对准单扩散断口的第一栅极区域， 以及包括在p...
    2025-11-06
  • 嵌入式光子集成电路
    嵌入式光子集成电路_英特尔公司_202380095276.X
    一种用于多芯片封装的衬底包括安装在第一主表面中的腔中的至少一个光子集成电路(PIC)中介层。每个PIC中介层被配置为与多个集成电路装置电连接或光耦合。衬底还包括光耦合到PIC中介层的至少一个光耦合器。
    2025-11-06
  • 光子和电子集成电路管芯的共封装
    光子和电子集成电路管芯的共封装_英特尔公司_202380095137.7
    多管芯封装， 其包括通过在玻璃衬底上构建的布线结构彼此互连的光子和电子集成电路(IC)管芯两者。包括光波导的玻璃预制件也可以附接到布线结构。多个电子IC(EIC)管芯可以与多个光子IC(PIC)一起排列在布线结构之上。每个PIC可以耦合到玻...
    2025-11-06
  • 电路体
    电路体_株式会社自动网络技术研究所_202380095249.2
    本发明公开了一种电路体， 其能抑制由柔性印刷基板的延伸路径部的移位导致的柔性印刷基板的导体图案或电子部件的安装部位的破损。电路体包括：母线(12、14)， 构成通电路径；柔性印刷基板(24)， 载置于母线(14)；电子部件(32)， 横跨母...
    2025-11-06
  • 源极和漏极上的选择性接触件
    源极和漏极上的选择性接触件_高通股份有限公司_202480018145.6
    公开了包括用于与源极/漏极电连接的接触件的器件。接触件占据接触阱的整个宽度， 但由侧壁间隔件占据的区域除外。因此， (由于常规器件中衬垫和成核层在接触阱内的存在而引起的)高电阻率被减少或消除。
    2025-11-06
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202380095641.7
    实施方式提供能够抑制导通电阻的增加并且能够实现高耐压化的半导体装置。根据本实施方式， 半导体装置具备第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一电极、第二电极、第三电极、电极部以及区域。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层之上， 是与...
    2025-11-06
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480016219.2
    提供一种占有面积小的半导体装置。一种包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层的半导体装置。第一晶体管包括第一导电层、第二导电层及第一半导体层。第二晶体管包括第一绝缘层上的第三导电层、与第三导电层的顶面及侧面以及第一绝缘层的顶面接触的第二绝缘层...
    2025-11-06
  • 高电子迁移率晶体管的场板偏置
    高电子迁移率晶体管的场板偏置_英飞凌科技加拿大公司_202480014386.3
    向高电子迁移率晶体管(HEMT)的一个或多个场板施加非零电压以由此影响HEMT的电场分布。该非零电压可以是恒定的DC电压， 或者可能是随时间变化的电压。使用非零电压能够更具能力来调节和减小在半导体沟道区中发生的电场， 特别是在场板处。此外，...
    2025-11-06
  • 用于环绕式栅极晶体管的选择性氧化工艺
    用于环绕式栅极晶体管的选择性氧化工艺_应用材料公司_202480015848.3
    描述了诸如环绕式栅极(GAA)元件的半导体元件及形成半导体元件的方法。亦描述了在前端工艺(FEOL)及后端工艺(BEOL)应用及工艺中很有用的选择性氧化工艺。在FEOL工艺中， 例如， 当不存在电介质内部间隔物时， 在蚀刻硅(Si)通道凹槽...
    2025-11-06
  • 结势垒肖特基二极管
    结势垒肖特基二极管_TDK株式会社_202380095820.0
    本发明的技术问题在于， 在结势垒肖特基二极管中， 防止由电荷的蓄积引起的绝缘破坏。本发明的结势垒肖特基二极管(1)具备：半导体基板(20)及漂移层(30)、覆盖漂移层(30)的上表面(31)中的外周区域(31B)的场绝缘膜(80)、与漂移层...
    2025-11-06
  • 肖特基势垒二极管
    肖特基势垒二极管_TDK株式会社_202380095817.9
    本发明的技术问题在于， 在肖特基势垒二极管中， 防止由电荷的蓄积引起的绝缘破坏。本发明的肖特基势垒二极管(1)具备：半导体基板(20)及漂移层(30)、覆盖漂移层(30)的上表面(31)中的外周区域(31B)的场绝缘膜(80)、与漂移层(3...
    2025-11-06
  • 对基板作业机及异物的吸引方法
    对基板作业机及异物的吸引方法_株式会社富士_202380095555.6
    一种对基板作业机， 具备：除静电装置， 去除静电；及吸引装置， 配设于除静电装置的照射方向， 吸引异物。
    2025-11-06
  • 供给直流电力的配线器具
    供给直流电力的配线器具_松下知识产权经营株式会社_202480019384.3
    作为技术方案的一例的供给直流电力的配线器具(2)包括：基板， 其搭载有电子部件；端子(52)， 其安装于基板， 且输出直流电力；第一壳体(10)， 其位于端子的电力输出侧端部；以及第二壳体(20)， 其设于与电力输出侧端所在侧相反的那一侧。...
    2025-11-06
  • 电子控制装置
    电子控制装置_安斯泰莫株式会社_202380095819.8
    电子控制装置(10)具有：一端开口且另一端封闭的壳体(20)；收纳于该壳体(20)的内部且能够安装电子部件的电路基板(12)；以及封闭壳体(20)的开口的罩(40)。在壳体(20)的位于另一端的底部(25)设置有第一V字状保持部(33)， ...
    2025-11-06
  • 电子设备
    电子设备_松下知识产权经营株式会社_202480020376.0
    电子设备具备框体和电路单元。电路单元具备与电子电路电连接的连接器。框体具备具有顶板部的第一壳体和具有底板部的第二壳体。顶板部的第一外周缘具有第一连接边， 底板部的第二外周缘具有第二连接边。在第一连接边与第二连接边之间具有使连接器露出的连接面...
    2025-11-06
  • 电子装置
    电子装置_安斯泰莫株式会社_202380095063.7
    电子装置具备：具有插入电路基板的矩形状的开口的树脂制的壳体主体和堵塞壳体主体的开口的盖。壳体主体包含由与电路基板的两面相对的一对第1边壁部和与一对第1边壁部连接的一对第2边壁部形成开口的横截面矩形状的周壁部。周壁部具有设置在开口侧的环状端面...
    2025-11-06
  • 布线基板
    布线基板_揖斐电株式会社_202480019045.5
    要求减小在焊盘的侧面与实心图案的侧面之间产生的寄生电容。本发明的布线基板具有：第一导电层；绝缘层， 其覆盖所述第一导电层；第二导电层， 其形成在所述绝缘层上；以及过孔导体， 其贯通所述绝缘层， 连接所述第一导电层与所述第二导电层， 其中， ...
    2025-11-06
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