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最新专利技术
  • 一种光伏硅片背面扩散工艺和TOPCon电池
    一种光伏硅片背面扩散工艺和TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411287704.1
    本发明公开了一种光伏硅片背面扩散工艺和TOPCon电池。本发明提供的光伏硅片背面扩散工艺， 包括：对碱抛后的硅片背面进行磷扩散处理， 并氧化背面死层形成磷硅玻璃层；对带有磷硅玻璃层的硅片进行退火处理以推进磷元素在硅片背面的扩散；之后采用刻蚀...
    2025-11-19
  • 一种TBC电池的制备方法及由其制备得到的TBC电池
    一种TBC电池的制备方法及由其制备得到的TBC电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411140991.3
    本发明提供了一种TBC电池的制备方法及由其制备得到的TBC电池， 涉及光伏电池技术领域。所述TBC电池的制备方法包括以下步骤：(1)采用ALD法在双面抛光的N型晶体硅基体的背面进行沉积， 形成隧穿氧化层；(2)采用PECVD法在所述隧穿氧化...
    2025-11-19
  • TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池
    TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411061767.5
    本发明提供了一种TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池， 涉及TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池的技术领域， 包括以下步骤：在混合气体氛围下， 采用热氧化法在电池片背面沉积隧穿氧化层；...
    2025-11-19
  • 太阳能电池氢钝化的方法、制备方法和太阳能电池
    太阳能电池氢钝化的方法、制备方法和太阳能电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411010484.8
    本发明公开了太阳能电池氢钝化的方法、制备方法和太阳能电池， 本发明中， 在采用光注入方式对太阳能电池片进行氢钝化的同时， 将太阳能电池片的正面金属栅线和背面金属栅线通过电连接结构连通， 从而形成光生电流回路， 光生电流再次注入到太阳能电池片...
    2025-11-19
  • 太阳能电池片的退钛方法及其应用
    太阳能电池片的退钛方法及其应用_环晟光伏(江苏)有限公司_202410943208.0
    本发明提供了一种太阳能电池片的退钛方法及其应用， 涉及太阳能电池金属化的技术领域， 包括以下步骤：将具有钛种子层的太阳能电池片经过烧结处理后， 再在超声条件下通过退钛溶液进行退钛处理， 得到退钛后的太阳能电池片；其中， 超声条件的超声功率为...
    2025-11-19
  • 一种硼掺杂选择性发射极的制备方法、发射极及TOPCon电池
    一种硼掺杂选择性发射极的制备方法、发射极及TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410805366.X
    本发明提供了一种硼掺杂选择性发射极的制备方法、发射极及TOPCon电池， 涉及TOPCon电池技术领域。所述制备方法包括：通过PECVD沉积工艺在制绒后的硅片正面沉积硼硅玻璃层；通过激光图形化工艺去除所述硅片正面的非细栅区域的硼硅玻璃层， ...
    2025-11-19
  • 一种背板覆膜设备
    一种背板覆膜设备_无锡奥特维科技股份有限公司_202410434960.2
    本申请提供了一种背板覆膜设备， 包括承载机构、加热机构、第一铺放机构、第二铺放机构及转运机构， 其中：加热机构设在承载机构下方。第一铺放机构被将n根第一膜条铺放至承载机构上。第二铺放机构将m根垂直于第一膜的第二膜条铺放至承载机构上。转运机构...
    2025-11-19
  • 一种N型TOPCon电池及其制备方法
    一种N型TOPCon电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410433802.5
    本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池及其制备方法， 其中， 本发明实施例所提供的N型TOPCon电池的制备方法， 在形成正面栅线的银浆中省却了铝粉， 但对硼扩散后的硅片正面进行激光掺杂， 并在烧结并进行光注入后进行激光诱导， 能够引发...
    2025-11-19
  • 边缘钝化的光伏电池片的制备方法
    边缘钝化的光伏电池片的制备方法_中能创光电科技(常州)有限公司_202410430069.1
    本发明涉及一种边缘钝化的光伏电池片的制备方法， 依次包括如下步骤：1)制备整片光伏电池片；2)光伏电池小片的制备：采用激光热应力无损切割方式对整片光伏电池片进行切割， 将整片光伏电池片切片为光伏电池小片；3)对光伏电池小片进行清洗；4)对光...
    2025-11-19
  • 一种提高无机钙钛矿CsPbI3相稳定性的缺陷调控方法
    一种提高无机钙钛矿CsPbI3相稳定性的缺陷调控方法_南京理工大学_202410411071.4
    本发明公开了一种提高无机钙钛矿CsPbI3相稳定性的缺陷调控方法， 首先对CsPbI3构建不同缺陷模型， 并对缺陷模型以及初始CsPbI3结构进行结构优化， 基于优化后的结构进行相变势垒的计算， 确定原子空位缺陷浓度对稳定性的影响， 之后对...
