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最新专利技术
  • 一种用于TOPCon电池的退火装置及其使用方法
    一种用于TOPCon电池的退火装置及其使用方法_云南师范大学_202512019859.8
    本申请涉及太阳电池制备工艺领域，具体提供了一种用于TOPCon电池的退火装置及其使用方法。退火装置包括密闭腔室，密闭腔室的至少一个腔壁上设置有用于取放样品的活动窗口，密闭腔室中固定设置有上极板和下极板，上极板靠近密闭腔室的顶壁方向，下极板靠...
    2026-04-13
  • 一种BC电池覆膜成串的生产设备
    一种BC电池覆膜成串的生产设备_一道新能源科技股份有限公司_202512020068.7
    本发明属于光伏电池制造技术领域，具体公开一种BC电池覆膜成串的生产设备，包括焊带定位模块、胶膜连续供料模块、热压模块和在线裁料模块。焊带定位模块设有梳齿导轨、真空吸附板及拉带机构，真空吸附板内部设有密封腔并连接真空源，精确定位并固定焊带；胶...
    2026-04-13
  • 半导体器件的制备方法及碲镉汞芯片
    半导体器件的制备方法及碲镉汞芯片_浙江珏芯微电子有限公司_202512030018.7
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法及碲镉汞芯片，其中，在半导体器件的制备方法中，提供一半导体衬底，半导体衬底包括芯片区和划片道，划片道位于相邻芯片区之间，芯片区上形成有碲镉汞器件层和保护胶层，碲镉汞器件层和保护胶层中形成有沟槽，沟槽位于划...
    2026-04-13
  • 碲镉汞芯片及其制备方法
    碲镉汞芯片及其制备方法_浙江珏芯微电子有限公司_202512030269.5
    本申请提供了一种碲镉汞芯片及其制备方法，其中，在碲镉汞芯片的制备方法中，半导体衬底上依次形成有碲镉汞器件层、钝化层以及光刻胶层，半导体衬底上还形成有若干贯穿光刻胶层和钝化层的通孔，通孔内形成有干法刻蚀后产生的残留物，以及光刻胶层表面形成有干...
    2026-04-13
  • 一种激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法
    一种激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法_荆楚理工学院_202512051958.4
    本发明涉及一种激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法，涉及激光全息制绒技术领域，包括以下步骤：S1激光全息系统搭建与参数设置；S2硅片预处理；S3激光全息制绒过程；S4后处理与检测。该激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法，通过精确控制微纳结构...
    2026-04-13
  • 电池片钝化结构的制备方法
    电池片钝化结构的制备方法_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202512053584.X
    本发明提供了一种电池片钝化结构的制备方法，其包括：在基片的待处理表面上依次沉积多个层叠的减反射子层；在每个减反射子层沉积完成后进行后操作，后操作为进行等离子体补氢工艺或略过；其中，按多个减反射子层的沉积顺序，其后操作的补氢量单调减，且至少存...
    2026-04-13
  • 一种晶硅太阳能电池制备方法及晶硅太阳能电池
    一种晶硅太阳能电池制备方法及晶硅太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202512058665.9
    本发明公开一种晶硅太阳能电池制备方法及晶硅太阳能电池。该制备方法可包括：提供晶硅基体；在晶硅基体背面的第一导电区上形成第一载流子传输结构，在晶硅基体背面的第二导电区上形成第二载流子传输结构；在晶硅基体的整个背面形成一体结构的透明导电膜层；在...
    2026-04-13
  • 一种光伏组件安装穿线设备及其使用方法
    一种光伏组件安装穿线设备及其使用方法_江门市顺竟灯饰科技有限公司_202610130218.1
    本发明公开了一种光伏组件安装穿线设备及使用方法，其包括底座，底座上横向设置有工作台以及纵向设置有光伏板传送机构，工作台以及光伏板传送机构上方设置有横向设置的移动装置，移动装置上设置有可在移动装置上左右移动的穿线机构，穿线机构包括通过伸缩机构...
    2026-04-13
  • 一种电子学可集成的双面架构碳化硅薄膜器件及制备方法
    一种电子学可集成的双面架构碳化硅薄膜器件及制备方法_南京大学_202610254984.9
    本发明提供了一种电子学可集成的双面架构碳化硅薄膜器件及制备方法，属于半导体器件技术领域。采用本发明实施例提供的电子学可集成的双面架构碳化硅薄膜器件及制备方法, 通过双面架构设计、多层外延结构优化、超薄衬底减薄、正面垂直互连等创新技术, 实现...
