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  • 本发明公开一种图像传感器的形成方法及图像传感器,所述图像传感器的形成方法,包括:提供衬底;所述衬底包括像素区和逻辑区;在所述像素区外围和/或所述逻辑区的不同模块外围形成隔离结构,用于隔离所述逻辑区的器件产生的光、热和/或电子扩散;所述隔离结...
  • 本发明提供一种基于电磁屏蔽的图像传感器芯片及其制造方法,包括:提供具有感光区的衬底晶圆;覆盖感光区外衬底晶圆表面的屏蔽层;形成贯穿屏蔽层的导电通孔;形成覆盖屏蔽层表面的第一金属层,以得到具有电磁屏蔽的芯片半成品;提供玻璃并形成透明导电膜层;...
  • 本发明公开了一种FDSOI图像传感器,像素单元结构包括:形成于SOI层上的FDSOI晶体管和形成于底部半导体衬底中的光电二极管,光电二极管包括感光阱区。光电二极管位于FDSOI晶体管的正下方并延伸到FDSOI晶体管的形成区域的外侧;在FDS...
  • 本发明公开了一种含有P型薄膜晶体管传输门的感光像素元件以及图像传感器,其中感光像素元件包括:衬底;电荷累积电极、传输控制电极、信号读出电极;介电层,其覆盖在电荷累积电极、传输控制电极、信号读出电极三者上方,且设有开口部;单层或双层的P型薄膜...
  • 本发明公开了一种III‑V族半导体晶圆与CMOS晶圆的晶圆级异质集成方法及结构,晶圆级异质集成方法包括:提供III‑V晶圆,在III‑V晶圆表面制备第一电介质层,并在第一电介质层上制备第一高熵合金薄膜;提供CMOS晶圆,在CMOS晶圆表面制...
  • 本发明提供了一种利用晶圆制备光芯片的方法,涉及集成光子芯片制造技术领域,该方法包括:在位于晶圆正面开设深刻蚀窗口,基于深刻蚀窗口自光芯片保护层沿厚度方向刻蚀至光芯片衬底内部,以暴露光接口的侧面,并在光芯片衬底边缘形成底部台阶;将经过深刻蚀工...
  • 本发明涉及光伏电池的串联连接,具体涉及一种太阳电池负间距组件的制备方法,用于解决常规串焊工艺无法处理焊带数量不一致的电池,以及叠片工艺中重叠区域的电池在层压后受到的应力较大,易产生隐裂,造成电池失效的不足之处。该太阳电池负间距组件的制备方法...
  • 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池领域,太阳能电池的制备方法包括:获取N型硅片,并在N型硅片的第一接触区域上依次沉积第一掩膜层、第二掩膜层,对N型硅片进行第一丝网印刷处理,以在第一接触区域上的第一预设区域上印刷第一浆料,...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池包括硅衬底,所述硅衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,第二表面包括第一区域和第二区域,所述第一区域上设有第一隧穿钝化接触结构,所述第一区域和第二区域上设有第二钝化结构,所述第一区域上的...
  • 本发明提供一种用于自供电日盲紫外探测器的Nafion涂层氧化镓/MXene异质结的制备方法。该方法采用水热、旋涂及后退火工艺在钛片衬底上制备氧化镓纳米棒阵列,然后通过旋涂、加热和封装工艺构筑Nafion涂层MXene/氧化镓异质结光阳极。测...
  • 本发明公开了一种OBB太阳能电池制造拼接方法,所述OBB太阳能电池制造拼接方法包括以下步骤:第一步 将焊带与电池片上的主栅通过点焊的方式连接;第二步 在焊带与主栅的连接区域进行点胶,增加焊带与电池片之间的结合力;第三步 将电池片层压封装。通...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法,本发明的方法包括在电池前体上制备TCO层的步骤,其特征在于,还包括在TCO层外侧制备介质层的步骤,介质层包括位于TCO层的远离电池前体的一侧的表面的第一介质层,和位于TCO层的侧面的第二介质层,第二介...
  • 本发明公开了一种改善PERC(PassivatedEmitterandRearCell,钝化发射极和背面接触)电池硅片表面亲水性的退火方法,属于光伏电池制造技术领域。该方法针对传统低压炉管退火工艺对硅片表面亲水性调控不足的缺陷,通过精准优化...
  • 本发明公开了一种提升耐候性的光伏组件一体化成型工艺,涉及光伏组件技术领域,通过全流程协同工艺,实现光伏组件耐候性能与结构稳定性的同步提升,本发明优化了基材表面改性工艺与复合封装材料体系,采用一体化层压成型技术消除层间界面缺陷,配合精准的工艺...
  • 本发明涉及光伏组件制造技术领域,具体公开了一种电池片高效成串设备、方法及电池串。该电池片高效成串设备包括复合平台及成串输送线,复合平台包括工作台及转台,转台沿工作台的第一工位、第二工位、第三工位及第四工位循环转动;转台顶面设置有四个放置位,...
  • 本发明公开了一种改善异质结单体与叠层底电池电极‑薄膜界面性能的方法,涉及太阳能电池领域,所述方法为采用渐变式热光固化工艺;具体为在光固化过程中固化温度从初始温度逐渐递增,通过改变异质结电池银电极的烘干固化方式来改善太阳能电池电极与薄膜界面的...
  • 本发明公开了一种改善PERC电池中心位置漏电的方法,属于太阳能电池技术领域。该方法针对PERC电池(钝化发射极背表面电池)制造中激光开孔导致的中心漏电问题,通过以下步骤实现改善:1)在PERC电池背面形成至少一层钝化膜层;2)采用激光设备对...
  • 本发明公开了一种基于厚胶工艺的铟柱制备方法及红外焦平面探测器,涉及半导体器件制造技术领域;本发明基于胶厚≥12μm的光刻厚胶工艺,采用75~85s的深度显影构建底部高度清洁无残留的光刻图形,为后续的剥离步骤创造出无粘连剥离的先决条件,沉积目...
  • 本申请涉及电池技术领域,提供了太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件,太阳能电池的制备方法包括太阳能电池中栅线结构的制备步骤,太阳能电池中栅线结构的制备步骤包括:在基底上采用第一金属浆料进行第一次印刷后烧结,制备底层,底层包含多个第一金...
  • 本发明公开了去除氧化锡膜层方法及其在处理太阳能电池不良片中的用途。该去除氧化锡膜层方法包括:利用混酸溶液对氧化锡膜层浸洗,其中,按质量浓度计,所述混酸溶液包括0.005%~0.5%的HCl、0.1%~2%的HF和50ppm以上的臭氧。该方法...
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