    2025-11-19
  • 电池片串联设备以及电池片串联方法
    电池片串联设备以及电池片串联方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410406784.1
    本发明公开了一种电池片串联设备及其方法， 其包括机台、固化平台、搬丝机构、放片机构、光源以及压合机构， 固化平台设置在机台上并能够移动， 固化平台上设置有多个用于容置金属互联条的长条形定位槽， 定位槽沿着第一方向延伸， 固化平台上还设置有若...
    2025-11-19
  • 异常硅片的处理方法及TOPCon电池的制备方法
    异常硅片的处理方法及TOPCon电池的制备方法_宿迁阿特斯阳光电力科技有限公司_202410402905.5
    本发明公开了一种异常硅片的处理方法及TOPCon电池的制备方法， 所述处理方法包括以下步骤：在硅片背面沉积隧穿层及轻掺杂晶硅层的过程中， 收集沉积工艺异常的第一异常硅片；采用抛光液对第一异常硅片进行背面抛光， 去除硅片背面的隧穿层和轻掺杂晶...
    2025-11-19
  • 光电探测器及光电探测器的制造方法
    光电探测器及光电探测器的制造方法_北京光智元科技有限公司_202410397349.7
    本发明的实施例公开了一种光电探测器及光电探测器的制造方法， 其中， 上述光电探测器的制造方法包括：提供衬底， 所述衬底包括第一硅层， 利用所述第一硅层形成第一导电类型区；在所述第一硅层上生长第一锗层， 利用所述第一锗层形成本征区；在所述第一...
    2025-11-19
  • 硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池_江苏启威星装备科技有限公司_202410387625.1
    本申请公开了一种硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池， 属于太阳能电池制备领域。本申请提供的硅片制绒方法， 包括：对硅片进行预处理；对预处理后的硅片的第一表面和第二表面进行制绒；对制绒后的硅片进行臭氧氧化处理或者氧化性溶液氧化处理...
    2025-11-19
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_重庆惠科金渝光电科技有限公司_202510897225.X
    本申请属于显示领域， 具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器， 阵列基板包括衬底基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、源极、第一电极和光电转换层， 第一金属层形成在衬底基板一侧， 第一金属层包括栅极， 栅极绝缘层形成在第一...
    2025-11-19
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_重庆惠科金渝光电科技有限公司_202510876219.6
    本申请属于显示领域， 具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器， 阵列基板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、第一半导体层、第二金属层、栅极绝缘层和第三金属层， 第一金属层包括漏极和光电二极管的下电极， 下电极与漏极导电连...
    2025-11-19
  • 图像传感器以及其制造方法
    图像传感器以及其制造方法_意法半导体国际公司_202510440107.6
    本公开的各实施例涉及图像传感器及其制造方法。本说明书涉及一种图像传感器， 包括半导体衬底， 包括：第一表面；多孔层， 由电绝缘和多孔材料制成， 在所述第一表面上被开口穿过；每个开口中的有色滤光片；第一防潮保护层， 覆盖所述开口外的所述多孔层...
    2025-11-19
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510132793.0
    一种图像传感器包括：光电转换器件， 所述光电转换器件位于衬底中；分隔结构， 所述分隔结构位于所述衬底中并且位于所述光电转换器件之间；绝缘结构， 所述绝缘结构位于所述衬底和所述分隔结构上；滤色器， 所述滤色器位于所述绝缘结构上；以及栅格结构，...
    2025-11-19
  • 芯片结构及形成方法
    芯片结构及形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410437418.2
    本发明提供一种芯片结构及形成方法， 其中芯片结构包括：衬底， 衬底包括若干相互邻接的芯片区， 各芯片区包括中心区以及包围中心区的切割道区；位于中心区上的功能电路结构， 功能电路结构的引脚延伸至切割道区上， 相邻芯片区的切割道区上的功能电路结...
    2025-11-19
  • 一种图像传感器、电子设备
    一种图像传感器、电子设备_华为技术有限公司_202410390835.6
    本申请实施例提供一种图像传感器、电子设备， 涉及光电转换技术领域， 用于缓解对焦像素对周边像素的影响。该图像传感器中的第一像素结构设置于衬底内。第一像素结构包括第一光电转换部、第二光电转换部以及第三N型掺杂层。第一光电转换部包括用于形成PN...
    2025-11-19
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