    2026-04-13
  • 太阳能电池及其制造方法、电池组件和光伏系统
    太阳能电池及其制造方法、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512026233.X
    本公开提供了一种太阳能电池及其制造方法、电池组件、光伏系统。该太阳能电池包括：衬底，具有相对的第一面和第二面；第一掺杂区和第二掺杂区，沿平行于第一面的第一方向设置于第一面上，并且第一掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区的掺杂类型不同；隔离区，沿第一...
    2026-04-13
  • 光伏电池片、光伏组件及光伏系统
    光伏电池片、光伏组件及光伏系统_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511779675.5
    本公开涉及一种光伏电池片、光伏组件及光伏系统，该光伏电池片包括本体、多个正面副栅以及多个背面副栅，多个正面副栅的第一截面的截面积之和与多个背面副栅的第二截面的截面积之和满足：，其中，a为多个正面副栅的第一截面的截面积之和，b为多个背面副栅的...
    2026-04-13
  • 异质结电池及其制备方法
    异质结电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202512006024.9
    本申请涉及一种异质结电池及其制备方法。所述异质结电池，包括：电池片；丝印栅线，丝印栅线设置于电池片的表面，丝印栅线包括铜栅线和复合栅线，复合栅线呈导电抗氧化层包覆铜结构；透明导电层，透明导电层至少覆盖铜栅线，且透明导电层未覆盖复合栅线。本申...
    2026-04-13
  • 一种柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池
    一种柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池_江苏先导微电子科技有限公司_202512030299.6
    本申请属于柔性透明薄膜电极技术领域，尤其涉及一种柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池；本申请提供的一种柔性氧化铟锡薄膜电极，在对PET等基底预处理覆盖丙烯酸树脂硬质涂层并沉积SiO2过渡层等工艺之后，通过交替的射频磁控溅射和直流脉...
    2026-04-13
  • 一种高性能柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池
    一种高性能柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池_江苏先导微电子科技有限公司_202512030362.6
    本申请属于柔性透明薄膜电极技术领域，尤其涉及一种高性能柔性氧化铟锡薄膜电极及制备方法和柔性太阳能电池；本申请提供的一种高性能柔性氧化铟锡薄膜电极，在对PET等基底预处理覆盖丙烯酸树脂硬质涂层并沉积SiO2‑Al2O3复合过渡层等工艺之后，通...
    2026-04-13
  • 太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202512041578.2
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件，太阳能电池包括电池片及设置于所述电池片表面的隔离层，所述隔离层的制备原料包括如下质量含量的组分：乙烯基封端聚硅氧烷，60‑80%；含氢硅油，10‑20%；催化...
    2026-04-13
  • 多传感器融合结构及其制备方法
    多传感器融合结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202512015395.3
    本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种多传感器融合结构及其制备方法，制备方法包括：在基板的一侧表面固定图像传感器和激光雷达芯片，图像传感器背离基板的一侧和激光雷达芯片背离基板的一侧均设置有第一电连接件；在基板的一侧表面形成第一封装层，第...
    2026-04-13
  • 一种硅光芯片及其制造方法
    一种硅光芯片及其制造方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035038.3
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法，通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体；在第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体上按预设顺序依次设置多层图形化的介质层；将第一硅光芯片预制体与第二硅光芯片预制体对接并键...
    2026-04-13
  • 一种硅光芯片及其制造方法
    一种硅光芯片及其制造方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035078.8
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法，通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体；在第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体上按预设顺序依次设置多层介质层；在介质层所在的表面对第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制...
    2026-04-13
  • 一种硅光芯片及其制造方法
    一种硅光芯片及其制造方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035176.1
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法，通过准备第一硅光芯片预制体、第二硅光芯片预制体及至少一个后装硅光芯片预制体；将第一硅光芯片预制体与第二硅光芯片预制体对接并键合，得到键合预制体；在键合预制体的至少一侧表面，键合...
    2026-04-13
  • 一种硅光芯片及其制造方法
    一种硅光芯片及其制造方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035322.0
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种硅光芯片及其制造方法，通过准备第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体；在介质层所在的表面对第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体进行图形化刻蚀，得到透光凹槽；将第一硅光芯片预制体及第二硅光芯片预制体...
    2026-04-13
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