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  • 本发明公开了一种基于多模态轻量级变换的阻塞性睡眠呼吸暂停检测方法,包括以下步骤:数据获取与预处理:获取原始音频信号,对原始音频信号进行标准化处理和临床基线数据预处理;基于MiniRocket音频特征提取:利用随机卷积核变换替代传统的深度卷积...
  • 本申请提供了一种语音识别方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品;方法包括:对接收的语音数据进行完整性检测,直至检测到完整的语音数据,确定静音时长是否达到静音时长阈值;在静音时长达到静音时长阈值的情况下,确定第一语音数据;对...
  • 本申请实施例公开了一种磁性存储介质和磁性存储介质装置、伺服写磁头及驱动装置,用于正确读取磁性存储介质中存储的信息,提高磁性存储介质的存储容量。本申请实施例提供一种磁性存储介质,所述磁性存储介质包括:伺服带;所述伺服带包括:第一伺服突发;所述...
  • 本发明涉及录音设备技术领域,涉及一种录音设备及其控制方法,包括电源管理电路、无线通信模块、录音模块、多功能芯片、主控芯片、传输接口、第一模拟开关电路和第二模拟开关电路,多功能芯片连接无线通信模块、录音模块;主控芯片连接电源管理电路、多功能芯...
  • 本申请实施例提供一种存储阵列及纠错码编译码方法。存储阵列的每列存储单元中包括输入单元、中间结果单元和输出单元;输入单元包括第一单元和第二单元,用于存储纠错码编译码的输入数据;中间结果单元包括第三单元和第四单元,或,包括第三单元、第四单元和第...
  • 一种半导体存储器装置包括:一对第一电源电压焊盘;第二电源电压焊盘;第一数据输入/输出焊盘,连接到第一数据输出驱动器;以及第二数据输入/输出焊盘,连接到第二数据输出驱动器。第一数据输出驱动器连接到一对第一电源电压焊盘中的一个,并且第二数据输出...
  • 本申请提供了一种HBF芯片功耗管理方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:构建信号处理子链集与静态隔离岛;通过调用芯片的状态感知网络,采集静态隔离岛的实时温度数据与电源噪声数据;确定当前需激活的目标信号处理子链;通过对目标信号处理子链中分布...
  • 本发明公开了一种数字射频存储器及其测试方法,属于数字信号处理技术领域,其通过FPGA实现,所述FPGA包括ADC转换模块、存储模块、自动增益放大模块和DAC转换模块,该测试方法包括以下步骤:通过ADC转换模块接收外部输入的模拟信号,并将所述...
  • 本发明公开了一种基于光子‑磁子‑声子耦合的多态存储系统。系统由微波器件层、磁性薄膜层、压电基底层、声学换能器层和直流偏置线圈构成,在微波脉冲与声波脉冲双重激励下,实现光子‑磁子‑声子的三模耦合的状态。该耦合状态的频率和耦合强度可以作为特定的...
  • 本申请提供一种存储电路及其控制方法、存储器、电子设备,涉及存储技术领域,铁电电容可以充分翻转。该存储电路包括第一铁电存储单元、第一电流镜、第一电压产生电路、比较电路、以及第一电压端。第一电流镜包括第一支路和第二支路,第一支路的一端与第二支路...
  • 提供了存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元;控制逻辑电路,被配置为:基于从存储器控制器接收的刷新命令执行存储器单元阵列的刷新操作;输入/输出电路,被配置为:将存储在存储器单元阵...
  • 本公开涉及集成电路装置、存算芯片及相关装置。一种集成电路装置,包括:第一逻辑晶片,其上设置有一个或多个计算核心;第二逻辑晶片,其上设置有互连网络;存储堆叠体,包括彼此堆叠的至少一个存储晶片,所述至少一个存储晶片中的每个存储晶片上设置有存储单...
  • 本发明实施例涉及存储器技术领域,公开了一种存储单元以及装置、计算存储单元以及装置,存储单元包括第一晶体管、选通组件、反相器、第一过程控制端、第二过程控制端、信号输入端以及信号输出端;其中,选通组件根据第二过程控制信号的信号传输通路或者接地通...
  • 本公开提供了一种存储器及其操作方法,所述存储器的操作方法包括:响应于写入命令,基于写入操作的目标值确定是否对所述存储器的目标存储单元执行感测操作;若所述目标值为第一值,在第一阶段,对所述目标存储单元执行所述感测操作,得到所述目标存储单元的存...
  • 本公开提供了一种存储器及其操作方法,所述存储器的操作方法包括:响应于写入命令,在第一阶段,基于写入操作的目标值,对目标存储单元耦接的第一驱动线施加与所述目标值对应的第一电压,对所述目标存储单元耦接的第二驱动线施加第二电压,并对所述目标存储单...
  • 本公开提供了一种存储器及其操作方法,所述存储器的操作方法包括:响应于写入命令,在写入操作之前的第一阶段,对目标存储单元执行感测操作;所述感测操作的结果指示所述目标存储单元是否导通;在所述第一阶段之后的第二阶段,根据所述目标存储单元的导通状态...
  • 本发明公开了一种面向AI推理的NorFlash及阵列结构及其编译方法与应用,涉及集成电路存储器技术领域,该NorFlash是一种由选择晶体管ST和浮栅型存储晶体管MT串联构成的2T结构。通过该NorFlash还组成了存储阵列架构,特别适用于...
  • 本公开涉及具有写入逻辑旁路路径的预解码器和包括预解码器的存储器结构。公开了预解码器和包括预解码器的结构。除了其他组件之外,每个预解码器还包括分别由写入时钟信号和读取时钟信号控制的第一和第二锁存器,以及多路复用器启用的写入逻辑旁路路径。在写入...
  • 本公开涉及一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置可以包括第一存储块、第二存储块、外围电路和控制电路。控制电路控制外围电路根据单层单元(SLC)方案将第一数据编程到第一存储块,通过以组块为单位转换从第一存储块读取的数据来生成第二数据,并根据...
  • 本发明提供一种闪存装置及其抹除方法。抹除方法包括下列步骤:根据操作命令,对存储器区块进行操作;在存储器区块中的任一者经过编程抹除循环之后,判断存储器区块中的任一者的编程抹除循环所累计的循环次数是否达到多个断点的其中一者;当存储器区块中的任一...
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