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  • 本发明涉及半导体制造技术领域,提供了一种去除半导体刻蚀残留物的方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上沉积膜层,得到基片;步骤2:对基片依次进行涂胶、曝光及显影,得到带有光刻胶图形的基片;步骤3:将带有光刻胶图形的基片置入等离子体刻蚀机中进行预...
  • 本发明公开了一种用于晶圆预清洗设备的防刻蚀装置及其使用方法,其属于半导体设备技术领域,所述用于晶圆预清洗设备的防刻蚀装置包括绝缘体,所述绝缘体的顶面开设有凹槽,所述凹槽用于放置金属盘,所述凹槽侧壁上开设有第二硅棒孔,所述绝缘体的顶面竖直设有...
  • 本发明公开了一种晶圆清洗装置和清洗方法,涉及半导体制造技术领域。该晶圆清洗装置包括:旋转组件,设置于箱体中,用于水平夹持并驱动晶圆旋转;后处理组件,设置于旋转组件上方,以朝向晶圆喷淋流体而清洁晶圆;旋转组件包括转盘,其上配置有第一夹持组件和...
  • 本申请提供了晶圆清洗方法,第一清洗中采用SPM试剂去除晶圆表面的有机残留物,第二清洗中采用DHF试剂去除晶圆表面的氧化物杂质,之后,晶圆暴露在空气中会产生的新的氧化物杂质。在第三清洗槽中依次采用多轮不同成分的化学试剂对晶圆进行清洗,该过程中...
  • 本发明涉及半导体生产技术领域,具体为一种半导体生产设备及半导体工艺方法包括洗台、支架和刷辊,清洗台上滑动设置有安装板,安装板与刷辊转动连接,安装板上位于刷辊一侧安装有喷射板和与喷射板配合使用的负压回收板,安装板上,喷射板、负压回收板及刷辊沿...
  • 本申请的实施例提供了一种基片干燥方法和装置,基片经过清洗液清洗后基片表面具有残留的清洗液,方法包括基片向基片喷洒与清洗液互溶的第一液体,直至基片表面的清洗液被清洗干净,基片表面残留第一液体;向腔体内通入设定量的第一干燥气体,同时向基片喷洒改...
  • 本申请提供了一种加热机构及基板处理装置,加热机构包括加热盘组件和至少两根管道,加热盘组件内部开设有至少两个沿径向方向间隔设置的流道空腔;加热盘组件的顶部开设有至少两组流体流出孔,加热盘组件的底部设有至少两个管道连接口,每根管道的输入端用于连...
  • 本发明提供了一种机台温度补偿方法及系统,其中机台温度补偿方法包括以下步骤:收集晶圆同一个直径上的测量数据,并根据机台的温度探针信息进行存储,以获得每个所述温度探针对应的数据组;根据所述数据组计算出每个所述温度探针的温度补偿值;通过机台自动化...
  • 本申请公开了一种基板升降机构及基板处理装置。该基板升降机构包括:固定板,具有相对设置的第一侧面和第二侧面;第一支撑组件,可升降设置于第一侧面,用于支撑和带动基板升降;第二支撑组件,可升降设置于第一侧面,用于支撑和带动基板升降,且第一支撑组件...
  • 本申请提供了一种加热机构的工艺参数获取装置和方法,装置包括测温机构和控制单元,测温机构用于保持在夹持机构上并置于液体喷头和加热机构之间,加热机构包括分布在不同半径上的流道空腔,测温机构内设有温度传感器;控制单元被配置成调节与该区域对应半径上...
  • 本申请提供了一种晶圆支撑装置及半导体工艺设备,晶圆支撑装置用于在反应腔室中承载晶圆并带动所述晶圆升降,包括:托盘,用于承载晶圆;托盘承载台,用于承载托盘,且内部具有隔离内腔;冷却盘,设置在隔离内腔中;边缘支撑组件,围绕托盘设置,用于承载晶圆...
  • 本申请涉及半导体器件制造领域,具体为基板处理装置,包括承载平台,用于放置基板;腔室,用于容纳所述承载平台;进气单元,用于依据控制器的指令导入脱附气体至所述腔室内,所述脱附气体为氧气和/或臭氧;光照单元,设置在所述腔室内,包括UV灯管,所述U...
  • 本发明提供一种半导体热处理设备及其校准方法,半导体热处理设备,包括:工艺腔室;基座,设置在工艺腔室内,基座顶部设置有工作台;竖直电磁驱动组件,环绕设置在工艺腔室的外周侧,以使基座悬浮;视觉摄像装置,设置在工作台的上方,视觉摄像装置与工作台之...
  • 一种裸片倒装接合装置包括:基底保持器,被配置为:设置包括在第一方向上具有间隙的多个裸片堆叠件的基底,所述多个裸片堆叠件被引线接合;第一移动体,被配置为:移动到第一位置以拾取所述多个裸片堆叠件之中的第一裸片堆叠件的第一最上面的裸片,并且然后在...
  • 本申请公开了用于清洁半导体晶圆的装置和方法。本公开描述了一种使用由冷却系统产生的清洁液的清洁系统。该清洁系统包括:冷却系统,被配置为产生清洁液;控制器,被配置为控制清洁液的温度;晶圆支架,被配置为保持并旋转晶圆;第一喷嘴,在晶圆上方并被配置...
  • 本发明提高使用冷冻清洗法的基板清洗方法的通过量。实施方式的基板清洗装置包括:旋转保持部,保持基板;液体供给部,向所述基板的第一面供给液体;第一冷却介质供给部,朝向所述基板的与所述第一面为相反侧的第二面供给第一冷却介质;第二冷却介质供给部,朝...
  • 本申请提供一种校准装置以及校准方法,所述校准装置包括:温度探测器,温度探测器用于获取探测光路对应的探测点的实时温度,探测点位于预先设置的半导体设备的腔室目标区域内;驱动件,驱动件与温度探测器连接,驱动件用于调整探测光路的光线传播方向;控制器...
  • 本发明提供一种接合系统,提供一种能够减小接合系统的占地面积的技术。本公开的一技术方案的接合系统具备:处理站,其对第1基板和第2基板进行给定的处理;以及送入送出站,其将第1基板、第2基板和重合基板相对于处理站送入送出,重合基板是将第1基板与第...
  • 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法,即使上升流流量变多,也进一步抑制基板面内的处理不均。基板处理装置(100)具备控制部,其基于第二流量控制机构(7)所控制的处理液的流量来控制第一流量控制机构(6),使得向第一气体供给管(51、52...
  • 本发明提供一种基板处理装置,消除处理液在处理槽内流动的速度的偏差,进一步抑制基板面内的处理不均。基板处理装置(100)具备外侧气泡产生管(31、32)和内侧气泡产生管(33、34),外侧气泡产生管(31、32)和内侧气泡产生管(33、34)...
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